Wie Intel auf dem derzeit im südkoreanischen Seoul stattfindenden Intel Developer Forum (IDF) bekannt gab, liefert der Konzern seit kurzem die ersten Flash-Bausteine in NOR-Technologie aus, die mit 65 Nanometern Strukturbreite gefertigt werden. Die Chips mit einer Speicherkapazität von 1 Gigabit sind die ersten ihrer Art und besonders für Mobiltelefone gedacht.

Samsung hat einen ersten funktionsfähigen Prototypen eines "Phase-change Random Access Memory"-Moduls (PRAM) gefertigt. Geht es nach Samsung, wird PRAM innerhalb von zehn Jahren NOR-Flash ersetzen. Der Prototyp hat eine Speicherkapazität von 512 MBit.

Der Flash-Speicher-Hersteller SanDisk übernimmt seinen israelischen Konkurrenten Msystems, bezahlt wird mit Aktien im Wert von rund 1,55 Milliarden US-Dollar. Gemeinsam wolle man eine führende Rolle spielen wenn es darum geht, neue Märkte zu schaffen und die Verbreitung von Flash-Speicher voranzutreiben.

Samsung hat MultiMediaCards vorgestellt, die es auf eine Kapazität von 8 GByte bringen. Sie sind mit Samsungs 8 Gigabit großen NAND-Flash-Speicherbausteinen bestückt, die in MLC-Technik (Multi-Level Cell) hergestellt wurden. In einer weiteren Produktankündigung hat Samsung besonders schnell arbeitende MMCs in Aussicht gestellt, die es aber nur mit maximal 2 GByte Kapazität geben wird.

Rund 500 Millionen Euro will Samsung in den Bau einer neuen Produktionsstätte für Speicherchips in Südkorea investieren, berichtet das Wall Street Journal. Samsung reagiere damit auf die steigende Nachfrage.

Samsung hat auf seinem Heimatmarkt ein Subnotebook und einen Ultra-Portable-PC vorgestellt, die beide keine herkömmliche mechanische Festplatte mehr enthalten. Stattdessen sitzen im Samsung Q1-SSD und im Q30-SSD jeweils 32 GByte Flash-NAND-Speicher für die Daten.

Um dem boomendem Markt für Flash-Speicher gerecht zu werden, bauen der Halbleiterhersteller Toshiba und der Speicherkartenspezialist SanDisk eine neue Fab für die Herstellung von NAND-Speichern. Die "Fab 4" soll besonders schnell zur Massenfertigung geführt werden.

Intel will am Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner NOR-Flash-Speicher in Multi-Level-Cell-Technik ausliefern. Damit will Intel das erste Unternehmen mit entsprechenden Chips in 65-Nanometer-Technik und mit einer Speicherdichte von 1 GBit auf dem Markt sein.

Samsung bietet eine Solid State Disk (SSD) als Alternative zur Festplatte für Notebooks an. Auf NAND-Flash werden dabei 32 GByte gespeichert.

Swissbit - bisher vor allem für seine Speicherriegel und USB-Sticks bekannt - entwickelt sich zum Komplettanbieter für Speicher. Bisher bot das schweizerische Unternehmen noch keine Flashspeicher-Karten an, das soll sich nun ändern.

Anlässlich der 3GSM hat der Flash-Speicher-Hersteller Spansion, ein Joint Venture von AMD und Fujitsu, SIM-Karten mit 64 MByte vorgestellt - üblich sind hier bisher eher Speichermengen im KByte-Bereich. So sollen künftig nicht nur deutlich mehr Kontakte, sondern auch Audio, Video und Spiele geschützt auf einer SIM-Karte gespeichert werden können.

SanDisk profitiert vom Flash-Speicher-Boom und kann Umsatz und Gewinn deutlich steigern. Im vierten Quartal 2005 konnte der größte Flash-Speicher-Hersteller der Welt 751 Millionen US-Dollar umsetzen, ein Zuwachs von 37 Prozent gegenüber dem Vorjahr. Der Nettogewinn im vierten Quartal kletterte um 78 Millionen US-Dollar im Vorjahr auf 134 Millionen US-Dollar 2005.

Einen schnellen USB-Stick mit einer Kapazität von 8 GByte verspricht Pretec mit seinem neuen Modell aus der Reihe "i-Disk II". Der Flash-Speicher soll sich mit 166facher Geschwindigkeit (analog zu CD-ROMs) auslesen lassen.

Im Streit um Flash-Speicher-Patente mit STMicroelectronics muss SanDisk eine Schlappe einstecken. Die International Trade Commission (ITC) bestätigte, dass STMicroelectronics SanDisks US-Patent Nr. 5,172,338 nicht verletzt, womit die Auseinandersetzung beendet ist. SanDisk nahm dies zum Anlass, eine weitere Patentklage gegen STMicroelectronics einzureichen.

Angesichts des steigenden Flash-Speicher-Bedarfs durch den iPod Nano hat sich Apple nun die langfristige Lieferung von NAND-Speicher gesichert. Insgesamt fünf Hersteller werden Apple bis 2010 beliefern.

Zusammen mit Micron gründet Intel ein neues Unternehmen, das NAND-Flash-Speicher für Unterhaltungselektronik, Wechselmedien und mobile Endgeräte fertigen soll. Das Unternehmen soll dabei ausschließlich für Intel und Micron produzieren.

Das US-Unternehmen Adtron bietet ein SATA-Laufwerk im 3,5-Zoll-Format an, das auf Flash-Speicher setzt. Bis zu 128 GByte Flash-Speicher sollen sich in dem Format unterbringen lassen.

Mit "Robson" will Intel die Startzeiten von PCs im Ganzen sowie einzelner Applikationen drastisch verkürzen. Gezeigt wurde die auf Flash-Speicher basierende Technik auf dem Intel Developer Forum in Taipeh.

Im Streit um die Verletzung von Flash-Speicher-Patenten soll Toshiba 465 Millionen US-Dollar Schadensersatz an Lexar zahlen, entschied jetzt ein Gericht in Kalifornien.

Der Hersteller Data Storage Advisors bringt Mitte Oktober 2005 erste U3-fähige USB-Speichersticks unter der Bezeichnung "disk2go Smart" in den Handel. USB-Sticks mit U3-Konformität erlauben es, Applikationen direkt von dem externen Datenträger zu laden, ohne dass die betreffende Software installiert werden muss. Aber auch der zuverlässige Transport vertraulicher Daten soll durch U3 gewährleistet werden.

Mit seiner Package-on-Package-Technik (PoP) will es Spansion Herstellern von Mobiltelefonen, PDAs, Digitalkameras oder MP3-Playern ermöglichen, besonders kompakte Geräte zu entwickeln. Logik und Speicher sollen sich auf kleinerem Raum unterbringen lassen, so das Flash-Speicher-Joint-Venture von AMD und Fujitsu.

Samsung hat einen NAND-Flash-Chip mit einer Kapazität von 16 GBit entwickelt - laut Samsung der NAND-Chip mit der bislang höchsten Speicherdichte. Gefertigt wird der Chip in einer 50-Nanomenter-Technik, die sich laut Samsung leicht in die Massenproduktion übernehmen lässt.

Die niederländischen Forscher von Philips machen Fortschritte auf dem Weg zu Recheneinheiten, die vollständig aus Kunststoffen hergestellt sind. Erstmals gelang jetzt die dauerhafte Datenspeicherung auf einem Polymer-Chip, der sich wie Flash-Speicher neu beschreiben lässt.

SanDisk war im Streit um die Verletzung von Flash-Speicher-Patenten durch Ritek, Pretec und Memorex vor dem Berufungsgericht erfolgreich. Dieses nahm ein Urteil der ersten Instanz zurück, das zu dem Schluss gekommen war, die drei angeklagten Firmen würden das US-Patent Nr. 5,602,987 ("987 Patent") nicht verletzen.

Der US-amerikanische Hersteller M-Systems hat mit der "Fast Flash Disk" (FFD) den am meisten Daten fassenden Solid-State-Flash-Speicher für die SATA-Schnittstelle angekündigt. Ganze 128 GByte passen ins winzige 2,5-Zoll-Gehäuse.

Gängige USB-Sticks benötigen einen Computer, der als USB-Host den Datentransfer steuert. Flashpoint-USB-Sticks arbeiten sowohl als USB-Host als auch als -Client und können ihren Inhalt deshalb auch abseits des Rechners auf andere Sticks kopieren bzw. Daten von diesen herunterladen.

Datentransferraten von bis zu 29 MByte pro Sekunde soll Imations neuer USB-Speicherstick "Swivel Flash Drive" beim Lesen erreichen. Beim Schreiben sind es immerhin noch 24 MByte pro Sekunde.

Samsung hat eine so genannte Solid State Disk (SSD) im 2,5-Zoll-Format für PCs und Notebooks vorgestellt. Statt rotierender Scheiben kommt dabei Flash-Speicher zum Einsatz, was einen deutlich geringeren Stromverbrauch verspricht. Samsung will die SSDs mit Kapazitäten von bis zu 16 GByte liefern können.

Mit neuen NOR-Flash-Speicher-Produkten will Intel seine Position im Handy- und Embedded-Markt ausbauen. Dazu kündigte Intel auf dem IDF jetzt mit "Sibley", "Naubinway" und "Sixmile" neue Produkte und Techniken an, die schnellere Reaktionszeiten bei Handys bzw. deutlich günstigere Speicherchips versprechen.

Toshiba und SanDisk haben gemeinsam einen NAND-Flash-Speicherchip in 70-Nanometer-Technik mit einer Speicherkapazität von 8 GBit entwickelt. Damit lässt sich auf einem solchen Chip eine Datenmenge von 1 GByte unterbringen. Vorgestellt wurde der Chip auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Francisco.

Mit seinem neuen "Multi Chip Package" will Samsung die Speichersysteme von Mobiltelefonen revolutionieren. Die Koreaner packen dabei sämtliche Speichertypen in ein winziges Gehäuse.

M-Systems und SanDisk versprechen, mit der "U3" aus USB-Sticks mehr als nur mobile Speicher zu machen. U3 soll eine offene Applikationsplattform etablieren, so dass Nutzer von USB-Sticks Applikationen verschiedener Software-Hersteller auf dem Stick speichern und ohne Installation auf beliebigen PCs ausführen können.

In seinen Labors in München hat Infineon eigenen Angaben zufolge die bisher kleinste Flash-Zelle entwickelt. Die Struktur ist nur 20 Nanometer breit.

Nach dem Willen von M-Systems werden SIM-Karten für Mobiltelefone künftig mit Flash-Speicher bestückt sein. Mit MegaSIM stellt das Unternehmen eine SIM-Karte mit bis zu 256 MByte Speicher vor, die künftig den Einsatz von Speicherkarten in Mobiltelefonen überflüssig macht.

Mit der vierten Generation seiner USB-Sticks will Sharkoon vor allem für mehr Geschwindigkeit sorgen. Die als "Sharkoon USB 2.0 Flexi-Drive Ultra-Speed" bezeichneten USB-Sticks versprechen einen beschleunigten Datentransfer von bis zu 16 MByte/s.

Bitmicro hat in den USA Festplatten mit IDE-Interface vorgestellt, die noch in Temperaturbereichen von minus 40 und bis zu 85 Grad Celsius arbeiten können. Auch Stöße mit bis zu 1.000 g und Vibrationen bis zu 15 g sollen die Geräte im Betrieb schadlos überstehen.

Micron will in das Geschäft mit NAND-Speicher alias Flash-Speicher einsteigen und Produkte für Speicherkarten und USB-Speichergeräte anbieten. Micron zählt zu den größten Speicher-Herstellern.

Der Hersteller Sharkoon hat in seiner USB-Flexi-Drive-Reihe einen Speicherstick mit 4 Gigabyte Kapazität vorgestellt. Der Stick nutzt die schnelle USB-2.0-Schnittstelle zur Übertragung der Daten zum Computer.

Die von SanDisk und Toshiba seit 1999 gemeinsam entwickelten 4-Gigabit-Multi-Level-Cell-NAND-Flash-Speicher-Chips sollen ab 3. Quartal 2004 auf den Markt kommen und in 90-nm-Technik gefertigt werden. Entsprechende Flash-Speicher-Karten werden laut SanDisk im Vergleich zu bisheriger Technik eine doppelt so hohe Kapazität erreichen.

Sharkoon bringt jetzt seine USB-Flash-Sticks in einer Special Edition in den Handel. Das Gehäuse des USB-Sticks besteht aus stoßsicherem und spritzwassergeschütztem Vollgummi, womit man zwar nicht baden gehen, aber den Widrigkeiten des Alltags doch einigermaßen gewappnet gegenübertreten kann.

SanDisk bringt mit T-Flash das nach eigenen Angaben bislang kleinste, austauschbare Flash-Speicher-Format auf den Markt. T-Flash hat ähnliche Abmaße wie entsprechende Embedded-Chips, lässt sich aber austauschen, um beispielsweise Mobiltelefone mit höherer Speicherkapazität zu versehen.

Intel kündigte im Rahmen des Intel Developer Forums (IDF) den ersten NOR-Flash-Speicher mit 90 Nanometer Strukturbreite an. Das neue Intel Flash Memory ist die fünfte Generation von Intel-Flash-Speichern, die speziell auf die Anforderungen drahtloser Endgeräte zugeschnitten sind.

Die Universal Transportable Memory Association (UTMA) hat mit "Fish" ein neues Format von Flash-Speicherkarten vorgestellt. Fish-Karten sind kleiner als SD-Karten oder xD-Picture-Cards und sollen für eine schnelle Datenübertragung gerüstet sein. Erste Fish-fähige Geräte sind laut UTMA bereits in der Entwicklung.

Infineon kündigte jetzt den ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis von Saifuns TwinFlash-Technologie an. Entwickelt wurde der 512-MBit-Flash-Speicherchip von der Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, einem Joint Venture von Infineon Technologies und Saifun Semiconductors. Die ersten Produkte werden bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden gefertigt.

Silicon Storage Technology (SST) will zusammen mit dem taiwanesischen DRAM-Hersteller Powerchip Semiconductor Corporation (PSC) die dritte Generation seiner SuperFlash-Speicher-Technologie entwickeln. Die SuperFlash-Zelle wird derzeit von PSC auf Basis eines 0,11-Mikron-Prozesses entwickelt, soll künftig aber auch in Strukturgrößen von 90 und später 65 Nanometern hergestellt werden.

Intel stellte auf dem Intel Developer Forum in Taipeh das so genannte StrataFlash Wireless Memory System vor, welches Arbeitsspeicher, Code-Ausführung und Datenspeicherung in einem Baustein vereint, der besonders kostengünstig sein soll. Damit sollen Hersteller von künftigen Handys preisgünstig besonders kompakte Geräte fertigen können.

SanDisk kündigte jetzt im Vorfeld der IFA 2003 mit der SanDisk-Ultra-II-Serie neue Flash-Speicherkarten an, die Schreibgeschwindigkeiten von 9 MByte pro Sekunde bzw. Lesegeschwindigkeiten von 10 MByte pro Sekunde erreichen sollen. SanDisks Ultra-II-Speicher ist dabei als CompactFlash- wie auch als SD-Card erhältlich.

Freecom hat jetzt eine flache USBCard angekündigt, die kaum größer als eine Kreditkarte sein und auch in der Brieftasche Platz finden soll. Die "ultraflache" Karte kommt vorerst mit Speicherkapazitäten von 128, 256 und 512 MByte auf den Markt. Eine 1-GByte-Version ist bereits in Planung.

Der Elektronik-Riese Samsung hat bereits in Zusammenarbeit mit Sony DVD-Player, Mobiltelefone, PCs und Fernseher mit Memory-Stick-Lesegerät ausgestattet. Die seit 2001 laufende Partnerschaft wurde nun vertieft und eine Lizenzvereinbarung getroffen, die es Samsung in Zukunft ermöglicht, selber Memory Sticks herzustellen und zu verkaufen.

STMicroelectronics hat eine NOR-Flash-Memory-Speicherzelle angekündigt, die in 90-Nanometer-Technik hergestellt wird und vor allem für Niederspannungs-Anwendungen gedacht ist. Eine einzelne, quadratische NOR-Flash-Zelle hat eine Kantenlänge von 0,08 Micron.