TOP TREINAMENTOS AVANÇADOS

S
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TR
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APOSTILA VA
D
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DE
ES
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ELETRÔNICA APLICADA
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ID
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ÃO
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Curso de Eletrônica
R
EP
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ÍNDICE DAS LIÇÕES

S
LIÇÃO 1: SEMICONDUTORES

TO
EN
* Materiais Semicondutores

AM
* Dopagem

N
* Condutibilidade

EI
* Exercícios para memorização

TR
LIÇÃO 2: DIODOS

P
O
* Diodos Retificadores

-T
* Diodo Emissor de Luz - LED

S
O
* Diodo Zenner

D
VA
* Diodo Varicap
ER

* Exercícios para memorização

ES

LIÇÃO 3: RETIFICADORES
R

* Tipos de Retificadores
S
TO

* Diodos Retificadores
EI

* Retificação de Meia Onda

IR
-D

* Retificador de Onda Completa

A

* Exercícios para memorização

ID

LIÇÃO 4: FILTROS
IB
O

* Filtragem em Retificadores de Meia Onda

PR

* Filtragem de Onda Completa

ÃO

* Tensão Contínua Média nos Retificadores com Filtro

Ç
U

* Determinação do Capacitor de Filtragem

D
O

* Efeito de Filtragem da Combinação Indutor-Capacitor

R
EP

- Filtro LC
R

- Filtro RLC
- Filtro CRC
* Exercícios para memorização

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LIÇÃO 5: REGULADORES DE TENSÃO

* Características de um Regulador de Tensão
* Diodo Zenner como Regulador de Tensão

S
TO
* Reguladores de Tensão Integrados

EN
- Reguladores Fixos

AM
- Reguladores Ajustáveis

N
LIÇÃO 6: TRANSISTORES

EI
TR
* História dos transistores

P
* Transistor de Unijunção

O
-T
* Estrutura

S
* Simbologia

O
D
* Funcionamento VA
* Correntes do Transistor
ER

* Ganho do Transistor
ES

* Polarização
R
S

* Exercícios para memorização

TO

LIÇÃO 7: TRANSISTORES COMO CHAVE

EI
IR

* Estados do Transistor
-D

* Transistor como Chave

A

- Escolha do Transistor
ID
IB

- Cálculo do Resistor RB
O
PR

* Exercícios para memorização

ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 8: AMPLIFICADORES
* Configuração dos Transistores
- Emissor-Comum

S
TO
- Base-Comum

EN
- Coletor-Comum

AM
* Amplificadores de Pequenos Sinais

N
- Amplificação

EI
TR
- Sinal Elétrico

P
- Emissor-Comum

O
-T
- Coletor-Comum

S
- Base-Comum

O
D
* Amplificadores de Potência VA
- Classes de Amplificadores
ER

* Distorção no s Amplificadores
ES

- Distorção Harmônica
R
S

- Distorção por Cross-Over

TO

- Distorção por Intermodulação

EI
IR

- Distorção em Alto Volume

-D

* Exercícios para memorização

A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 01 – SEMICONDUTORES
Introdução

S
TO
EN
Nesta lição você iniciará os estudos dos materiais semicondutores, conhecendo seu
princípio de construção e comportamento quando submetidos a uma tensão elétrica.

AM
Para o bom aproveitamento desta lição, é importante que você recorde os conceitos
básicos sobre átomos, camada de valência e elétrons livres.

N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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1. Materiais Semicondutores

Os materiais semicondutores são aqueles que podem apresentar características de

isolantes ou de condutores, dependendo da forma como se apresenta a sua estrutura

S
química.

TO
O carbono é um exemplo típico de material semicondutor, pois, dependendo da forma
como os átomos estão arranjados, o material pode se tornar isolante (diamante) ou

EN
condutor (grafite).

AM
Os materiais semicondutores são constituídos de átomos tetravalentes, ou seja, que
possuem 4 elétrons na última camada.

N
O silício e o germânio são exemplos de materiais semicondutores. Os átomos que

EI
possuem 4 elétrons na última camada tendem a se agruparem segundo uma forma

TR
cristalina. Neste tipo de formação, cada átomo se combina com outros, fazendo com
que cada elétron da camada de valência pertença a dois átomos simultaneamente.

P
Esse tipo de ligação é chamado de ligação covalente (figura abaixo).

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO

Um material com essa formação atômica é altamente estável e por isso isolante, já
que tem bem “amarrados” todos os elétrons da última órbita. Contudo, se esse
EI

material sofrer um aumento de temperatura, algumas ligações covalentes serão

IR

quebradas, fazendo a condutibilidade de o material aumentar.

-D

2. Dopagem
A
ID

A dopagem é um processo químico, realizado em laboratório, que tem a finalidade de

IB

colocar no interior da estrutura cristalina uma quantidade de impurezas para que o

O

cristal se comporte conforme as condições desejadas.

PR

Nos cristais semicondutores (germânio e silício) a dopagem é feita para atribuir ao

material certa condutibilidade elétrica.
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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2.1 Material Semicondutor Tipo N

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina átomos penta valentes

(com 5 elétrons na última camada), uma nova estrutura é formada, chamada de
material semicondutor tipo N.

S
TO
Um exemplo de átomo penta valente é o fósforo (P). Dos cinco elétrons da última
camada do átomo de fósforo, apenas quatro encontrarão um par para a formação das

EN
ligações covalentes. O quinto elétron, não pertencendo a nenhuma ligação covalente,
pode se libertar facilmente do núcleo, tornando-se um portador livre de cargas

AM
elétricas.

N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
Mesmo após o processo de dopagem, a quantidade de prótons e elétrons permanece
a mesma; portanto, o material é eletricamente neutro.
ER

No material semicondutor tipo N os portadores de cargas elétricas são os elétrons

livres. O cristal tipo N conduz corrente elétrica, independentemente da polaridade da
ES

bateria.
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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2.2 Material Semicondutor Tipo P

Caso a dopagem seja realizada com átomos trivalentes (com 3 elétrons na última
camada), uma nova estrutura é formada, chamada de material semicondutor tipo P.

S
Um exemplo de átomo trivalente é o índio (In). Neste tipo de dopagem verifica-se a

TO
falta de um elétron para que os átomos tetravalentes se combinem. Essa falta de
elétrons chama-se lacuna. Da mesma forma que no semicondutor tipo N, o número

EN
de prótons e elétrons permanece o mesmo; portanto, o semicondutor tipo P é também
eletricamente neutro.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES

A condução da corrente elétrica nos semicondutores tipo P se dá pela movimentação

R

das lacunas; assim, os portadores de cargas elétricas no material tipo P são as

lacunas.
S
TO

A condução de corrente elétrica no semicondutor tipo P não depende da polaridade da

fonte.
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR

Os materiais semicondutores tipo N e tipo P constituem a matéria-prima para a

ÃO

fabricação de componentes eletrônicos, tais como diodos, transistores e circuitos

integrados.
Ç
U
D
O
R
EP
R

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3. Condutibilidade dos Materiais Semicondutores

Existem dois fatores que influenciam na condutibilidade dos materiais semicondutores:
a temperatura e a intensidade da dopagem.

S
TO
3.1 Temperatura

EN
Quando a temperatura em um material semicondutor aumenta, a energia térmica faz

AM
com que algumas ligações covalentes se desfaçam, ocasionando o aparecimento de

N
portadores livres de energia.

EI
Com um maior número de portadores livres, existe a possibilidade de circulação de

TR
maiores correntes elétricas no cristal. Sendo assim, os materiais semicondutores
apresentam uma característica chamada dependência térmica, que influencia

P
diretamente no comportamento do componente eletrônico.

O
-T
3.2 Intensidade da Dopagem

S
A condução da corrente elétrica nos materiais semicondutores depende dos

O
portadores livres de carga na estrutura cristalina.

D
Portanto, a intensidade da dopagem influencia diretamente na condutibilidade do
VA
material.
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Exercícios para Memorizar.

S
1 - Silício e germânio são exemplos de materiais:

TO
( ) a) isolantes;

EN
( ) b) semicondutores;
( ) c) condutores;

AM
( ) d) todas as alternativas estão corretas;
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

N
EI
2 - Os átomos dos materiais semicondutores possuem na última camada:

TR
( ) a) 5 elétrons;
( ) b) 3 elétrons;

P
( ) c) 6 elétrons;

O
( ) d) 4 elétrons;

-T
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

S
O
3 - Dopagem é um processo para:

D
( ) a) atribuir uma certa condutibilidade ao material semicondutor;
VA
( ) b) tornar o material semicondutor um isolante perfeito;
( ) c) retirar elétrons do material semicondutor;
ER

( ) d) carregar positivamente o material semicondutor;

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.
ES
R

4 - O material semicondutor tipo N:

( ) a) foi dopado com átomos trivalentes;
S
TO

( ) b) foi dopado com átomos tetravalentes;

( ) c) foi dopado com átomos penta valentes;
EI

( ) d) não foi dopado com nenhum átomo;

IR

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

-D

5 - O material semicondutor tipo P:

A

( ) a) foi dopado com átomos trivalentes;

ID

( ) b) foi dopado com átomos tetravalentes;

IB

( ) c) foi dopado com átomos penta valentes;

( ) d) não foi dopado com nenhum átomo;
O

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

PR

6 - Os portadores de cargas elétricas nos materiais semicondutores tipo N são:

ÃO

( ) a) elétrons livres;
Ç

( ) b) lacunas;
U

( ) c) prótons;
D

( ) d) nêutrons;
O

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

R
EP

7 - Os portadores de cargas elétricas nos materiais semicondutores tipo P são:

( ) a) elétrons livres;
R

( ) b) lacunas;
( ) c) prótons;
( ) d) nêutrons;
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

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8 - Os fatores que influenciam na condutibilidade de um material semicondutor são:

( ) a) temperatura;
( ) b) intensidade da dopagem;
( ) c) polaridade da bateria;

S
TO
( ) d) as alternativas (a) e (b) estão corretas;
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 02 – DIODOS SEMICONDUTORES

S
TO
Introdução

EN
AM
Nesta lição você irá estudar os diodos semicondutores, diodos zener, diodos
emissores de luz e varicap, que são componentes construídos a partir dos materiais

N
semicondutores.

EI
Nosso objetivo é que você compreenda a forma correta de aplicar esses componentes

TR
nos circuitos eletrônicos, respeitando suas limitações elétricas.
Para melhor entendimento desta lição, é importante a assimilação dos conceitos de

P
materiais semicondutores.

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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1. Diodos Retificadores

1.1 Junção PN

S
TO
A junção de um material semicondutor tipo N com um material tipo P é denominada
junção PN, estrutura básica para muitos componentes eletrônicos como o diodo

EN
retificador. Após a junção dos dois materiais ocorre um processo de recombinação na

AM
região da junção. Os elétrons da região N tendem a se difundirem para a região P.
Forma-se então, na junção, uma região onde não existem portadores de carga,

N
chamada de região de depleção.

EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER

Tanto o cristal N quanto o cristal P são eletricamente neutros, ou seja, possuem o

ES

mesmo número de prótons e elétrons. Por causa da recombinação na região da

junção ocorre um desequilíbrio de cargas elétricas nos cristais, surgindo então uma
R

ddp (diferença de potencial – tensão elétrica) nesta região, chamada de barreira de

S

potencial. A tensão gerada por esse desequilíbrio depende do material semicondutor

TO

utilizado. No caso do silício a tensão é de aproximadamente 0,7 V e do germânio 0,3

V. Acrescentando-se terminais de ligação aos cristais N e P, forma-se então um diodo
EI

retificador. Esses terminais são chamados de ânodo (cristal P) e cátodo (cristal N).
IR
-D
A
ID
IB
O
PR

Obs.: não é possível medir a barreira de potencial nos terminais do diodo, pois esta
ÃO

tensão existe apenas na região da junção. Segundo a norma NBR 12526, o símbolo
do diodo é o mostrado na figura abaixo.
Ç
U
D
O
R
EP
R

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A identificação dos terminais do diodo pode aparecer por meio do símbolo impresso
sobre o seu encapsulamento, ou um anel indicando o terminal cátodo (figura abaixo).

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
Existem diferentes tipos de encapsulamentos para os diodos, determinados por suas

P
aplicações e características elétricas.

O
-T
1.2 Polarização do Diodo

S
O comportamento do diodo depende de como a tensão é aplicada aos seus terminais,

O
ou seja, depende da sua polarização.

D
VA
1.2.1 Polarização Direta
ER

A polarização é direta quando um potencial positivo é aplicado no ânodo, em relação

ES

ao cátodo.
R
S
TO
EI
IR
-D
A

Na polarização direta, o polo negativo da bateria faz com que os elétrons livres do
ID

cristal N sejam repelidos em direção à região da junção. Se a tensão aplicada aos

IB

terminais do diodo for superior à barreira de potencial (0,7 V Si, 0,3 V Ge), os elétrons
O

livres adquirem velocidade suficiente para atravessar a região de depleção.

PR

A partir daí os elétrons se recombinam com as lacunas do material P. Esses elétrons,

por sua vez, são atraídos pelo polo positivo da fonte, originando um fluxo de corrente
ÃO

elétrica.
Obs.: para melhor entendimento, essa análise foi feita levando-se em consideração o
Ç

sentido real da corrente elétrica, do polo negativo para o polo positivo. O diodo em
U

condução comporta-se como uma chave fechada, permitindo a passagem da corrente

D

elétrica.
O
R
EP
R

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S
TO
EN
AM
A barreira de potencial faz com que, na polarização direta, apareça nos terminais do

N
diodo uma queda de tensão. Na maioria dos casos o diodo é utilizado com tensões

EI
maiores que 0,7 V, portanto, a queda de tensão não provoca erros significativos nos

TR
circuitos.

P
1.2.2 Polarização Reversa

O
-T
A polarização reversa caracteriza-se pela aplicação de um potencial positivo no cátodo
em relação ao ânodo.

S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO

Neste tipo de polarização os portadores livres de cada material semicondutor são

EI

atraídos pelos polos da fonte. Com o afastamento dos portadores livres da região da
IR

junção, a região de depleção aumenta, impedindo o fluxo da corrente elétrica. Neste

caso, o diodo está em bloqueio. Um diodo em bloqueio comporta-se como uma chave
-D

aberta, não permitindo a passagem da corrente elétrica.

A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D

1.3 Curva Característica

O
R

O comportamento do diodo pode ser representado por meio da sua curva

EP

característica (figura abaixo).

R

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
O diodo possui características elétricas que devem ser observadas quando da sua

P
aplicação:

O
-T
Corrente direta nominal - If (Intensity forward).
Essa característica representa o valor máximo de corrente que o diodo suporta,

S
quando polarizado diretamente.

O
D
Tensão reversa máxima - Vr (Voltage reverse). VA
É a tensão máxima que o diodo suporta quando polarizado reversamente.
ER

Essas características variam para cada tipo de diodo e são fornecidas pelo fabricante.
Esses valores, quando superados, causam danos irreversíveis ao componente como a
ES

queima ou o rompimento da junção por efeito joule.

R

1.4 Teste de Diodos

S
TO

A maioria dos multímetros digitais possui, na chave seletora, uma posição para teste
EI

e diodos. Nela verifica-se o estado da junção.

IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O

Se o multímetro apresentar essas leituras, significa que o diodo está em boas

R

condições.
EP
R

Obs.: os valores indicados pelo multímetro na polarização direta variam em

função do diodo utilizado.

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Com um multímetro analógico também é possível testar diodos. Na escala de

resistências x10 o instrumento indica baixa resistência para polarização direta e alta
resistência para polarização reversa.

2. Diodo Emissor de Luz – LED

S
TO
O LED é um diodo feito com arsenieto de gálio (GaAs), de modo que a corrente, ao

EN
circular no sentido direto pelos cristais, promove transições eletrônicas diretas,

AM
resultado na emissão de fótons (luz). Esta luz pode ter diferentes comprimentos de
onda, responsáveis pelas diferentes cores emitidas pelos LEDs.

N
Dentre as cores mais comuns dos LEDs destacamos o vermelho, o verde, o amarelo e

EI
o infravermelho (usado em controles remotos).

TR
P
O
O LED é utilizado como dispositivo de sinalização e suas vantagens são enormes em

-T
relação às lâmpadas:
• baixo custo;

S
• baixo consumo de energia;

O
• baixa dissipação de calor;

D
• alta durabilidade. VA
ER

A figura abaixo mostra o símbolo do LED.

ES
R
S
TO
EI
IR

Para que o LED possa emitir luz, ele deve ser polarizado diretamente e a corrente
-D

limitada em aproximadamente 20 mA.

Quando polarizado reversamente, o diodo LED não emite luz e, quando polarizado
A

diretamente, a queda de tensão no LED é de, aproximadamente, 1,6 volts.

ID

A figura abaixo mostra um LED polarizado diretamente.

IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP

A fórmula para o cálculo do resistor limitador do LED é:

R

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S
TO
EN
Onde:
Vcc: tensão com a qual o LED será alimentado

AM
Vd: queda de tensão do LED (valor típico: 1,6 V)
Id: corrente do LED (máx. 20 mA)

N
EI
Os LEDs podem ser encontrados em vários formatos (figura abaixo).

TR
P
O
-T
S
O
D
3. Diodo Zener VA
ER

O diodo zener é um diodo especial utilizado como regulador de tensão. Seu símbolo,
de acordo com a NBR 12526/92, é mostrado na figura abaixo.
ES
R
S
TO
EI
IR

Outras formas de representação podem ser utilizadas (figura abaixo).

-D
A
ID
IB
O
PR

O funcionamento do diodo zener depende da forma como ele é polarizado:

ÃO

• na polarização direta, o diodo zener se comporta da mesma forma que um diodo

Ç

retificador, entrando em condução;

U

• na polarização reversa, o diodo zener atua como regulador de tensão; ao atingir a

D

região de avalanche, a tensão sobre os terminais do zener permanece praticamente

O

constante, fazendo o diodo entrar em condução. O grau de dopagem e o tamanho do

R

cristal do diodo zener definem a tensão zener e a corrente reversa máxima.

EP
R

3.1 Características do Diodo Zener

Tensão zener (Vz) – É o valor de tensão no qual o diodo zener entra em condução,
quando polarizado reversamente. Os valores da tensão zener são fornecidos pelo
fabricante e podem ser consultados nos catálogos técnicos (data books).

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Potência zener (Pz) – É a potência que o zener dissipa, quando percorrido por uma
corrente reversa. Seu valor é expresso pela fórmula:

S
TO
EN
AM
Onde:
Pz: potência zener

N
Iz: corrente zener

EI
Vz: tensão zener

TR
No mercado são comuns diodos zener com potências de 400 mW e 1 W.

P
O
-T
S
O
D
Coeficiente de temperatura (mV/°C)
VA
Os materiais semicondutores sofrem influência da temperatura, por isso a tensão
zener se modifica com a variação da temperatura. A relação entre a temperatura e a
ER

tensão zener é definida em mV/°C , ou seja, em quantos milivolts a tensão zener se

altera para cada grau centígrado alterado. Dependendo do processo de fabricação, o
ES

diodo zener pode apresentar coeficiente de temperatura negativo (a tensão zener

R

abaixa com o aumento da temperatura) ou coeficiente de temperatura positivo (a

S

tensão zener aumenta com o aumento da temperatura).

TO

Tolerância – A tolerância é a variação da tensão zener em relação àquela

EI

especificada pelo fabricante. Situa-se entre 5% e 10%.

IR
-D

Corrente zener máxima (Iz máx.) – É o valor máximo de corrente que o diodo zener
suporta, quando em condução, na polarização reversa. Seu valor é dado pela fórmula:
A
ID
IB
O
PR
ÃO

Por questão de segurança não é aconselhável que a corrente no zener chegue a 70%
Ç

do seu valor máximo.

U
D

Corrente zener mínima (Iz mín.) – É o valor mínimo de corrente necessário para que
O

o zener mantenha estável a tensão nos seus terminais. Seu valor é dado pela fórmula:
R
EP
R

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4. Diodo Varicap

O diodo varicap é um diodo de capacitância variável, utilizado nos circuitos

sintonizadores. Seu princípio de funcionamento baseia-se na capacitância produzida

S
por uma junção PN, quando polarizada reversamente.

TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
Conforme estudado nos diodos semicondutores, ao polarizar uma junção PN

O
reversamente, a região de depleção aumenta de acordo com a tensão reversa

D
aplicada. VA
O valor da capacitância apresentada pelo diodo varicap depende do valor dessa
ER

tensão reversa. Comparando-se com um capacitor variável convencional, é como se

as placas estivessem se afastando, ou seja, a capacitância diminuindo. O símbolo do
ES

diodo varicap é mostrado na figura abaixo.

R
S
TO
EI
IR
-D

O diodo varicap substitui com vantagens os capacitores variáveis, pois apresenta um

custo menor e um tamanho reduzido.
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
Exercícios para Memorizar.
ER
ES

1 - O diodo retificador é formado pela:

( ) a) junção de dois materiais tipo N;
R

( ) b) junção de um material tipo P e um material tipo N;

S

( ) c) junção de dois materiais tipo P;

TO

( ) d) as alternativas A e C estão corretas;

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.
EI
IR

2 - Os terminais do diodo retificador são:

-D

( ) a) ânodo e coletor;
( ) b) cátodo e base;
A

( ) c) emissor e ânodo;
ID

( ) d) ânodo e cátodo;
IB

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

O
PR

3 - Barreira de potencial é:
( ) a) uma ddp que surge na região da junção;
ÃO

( ) b) uma ddp que surge nos terminais do componente;

( ) c) a tensão máxima na qual o diodo pode funcionar;
Ç

( ) d) a tensão que surge no material tipo P;

U

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

D
O

4 - A aplicação mais adequada para o diodo zener é como:

R

( ) a) retificador;
EP

( ) b) regulador de tensão;
R

( ) c) amplificador;
( ) d) limitador de corrente;
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

5 - Associe as colunas:

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( a ) Tensão zener ( ) Variação da tensão zener em relação à temperatura

( b ) Tolerância ( ) Variação da tensão zener especificada pelo fabricante
( c ) Coeficiente de ( ) Produto da tensão zener pela corrente zener temperatura
( d ) Potência zener ( ) Valor de tensão em que o zener entra em condução na
polarização reversa.

S
TO
6 - Calcule a corrente Iz máx. e Iz mín. dos diodos abaixo:

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
LIÇÃO 03 – RETIFICADORES
ER
ES

Introdução
R
S
TO

Nesta lição você irá estudar o funcionamento dos circuitos retificadores, usados na
transformação da corrente alternada em corrente contínua.
EI

Para um bom aproveitamento da lição, recomendamos que você relembre os

IR

conceitos dos diodos retificadores, apresentados na lição 2.

-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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S
TO
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-T
S
O
D
VA
1. Tipos de Retificadores
ER
ES

Existem basicamente dois tipos de retificadores: o de meia onda e o de onda

R

completa.
Esses circuitos são utilizados na transformação de onda senoidal em onda contínua.
S
TO

A necessidade desses circuitos surgiu devido ao fato de a maioria dos circuitos

eletrônicos funcionarem com tensão contínua.
EI

Neste tópico discutiremos como é realizada a transformação de tensão alternada para

IR

tensão contínua e ainda incluiremos os filtros, que complementam este assunto.

-D

2. Diodos Retificadores
A
ID

Na lição 2 mostramos o funcionamento e principais características de um diodo, que é

IB

um dispositivo utilizado na retificação de meia onda e onda completa.

O

A figura abaixo mostra o símbolo do diodo semicondutor. Observe que a parte do

PR

símbolo em forma de seta aponta no sentido convencional da corrente. O símbolo do

diodo semicondutor tem a seta apontada para a região N.
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP

Lembramos ainda que um diodo considerado como ideal pode trabalhar diretamente
R

polarizado ou reversamente polarizado. A polarização direta faz com que o diodo

permita a circulação de corrente elétrica no circuito, enquanto a polarização reversa
faz com que o diodo entre em bloqueio, não permitindo a circulação de corrente no
circuito.

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S
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EN
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N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER

3. Retificação de Meia Onda

ES

Quando desejamos transformar a tensão alternada em tensão contínua, denominamos

R

esse processo de retificação. A principal função de um retificador é permitir que um

S

equipamento eletrônico possa ser alimentado a partir da rede elétrica CA.

TO

Na retificação de meia onda aproveita-se apenas meio ciclo de tensão de entrada (um
EI

semiciclo) na carga, como mostra a figura abaixo.

IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U

Obs.: neste semiciclo o diodo retificador está polarizado diretamente, portanto ocorrerá
D

a condução de corrente e a tensão de entrada aparecerá na carga. Observe na figura

O

abaixo o que ocorrerá no semiciclo negativo.

R
EP
R

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S
TO
EN
AM
N
Neste semiciclo o diodo retificador estará polarizado reversamente, portanto ocorrerá o

EI
bloqueio de corrente e a tensão não aparecerá na carga RL. Como você pode

TR
perceber, o diodo retificador, quando polarizado em tensão CA, só conduz corrente
quando está polarizado diretamente, ou seja, somente no semiciclo positivo da

P
senóide.

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI

3.1 Funcionamento de um Retificador de Meia Onda

IR

Tomando-se como referência o circuito retificador da figura abaixo, vamos analisar o

-D

seu funcionamento aplicando uma tensão CA nos terminais A e B do circuito.

A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D

No primeiro semiciclo da tensão alternada, de 0 a 180o, a entrada A será positiva em

O
R

relação a B, portanto, o diodo D1 estará polarizado diretamente, permitindo a

EP

circulação de corrente.
R

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S
TO
EN
AM
A tensão na carga RL será a tensão de entrada subtraída da tensão no diodo D1 (0,7

N
V para o diodo de silício ou 0,3 V para diodo de germânio).

EI
TR
P
O
-T
O próximo semiciclo é o negativo, que ocorre de 180o a 360o. Nessa condição, a
entrada A estará negativa em relação à entrada B, ou seja, o diodo D1 estará

S
polarizado reversamente e bloqueará a passagem de corrente.

O
É importante frisar que estamos considerando um diodo ideal, que não tem corrente

D
VA
de fuga quando polarizado reversamente. Tratando-se de um diodo real, ao ser
polarizado reversamente, ocorre o aparecimento de uma pequena corrente de fuga, da
ER

ordem de alguns microampères, que até aqui vínhamos desconsiderando.

ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A

Para este tipo de retificador, se forem considerados vários semiciclo, a forma de onda
ID

resultante de corrente e tensão na carga RL, desprezando-se a corrente de fuga, será

IB

como a mostrada na figura abaixo.

O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP

Observe que somente um dos semiciclo de um ciclo completo passa para a carga RL.
O semiciclo negativo aparece sobre o diodo, como mostra a figura abaixo.
R

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
Situações 1, 3 e 5  diodo conduzindo.

O
-T
Situações 2 e 4  diodo bloqueado.

S
As formas de ondas mostram que a tensão na carga é contínua e pulsante, pois

O
sempre flui no mesmo sentido, não mais alternando em semiciclo positivos e

D
negativos. Esse tipo de retificador apresenta alguns inconvenientes, tais como:
VA
• a tensão de saída é pulsante, o que difere de uma tensão contínua pura, limitando
ER

assim suas aplicações;

• o rendimento de tensão de saída é baixo em relação à tensão eficaz de entrada;
ES

esse rendimento é próximo de 50% da tensão de entrada eficaz.

R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR

3.2 Tensão e Corrente de Saída

ÃO

Na retificação de meia onda, como já foi dito, tanto a tensão como a corrente de saída
são pulsantes. Isto implica que na saída alternam-se períodos de existência e
Ç
U

inexistência de tensão e corrente sobre a carga.

D
O
R
EP
R

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Ao se efetuar a medição de tensão e corrente desses circuitos, o multímetro indicará

os valores de tensão e corrente média de saída.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
Para se calcular os valores de tensão e corrente média são utilizadas as seguintes

-T
equações:

S
Tensão contínua média na saída

O
D
VA
ER

Corrente contínua média na saída

ES
R
S
TO

Onde:
EI

Vcc: tensão contínua média na saída;

Vcap: tensão de entrada de pico;
IR

Vd: queda de tensão do diodo (0,7 V ou 0,3 V);

-D

Icc: corrente contínua média na saída.

A

Obs.: os cálculos de tensão e corrente média são importantes para a determinação da

ID

escolha do diodo retificador ideal para o circuito.

IB
O
PR

4. Retificador de Onda Completa

ÃO

O retificador de onda completa é um tipo de circuito que fornece uma tensão contínua
Ç

média de melhor qualidade na saída. Nesse processo de conversão de corrente

U

alternada para corrente contínua são aproveitados os dois semiciclo da tensão de

D

entrada, o que melhora sensivelmente o rendimento do circuito, fornecendo à saída

O

quase que a totalidade da tensão de entrada do circuito. Existem dois tipos de

R

retificadores de onda completa: retificador com transformador com derivação central e

EP

retificador em ponte.
R

4.1 Retificador com Derivação Central

Este retificador utiliza dois diodos retificadores e um transformador com derivação

central, também chamado de Center Tap.

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S
TO
EN
AM
Ao analisar o funcionamento desse circuito, observa-se que a tensão no secundário do

N
transformador estará invertendo a polaridade constantemente, devido à tensão

EI
senoidal de entrada. Portanto, no circuito, cada semiciclo polariza diretamente um dos

TR
diodos, levando-o à condução. Fazendo uma análise separada dos semiciclo da
tensão de entrada, será muito fácil compreender o funcionamento desse tipo de

P
retificador. É importante ainda ressaltar que a derivação central deve estar localizada

O
exatamente na metade do número de espiras do secundário do transformador,

-T
garantindo que as tensões nos diodos D1 e D2 sejam de mesmo valor.

S
O
4.1.1 Primeiro Semiciclo

D
VA
Considerando o primeiro semiciclo como positivo, ocorrerá a polarização direta do
diodo D1, fazendo-o conduzir corrente, enquanto que o diodo D2 estará polarizado
ER

reversamente, entrando em bloqueio.

ES
R
S
TO
EI
IR
-D

Nesta condição, nota-se o diodo D1 conduzindo corrente através da carga RL do

A

terminal positivo para o terminal de referência do transformador (derivação central). A

ID

tensão na saída será:

IB
O
PR

4.1.2 Segundo Semiciclo

ÃO

No semiciclo seguinte - o negativo - ocorre a inversão de polaridade no secundário do

Ç

transformador; com isso, o diodo D2 estará polarizado diretamente, conduzindo

U
D

corrente, enquanto que o diodo D1 estará polarizado reversamente, entrando em

O

bloqueio. A corrente agora fluirá pelo diodo D2, através da carga RL, para o terminal
R

de referência do transformador.
EP
R

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S
TO
EN
AM
Analisando a forma de onda na carga após vários semiciclo, nota-se que este tipo de

N
retificador é chamado de retificador de onda completa pelo fato de entregar à carga os

EI
dois semiciclo da senóide de entrada.

TR
• Diodo D1 −−> semiciclo positivo −−> para carga RL

P
• Diodo D2 −−> semiciclo negativo −−> para carga RL

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

4.1.3 Cálculo de Tensão Contínua Média na Carga

A

Para valores de tensão de entrada acima de 10 VCA, podemos desconsiderar o valor

ID

referente à queda de tensão causada pelos diodos (0,7 V para o silício e 0,3 V para o
IB

germânio), pois essa queda de tensão não será relevante no cálculo dos valores finais
de tensão. Portanto, para se determinar a tensão contínua média na carga, usaremos
O

a seguinte equação:
PR
ÃO
Ç

Pela equação apresentada, percebe-se que neste tipo de retificador há o

U

aproveitamento de aproximadamente 90% da energia de entrada do circuito.

D
O
R
EP

4.1.4 Cálculo da Corrente Contínua Média na Carga

R

O valor da corrente contínua média na carga está em função da tensão contínua

média determinada pela equação anterior. Portanto, para se determinar a corrente a
fórmula será:

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Damos a seguir dois exemplos de cálculo da tensão e corrente contínua média na

S
carga (Vcc e Icc) para retificadores de onda completa.

TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S

Vcc = Vcaeficaz . 0,9

TO

Vcc = 24 . 0,9
EI

Vcc = 21,6 V
IR

Tensão contínua média na carga = 21,6 V

-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç

Corrente contínua média na carga = 36 mA

U
D
O
R
EP
R

Exemplo 2: consideraremos a tensões de entrada menor que 10 VCA, portanto, serão

consideradas as quedas de tensão nos diodos.

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
Para este caso, onde a tensão de entrada é menor que 10 VCA, aplicam-se as
seguintes equações:

S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

Tensão contínua média na carga = 4,95 V

A
ID
IB
O
PR
ÃO

Corrente contínua média na carga = 10 mA

Ç
U
D
O
R
EP
R

4.2 Retificador em Ponte

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Outra maneira de se conseguir a retificação de onda completa é por meio do

retificador em ponte. Ao se utilizar este modelo de retificador, não é de fundamental
importância o uso do transformador, que só é utilizado em caso de adequação da
tensão de entrada (elevar ou baixar a tensão de entrada); ainda no caso do uso do
transformador, este não necessita de derivação central (Center Tap).

S
TO
Este tipo de retificador, que é o modelo mais utilizado, também é conhecido como
ponte retificadora, sendo encontrado à venda montado em um único bloco.

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
Na retificação em ponte são utilizados quatro diodos e o funcionamento é facilmente

S
compreendido, pois se baseia na condução de corrente por dois diodos em cada

O
semiciclo. A explicação novamente será dada analisando-se separadamente os

D
semiciclo positivo e negativo da tensão de entrada.VA
4.2.1 Semiciclo Positivo
ER
ES

Considerando o primeiro semiciclo e a tensão positiva no terminal de entrada superior

do circuito, temos:
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID

Nesta condição, os diodos D1 e D3 estão polarizados diretamente, conduzindo

IB

corrente através da carga RL, enquanto que os diodos D2 e D4 estão polarizados

reversamente, bloqueando a passagem de corrente.
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

4.2.2 Semiciclo Negativo

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S
TO
EN
AM
N
No semiciclo negativo a tensão positiva estará no terminal inferior do circuito devido à

EI
inversão da polaridade da tensão de entrada. A inversão de polaridade faz com que os

TR
diodos D2 e D4 estejam polarizados diretamente, conduzindo corrente através da
carga RL, enquanto os diodos D1 e D3 ficam com polaridade reversa, bloqueando a

P
passagem de corrente. É importante observar que a retificação em ponte entrega à

O
carga os dois semiciclo, como acontece na retificação de onda completa com

-T
derivação central.

S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO

A ponte retificadora pode ainda ser representada simbolicamente de forma

simplificada, conforme mostra a figura abaixo.
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

4.2.3 Cálculo de Tensão Contínua Média na Saída

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Para se calcular a tensão contínua média de saída é necessário considerar que cada
semiciclo aparece na saída devido à condução simultânea de dois diodos, o que leva a
duas quedas de tensões (0,7 V ou 0,3 V). Desta forma, a tensão de saída será menor
que a tensão de entrada em 1,4 V ou 0,6 V (duas vezes a queda de tensão do diodo

S
TO
de silício ou do diodo de germânio).

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI

Portanto, para se calcular a tensão contínua média na saída, teremos a seguinte

IR

equação:
-D
A
ID
IB

Para tensões acima de 20 Vca, desconsideram- se as quedas de tensões nos diodos,

O

pois pouco influenciará no valor final da tensão de saída, resultando na seguinte

PR

equação:
ÃO
Ç
U

4.2.4 Cálculo da Corrente Contínua Média na Saída

D
O

Para o cálculo da corrente vamos utilizar a mesma equação da retificação de onda

R

completa com derivação central.

EP
R

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Desenvolvemos a seguir um exemplo de cálculo de tensão e corrente contínua média

na saída para uma ponte retificadora.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
Considerando para o circuito que os diodos retificadores são de silício, teremos:

P
O
-T
S
O
D
Onde: VA
ER

Vcap = Vca . 1,414

Vcap = 12 V . 1,414
ES

Vcap = 16,97 V
R

Então:
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Exercícios para Memorizar.

1 - É o componente que tem como função atuar como retificador:

S
( ) a) capacitor;

TO
( ) b) transformador;

EN
( ) c) diodo;
( ) d) transistor;

AM
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

N
2 - Nome dado ao processo de transformação de tensão alternada em tensão

EI
contínua:

TR
( ) a) polarização;

P
( ) b) retificação;

O
( ) c) indução;

-T
( ) d) filtragem;

S
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

O
D
3 - Qual é o nome do retificador onde são aproveitados na saída os dois semiciclo da
VA
entrada?
Responda:
ER
ES
R

4 - Qual é o nome do retificador onde é aproveitado na saída apenas um dos semiciclo

S

da entrada?
TO

Responda:
EI
IR
-D

5 - Qual é o número de diodos que um retificador em ponte utiliza?

A

( ) a) 1
ID

( ) b) 2
IB

( ) c) 5
O

( ) d) 4
PR

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

ÃO

6 - Explique em poucas palavras o que é retificação.

Ç
U
D
O

7 - Qual é o nome dado ao retificador mais simples, que tem suas aplicações limitadas
R

devido à grande ondulação de saída?]

EP

Responda:
R

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8 - Considerando um retificador de meia onda que está sendo alimentado por uma
fonte de 24 Vca, qual é a tensão contínua de saída?
Responda:

S
TO
EN
9 - Considerando um retificador de onda completa para o exercício anterior, qual é a

AM
tensão contínua de saída?
Responda:

N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 04 – FILTROS
Introdução

S
TO
EN
Nesta lição você estudará os filtros usados nos circuitos retificadores, necessários
para transformar a tensão contínua pulsante em tensão contínua pura.

AM
Como já vimos, nos retificadores de meia onda e onda completa, a tensão contínua
média na saída gerada por esses circuitos é pulsante, o que limita suas aplicações,

N
pois a grande maioria dos equipamentos eletrônicos necessitam tensões contínuas

EI
puras. Devido a este agravante, os retificadores convencionais possuem uma

TR
aplicação limitada, tais como freio eletromagnético em motores elétricos, carregadores
de baterias, etc. Para aproximar o sinal de tensão retificada por um retificador a uma

P
tensão contínua pura, necessitamos acrescentar um filtro ao circuito retificador.

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Top Treinamentos Avançados - Curso de Eletrônica Página 39

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1. Filtragem em Retificadores de Meia Onda

A forma mais simples de filtragem é a que utiliza um capacitor em paralelo com a

carga que se está alimentando, como mostra a figura abaixo.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
Este retificador de meia onda terá sua tensão contínua de saída muito próxima de uma

P
tensão contínua pura, devido à colocação do capacitor em paralelo com a carga.

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR

Para a perfeita compreensão do processo de filtragem realizado pelo capacitor,

-D

analisaremos o circuito da figura abaixo. Durante o primeiro semiciclo, o terminal

superior de entrada do circuito é positivo, portanto o diodo D1 conduz, pois está
A

polarizado diretamente, fazendo a corrente circular através da carga e também para o

ID

capacitor que armazenará a energia em suas placas.

IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP

Durante o primeiro semiciclo, o terminal superior de entrada do circuito é positivo;

R

portanto, o diodo D1 conduz, pois está polarizado diretamente, fazendo a corrente

circular através da carga e também para o capacitor, que armazenará a energia em
suas placas.

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Após o capacitor se carregar com a tensão de pico da fonte, o diodo para de conduzir.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES

No ponto em que a tensão de entrada atinge seu valor máximo, o capacitor estará com
R

a tensão de pico armazenada em suas placas. A partir desse ponto, então, a carga
S

começará a receber a energia armazenada no capacitor, pois o diodo está bloqueando

TO

a passagem de corrente. O capacitor permanecerá em descarga no intervalo em que o

EI

diodo D1 estiver em bloqueio.

IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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É importante observar que, com a colocação do capacitor, a carga recebe tensão

durante todo o ciclo, aumentando o valor de tensão contínua média na carga.
Observe a figura abaixo e faça a comparação entre um retificador sem filtro e outro
com filtro.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER

Este retificador com filtro que apresentamos composto de um único capacitor, não é
ES

capaz de reduzir significativamente a ondulação da tensão, a não ser que se

empregue um capacitor de elevada capacitância. Entretanto, este tipo de filtro é
R

frequentemente usado em aplicações que não requerem elevada filtragem.

S
TO

2. Filtragem de Onda Completa

EI
IR

Outra forma para se reduzir a ondulação na saída é aplicar o capacitor como filtro em
-D

retificadores de onda completa. Assim, a frequência da ondulação será de 120 Hz e

não mais de 60 Hz, como no caso dos retificadores de meia onda. Com isso, o
A

capacitor é carregado com uma frequência duas vezes maior, enquanto que o tempo
ID

de descarga é duas vezes menor. Como consequência, a ondulação na saída será

IB

menor, tornando a tensão contínua de saída mais próxima de uma tensão contínua
pura.
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Obs.: ondulação ou ripple é a diferença entre a variação máxima e mínima de tensão

de saída de um retificador com filtro. É importante salientar que um dos fatores que
define a qualidade de um retificador é o valor da tensão de ondulação em sua saída,
ou seja, quanto menor esse valor, melhor a qualidade do retificador.

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Os fatores que influenciam a ondulação são associados à descarga do capacitor tais

como:

• capacitância do capacitor;
• corrente absorvida pela carga;

S
TO
• tempo que o capacitor permanece descarregando.

EN
3. Tensão Contínua Média nos Retificadores com Filtro

AM
Para se calcular a tensão contínua média na saída dos retificadores com filtro utiliza-

N
se a seguinte equação:

EI
TR
P
O
-T
S
Onde:

O
Vcc: tensão contínua média na saída;

D
Vp: tensão de pico; VA
Vond: tensão de ondulação.
ER

Desenvolvemos a seguir um exemplo de cálculo de tensão contínua média na saída

ES

de um retificador com filtro.

R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Obs: não foi considerada a queda de tensão do diodo.

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4. Determinação do Capacitor de Filtragem

A tensão contínua na saída de um retificador com filtro depende da tensão de

S
ondulação na saída, e esta tem relação com o tipo de retificador, a capacitância do

TO
capacitor e a corrente requerida pela carga. Esses fatores influenciam na tensão de
ondulação de saída, o que torna difícil a formulação de uma equação precisa, que

EN
determine o valor do capacitor a ser usado para uma tensão preestabelecida.

AM
Somente devido à grande tolerância dos capacitores eletrolíticos é que se pode
formular uma equação simplificada para determinar de maneira muito próxima o valor

N
do capacitor, sendo utilizada essa equação em filtros que proporcionem uma

EI
ondulação de até 20%. A equação mencionada é:

TR
P
O
-T
S
Onde:

O
C: valor do capacitor em microfarads (F);

D
T: período de descarga do capacitor; VA
Imáx: corrente máxima da carga em ampères;
ER

Vond: tensão de ondulação em volts (V).

ES

Na equação anterior para o período, considerando uma frequência de 60 Hz, teremos:

• para meia onda, T= 16,6 milissegundos (ms);
R

• para onda completa, T= 8,33 milissegundos (ms);

S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Apresentamos, a seguir, o cálculo do valor de um capacitor para filtragem de um

circuito retificador de meia onda. Uma fonte deve ser montada com a seguinte
especificação:

Tensão de saída = 24 V

S
TO
Imáx = 200 mA
Vond = 3 V

EN
Determine o valor do capacitor para que a fonte tenha essas características.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
Se desenvolvermos os cálculos para uma fonte de onda completa com os mesmos

O
D
dados, teremos:
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

5. Efeito da Filtragem da Combinação Indutor-Capacitor

A
ID
IB

5.1 Filtro LC
O
PR

Um filtro mais elaborado que o apresentado utiliza, além do capacitor, um indutor. A

característica fundamental do indutor que o torna útil para a filtragem é sua habilidade
de se opor às variações de corrente.
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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A utilização do indutor garante uma melhor filtragem que a obtida nos retificadores que
usam somente capacitor. A indutância faz com que a corrente de saída não sofra
variações bruscas, mesmo que nos terminais do indutor apareça grande variação de
tensão.
A aplicação deste tipo de filtro se faz necessária quando a resistência da carga variar,

S
TO
pois assim a tensão contínua de saída terá menor variação.
Para se reduzir ainda mais a ondulação na saída, deve-se adicionar um segundo

EN
indutor e capacitor, formando um filtro com duas seções LC.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
A desvantagem deste tipo de filtro é que apresenta, em sua saída, uma tensão
contínua menor se comparada ao filtro com capacitor de entrada.
ER
ES

5.2 Filtro CLC

R

Para se conseguir uma tensão contínua de saída maior que a apresentada pelo filtro
S

LC, mantendo-se a ondulação na saída a um valor baixo, aplica-se ao retificador de

TO

onda completa um filtro CLC.

EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR

5.2 Filtro CRC

ÃO

Em alguns filtros para fontes de alimentação são utilizados resistores em substituição

Ç

aos indutores. Tais filtros são chamados de CRC (combinação capacitor-resistor-

U

capacitor).
D
O
R
EP
R

Obs.: na figura só é mostrada a filtragem.

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Este filtro é aplicado em circuitos nos quais a carga solicite pequeno fluxo de corrente.
Em casos nos quais a carga necessite de fluxo de corrente maior, a eficiência do filtro
RC diminui. Em fonte de alimentação de potência reduzida, o baixo custo dos
resistores em relação ao dos indutores faz com que os filtros RC sejam mais atrativos,
uma vez que nestes casos a eficiência não é um fator importante.

S
TO
O quadro a seguir faz uma comparação entre os filtros estudados até aqui.

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Exercícios para Memorizar.

1 - É elemento usado como filtro em retificadores:

S
( ) a) diodo;

TO
( ) b) transformador;

EN
( ) c) capacitor;
( ) d) resistor;

AM
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

N
2 - Em um retificador que utiliza um capacitor como filtro, para melhorarmos a

EI
qualidade da tensão de saída devemos:

TR
( ) a) trocar o capacitor por outro de capacitância maior;

P
( ) b) trocar o capacitor por outro de capacitância menor;

O
( ) c) retirar o capacitor do circuito;

-T
( ) d) colocar dois capacitores de mesmo valor, em série no circuito;

S
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

O
D
3 - Represente um circuito retificador de meia onda com um capacitor como filtro.
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

4 - Represente um circuito retificador de onda completa com um capacitor como filtro.

A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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5 - Qual é a forma mais comum de filtragem em um circuito retificador?

S
TO
EN
AM
6 - Nos retificadores de onda completa, o capacitor empregado como filtro é carregado

N
com uma frequência maior que no retificador de meia onda. Qual é o valor dessa

EI
frequência?

TR
( ) a) 60 Hz

P
O
( ) b) 120 Hz

-T
( ) c) 180 Hz
( ) d) 100 Hz

S
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

O
D
7 - Influencia na ondulação de saída de um retificador:
VA
( ) a) capacitância do capacitor;
ER

( ) b) corrente absorvida pela carga;

ES

( ) c) tempo de descarga do capacitor;

( ) d) todos os elementos citados influenciam;
R

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

S
TO

8 - Determine o valor do capacitor de um retificador de onda completa para uma

tensão de 48 V, corrente máxima na carga de 400 mA e ondulação de saída de 6 V.
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR

9 - Tipo de filtro utilizado quando se requer uma tensão de saída de melhor qualidade
ÃO

do que a oferecida na filtragem com capacitor e quando a resistência da carga for

variável:
Ç
U

( ) a) filtro RLC;
D

( ) b) filtro LC;
O

( ) c) filtro CRC;
R

( ) d) filtragem com capacitor;

EP

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

R

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10 - Tipo de filtro que fornece elevado grau de filtragem que é aplicado quando a carga
solicita baixa corrente:

( ) a) filtro CLC;

S
TO
( ) b) filtro LC;
( ) c) filtro CRC;

EN
( ) d) filtragem com capacitor;
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

AM
11 - Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as falsas:

N
EI
a) ( ) No retificador de meia onda com filtro o capacitor é carregado somente uma vez

TR
a cada ciclo de entrada.
b) ( ) Em um circuito retificador com filtro LC a tensão contínua de saída tem seu valor

P
O
próximo à tensão de pico de entrada e uma alta ondulação na saída.

-T
c) ( ) O tempo de carga do capacitor influencia na ondulação de saída.
d) ( ) A tensão de saída em um retificador com filtro LC tem praticamente o mesmo

S
valor da tensão de pico de entrada.

O
e) ( ) nenhuma das alternativas anteriores.

D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 05 – REGULADORES DE TENSÃO

Introdução

S
TO
Nesta lição objetivamos que você compreenda o funcionamento do regulador de

EN
tensão com diodo zener e com circuito integrado, famílias 78 e 79xx, aplicando-os em
fonte de alimentação, com o intuito de obter uma saída de tensão fixa, cujo valor é

AM
determinado por estes elementos.

N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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1. Características de um Regulador de Tensão

Um regulador de tensão, independentemente da sua configuração, deve atender a

duas condições básicas:

S
TO
• manter a tensão de saída estável, independentemente das variações da corrente na
carga;

EN
• manter a tensão de saída estável, independentemente das variações de tensão na

AM
entrada.

N
2. Diodo Zener como Regulador de Tensão

EI
TR
Por suas características, quando polarizado reversamente, o diodo zener pode ser
empregado como regulador de tensão de baixa potência.

P
O
O esquema da figura abaixo mostra o modo de polarização do diodo zener para que o

-T
mesmo funcione como regulador de tensão.

S
O
D
VA
ER
ES
R

Onde:
S

Irs: corrente no resistor limitador;

TO

Iz: corrente no diodo zener;

Irl: corrente na carga;
EI

Vc: tensão de entrada não regulada;

IR

Vz: tensão zener;

-D

Vs: tensão de saída regulada;

Vrs: tensão no resistor limitador.
A
ID

Com base nas leis de Kirchoff, algumas fórmulas são extraídas do circuito anterior:
IB
O
PR
ÃO
Ç
U

Esse tipo de regulador é chamado de regulador paralelo, pois o componente

D
O

responsável pela regulação (zener) está em paralelo com a carga.

R

Para o funcionamento adequado do circuito é necessário calcular o valor do resistor

EP

limitador de corrente (Rs). Uma fórmula simplificada para o cálculo é apresentada

abaixo:
R

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A corrente Irs é a soma da corrente Iz mais a corrente Irl. Deve-se estabelecer, para Iz,
um valor médio entre Iz mín e Iz máx. Com isso garante-se que o diodo zener terá
corrente suficiente para atender às variações da corrente da carga.
Exemplo: calcular o valor do resistor limitador Rs, de um regulador com diodo zener,
para as seguintes condições.

S
TO
Tensão de entrada (Ve) = 14 Vcc

EN
Tensão de saída (Vs) = 10 Vcc
Corrente da carga (Irl) = 50 mA

AM
Diodo zener = 10 V . 1 W

N
Cálculo de Iz máx e Iz mín:

EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR

Cálculo de Iz:
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Cálculo de Irs:

S
TO
EN
AM
Cálculo de Rs:

N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
Adota-se, quando necessário, o valor comercial mais próximo.
ER

Cálculo da potência dissipada no resistor:

ES
R
S
TO
EI
IR
-D

Recomenda-se que o resistor tenha, neste caso, pelo menos a potência de 1 W para
A

evitar superaquecimento.
ID
IB

Obs.: neste exemplo, se a carga for desligada do circuito, toda a corrente Irs (105 mA)
O

passará pelo diodo zener, provocando a sua queima; portanto, antes da escolha do
PR

tipo de regulador, é preciso fazer uma análise do tipo de carga que será aplicada a ele.
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Exemplo de uma fonte regulada com zener:

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
3. Regulador de Tensão Integrados

P
O
-T
Existem no mercado circuitos integrados reguladores de tensões. Esses circuitos
integrados podem fornecer tensões fixas ou ajustáveis, dependendo do modelo.

S
Na maioria dos casos, os reguladores possuem proteções internas contra curto-

O
circuito, sobre corrente e sobrecarga térmica, desligando o circuito nessas condições.

D
Pode-se destacar outras vantagens: VA
ER

• baixo custo;
• tamanho reduzido;
ES

• alta confiabilidade;
• alta durabilidade;
R

• simplicidade na aplicação;
S

• etc.
TO
EI

Os reguladores integrados são encontrados em vários encapsulamentos, porém o

mais comum é o TO-220 (figura abaixo).
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U

Na aplicação dos reguladores integrados, alguns cuidados devem ser tomados em

D

relação às suas características elétricas:

O
R
EP

• tensão máxima de entrada;

• corrente máxima;
R

• potência dissipada máxima.

Esses dados podem ser obtidos nos manuais técnicos dos fabricantes.

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3.1 Regulador de Tensão Fixa

Os tipos de reguladores integrados fixos mais comuns são os da família 78xx e 79xx.
A linha 78xx é composta por reguladores positivos, enquanto que os da linha 79xx são
negativos.

S
TO
Os dois algarismos após a identificação da família indicam a tensão de saída.

EN
Exemplos:

AM
7812 – regulador positivo com tensão de saída de 12 volts
7905 – regulador negativo com tensão de saída de -5 volts

N
EI
A figura abaixo apresenta um exemplo de fonte de alimentação com regulador de

TR
tensão integrado.

P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S

3.2 Reguladores de Tensão Ajustáveis

TO

O regulador de tensão ajustável possui a mesma simplicidade de aplicação do

EI

regulador de tensão fixo. O tipo mais popular é o LM 317, que fornece uma ampla
IR

faixa de tensões de saída.

-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP

O resistor R2 é o potenciômetro utilizado para a variação da tensão de saída e R1

ajusta tensão máxima de saída.
R

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Exercícios para Memorizar.

1 - É uma característica desejável de um regulador de tensão:

S
( ) a) reduzir a tensão de saída quando aumentar o consumo da carga;

TO
( ) b) aumentar a tensão de saída quando aumentar o consumo da carga;

EN
( ) c) manter a tensão de saída, independentemente do consumo da carga;
( ) d) todas as alternativas estão corretas;

AM
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

N
2 - Com base no circuito ilustrado na figura abaixo, complete as tensões que

EI
faltam.

TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES

Determine:
R
S

a)
TO

Ve =
Vrs = 5 V
EI

Vz = 6 V
IR

VRL =
-D

b)
A

Ve = 20 V
ID

Vrs =
IB

Vz = 12 V
VRL =
O
PR

c)
Ve = 18 V
ÃO

Vrs =
Ç

Vz = 15 V
U

VRL =
D
O

d)
R

Ve =
EP

Vrs = 6 V
R

Vz = 18 V
VRL =

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3 - Com base no circuito da figura abaixo, complete as correntes que faltam.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
Determine:

-T
a)

S
Irs = 100 mA

O
Iz =

D
IRL = 80 mA VA
b)
ER

Irs =
ES

Iz = 25 mA
IRL = 50 mA
R
S

c)
TO

Irs = 150 mA
Iz = 30 mA
EI

IRL =
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 06 – TRANSISTORES

S
TO
Introdução

EN
Nesta lição você irá estudar o funcionamento dos transistores bipolares e

AM
compreender as formas de se polarizar um transistor, este componente largamente
utilizado nos diversos circuitos eletrônicos. Para o bom entendimento da lição é

N
EI
necessário que você recorde os conceitos sobre materiais semicondutores e junção
PN (lição 1).

TR
1. Um Pouco de História

P
O
-T
Até a década de 50, todos os equipamentos eletrônicos utilizavam válvulas,
componentes que exigiam uma fonte de alimentação robusta, pois consumiam muitos

S
O
watts de potência, além de gerarem calor, que se constituía em um problema a mais

D
para os projetistas.
VA
Em 1951, Schockley inventou o primeiro transistor de junção, provocando uma
verdadeira revolução no campo da eletrônica. Os equipamentos, até então pesados e
ER

ocupando grandes espaços, foram substituídos gradativamente por equipamentos

muitas vezes menores e mais leves, a um custo milhares de vezes menores. Esses
ES

equipamentos passaram a utilizar componentes semicondutores, como os circuitos

R

integrados largamente utilizados nos dias atuais. Vamos analisar as características do

transistor bipolar e seu funcionamento, iniciando pela observação de sua constituição
S
TO

ou estrutura básica.
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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2. Transistor de Junção

S
O transistor de junção ou bipolar é um componente eletrônico construído com três

TO
camadas de cristal de silício ou cristal de germânio, tendo sua aplicação principal
voltada aos amplificadores de sinais e interruptores eletrônicos. Equipamentos de

EN
som, imagem, controles industriais, máquinas diversas e computadores são apenas

AM
algumas das aplicações do transistor.

N
3. Estrutura

EI
TR
A estrutura básica de um transistor é composta por três regiões de um material que
pode ser o silício ou germânio, sendo que duas dessas regiões são iguais, ou seja,

P
O
são dopadas com o mesmo dopante. Existem dois tipos de transistores: o transistor

-T
NPN e o transistor PNP.

S
O
D
VA
ER
ES

Observe que ocorre, literalmente, um “sanduíche” de um dos materiais pelo outro.

R

Assim, na figura acima, a estrutura do transistor tipo NPN, a região central tem
S

dopagem P(excesso de lacunas), enquanto que na estrutura do transistor tipo PNP, a

TO

região central tem dopagem N (excesso de elétrons). Essas três regiões do transistor
são denominadas emissor, base e coletor.
EI

A região do emissor é densamente dopada e tem como função emitir ou injetar

IR

elétrons na base. A base é uma região muito fina e fracamente dopada que permite
-D

que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe ao coletor. O coletor tem uma
dopagem intermediária, entre a dopagem densa do emissor e a dopagem fraca da
A

base. O coletor é a região mais extensa do transistor e tem a função de coletar

ID

elétrons que passam através da base emitidos pelo emissor, além de dissipar mais
IB

potência que as outras regiões.

O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Observe que cada região tem um terminal a ela conectado. Esses terminais recebem
os nomes das regiões que estão conectadas e têm como função servir de interligação
da estrutura do componente aos circuitos eletrônicos.

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4. Simbologia

S
A simbologia para transistores bipolares tipos NPN e PNP é definida pela norma NBR

TO
12526/92.
As figuras abaixo mostram a estrutura de um transistor NPN e um PNP, bem como a

EN
simbologia equivalente de cada tipo de transistor.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO

Na representação simbólica, o transistor NPN diferencia-se do PNP unicamente pelo

EI

sentido da seta representativa do terminal do emissor.

IR

Alguns transistores são fabricados com blindagens especiais, quando sua aplicação
-D

exigir essa maior proteção. Essa blindagem consiste de um invólucro metálico ao

redor de sua estrutura que tem por função evitar que o funcionamento do transistor
A

seja afetado por campos elétricos e magnéticos do ambiente. No símbolo deste

ID

transistor aparece um quarto terminal, que é ligado à sua blindagem e deve ser
IB

conectado à terra do circuito eletrônico. A figura abaixo mostra a representação

O

simbólica deste tipo de transistor.

PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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5. Funcionamento

S
Para que ocorra a movimentação de elétrons livres e lacunas no interior do transistor é

TO
necessária a aplicação de tensões externas aos terminais do coletor, base e emissor.
O movimento de elétrons livres e lacunas está condicionado à polaridade da tensão

EN
aplicada a cada um dos terminais do transistor; sendo assim, obviamente a polaridade

AM
de funcionamento de um transistor NPN difere da polaridade de funcionamento do
transistor PNP.

N
A estrutura do transistor (uma NPN e outra PNP) propicia a formação de duas junções

EI
entre seus cristais P e N, das quais uma atua no sentido da condução e outra no

TR
sentido do bloqueio. Podemos, portanto, considerar um transistor como dois diodos
ligados.

P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R

Na figura acima você pode observar a formação de duas junções que são comparadas
S

aos circuitos equivalentes com diodos. Essas junções são denominadas junção base-
TO

coletor, que é a junção entre o cristal da base e o cristal do coletor, e junção base-
emissor, que é a junção entre o cristal da base e o cristal do emissor.
EI

Essas junções, quando unidas por um processo de difusão, dão origem a uma barreira
IR

de potencial em cada uma das junções (junções base-coletor e base-emissor).

-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Para que o transistor funcione na região ativa, ou seja, não entrando em corte ou
saturação, é necessário que algumas condições sejam satisfeitas:
• a junção base-emissor deve estar polarizada diretamente;

S
TO
• a junção base-coletor deve estar polarizada inversamente.

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
Obs.: a figura acima representa a polarização de um transistor NPN; para se polarizar
VA
um transistor PNP, a polaridade das baterias deve ser invertida.
ER

A correta polarização do transistor, através de baterias externas dá origem a três

ES

tensões e três correntes entre os terminais do transistor:

R

• Tensão base-emissor (VBE)

S

• Tensão base-coletor (VBC)

TO

• Tensão coletor-emissor (VCE)

EI

• Corrente de base (Ib)

• Corrente de coletor (Ic)
IR

• Corrente de emissor (Ie)

-D

A figura abaixo mostra essas tensões e correntes.

A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R

Obs.: o sentido da seta do emissor indica o sentido convencional da corrente. O

EP

coletor é mais positivo que a base, o que caracteriza a polarização reversa.

R

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6. Correntes do Transistor

S
Aplicando-se tensão à junção base-emissor de um transistor NPN (polarização direta),

TO
o potencial negativo da bateria irá repelir os elétrons do cristal N em direção à base.
Se o valor de tensão da bateria for superior a 0,7 V (cristal de silício) ou 0,3 V (cristal

EN
de germânio), esses elétrons adquirirão energia suficiente para atravessar a barreira

AM
de potencial da junção base-emissor, recombinando-se com as lacunas da base e
dando origem à corrente de base.

N
Devido à pequena espessura e fraca dopagem da base, somente uma pequena

EI
quantidade de elétrons irá se combinar com as lacunas da base. A grande maioria dos

TR
elétrons provenientes do emissor, impulsionados (via campo elétrico externo) pela
fonte DC, se deslocarão através da base para o coletor, dando origem à corrente de

P
coletor.

O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO

Somente uma pequena parte da corrente de emissor é desviada para a base.

EI

A grande parcela da corrente de emissor é coletada pelo coletor.

IR

Tanto a corrente da base como a corrente de coletor provém do emissor; dessa forma,
-D

podemos afirmar que:

A
ID
IB
O
PR

7. Ganho do Transistor
ÃO

Todo transistor tem um ganho de corrente já especificado pelo fabricante, denominado

Ç

beta do transistor (β), que especifica quanto a corrente de coletor será maior que a
U

corrente de base, ou seja:

D
O
R
EP
R

Obs.: beta (β) é o nome dado ao ganho de corrente quando o transistor está
trabalhando com tensão contínua (Vcc); caso trabalhe com tensão alternada (Vca ), o
nome dado ao ganho de corrente será hfe.

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Outra relação de ganho de corrente do transistor é a relação alfa (α), que é

estabelecida entre emissor e coletor. A equação que relaciona essas duas correntes é:

S
TO
EN
AM
N
O valor de alfa (α) sempre será menor que 1, pois a corrente de emissor (Ie) sempre

EI
será maior que a corrente de coletor (Ic).

TR
8. Polarização

P
O
-T
Para assegurar que o transistor trabalhe dentro de limites de corrente e tensão
preestabelecidos, utilizam-se resistores, que são os elementos responsáveis pela

S
polarização dos transistores. A correta polarização através de resistores assegura que

O
um circuito transistorizado funcione no chamado ponto quiescente ou ponto de

D
operação desejado. Os tipos de polarizações mais comuns são: polarização da base
VA
por corrente constante e polarização da base por divisão de tensão.
ER

Antes de detalharmos os dois tipos de polarizações, vamos esclarecer algumas

denominações fornecidas em manuais de fabricantes que são necessárias para o bom
ES

funcionamento do transistor e que, se não forem respeitadas, podem levar o

componente à destruição.
R
S

8.1 Corrente de Coletor-Base com Emissor Aberto

TO
EI

Essa corrente, designada como Icbo, é uma corrente da ordem de alguns

microampères produzida por portadores minoritários na junção base-coletor quando
IR

ela está polarizada inversamente. Apesar de baixa, a corrente Icbo tem que ser levada
-D

em consideração, pois quando o componente é aplicado em ambientes com grande

variação de temperatura, a cada aumento de 10oC, a corrente tem seu valor dobrado.
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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8.2 Corrente de Coletor-Emissor com Base Aberta

Essa corrente é conhecida em manuais como corrente Iceo. Embora a tensão esteja

S
TO
aplicada entre coletor e emissor (entre essas duas regiões do transistor formam-se
duas barreiras de potenciais), se o valor da mesma subir a um patamar máximo

EN
estabelecido, poderá existir um fluxo de corrente através das referidas junções.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
Deve-se ainda observar, nos casos anteriores, os limites de tensões aplicados para a

D
correta polarização, ou seja, na polarização direta não devem ser atingidos os níveis
VA
de ruptura da junção, o que pode destruir o componente.
Essas tensões recebem os nomes de Vcbo (tensão de ruptura entre coletor-base com
ER

emissor aberto) e Vceo (tensão de ruptura entre coletor-emissor com base aberta).
Além desses elementos já citados, os fabricantes de transistores fornecem valores
ES

relacionados à potência, faixa de frequência de trabalho, tensão de alimentação, etc.

R

8.3 Polarização da Base por Corrente Constante

S
TO

O processo mais simples para se polarizar um transistor é a polarização da base por

EI

corrente constante. Esse processo visa a obtenção de uma corrente de base que leve
IR

o transistor ao ponto ideal de trabalho. Analisando o circuito, se não houver corrente

-D

de base e a tensão Vce aumentar até atingir o valor de Vcc, desconsiderando a

corrente Iceo, observa-se nesta condição que não existe corrente fluindo entre coletor
A

e emissor.
ID

Diz-se que este é o estado de corte do transistor ou ponto de corte.

IB

Quanto à saturação do transistor, analisando o circuito, este ponto é atingido quando

houver corrente de base e, consequentemente, a corrente de coletor atingir seu maior
O

valor. Se a corrente que flui do emissor para o coletor é máxima, pode-se afirmar que
PR

a tensão entre coletor e emissor (Vce) é mínima, ou seja, próxima de zero. Este é o
denominado ponto de saturação do transistor. Através das equações seguintes são
ÃO

obtidos os dois pontos nas curvas fornecidas pelos fabricantes de componentes:

Ç
U
D
O
R
EP
R

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A figura abaixo mostra uma curva característica com a reta de carga traçada e um
circuito que será utilizado como exemplo para se determinar os pontos de corte e
saturação do transistor.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR

Ponto de corte:
ÃO

Vce = Vcc = 24 V
Ç
U
D

Esse ponto está localizado na linha horizontal da curva.

O
R

Ponto de saturação:
EP
R

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Esse ponto está localizado na linha vertical da curva. Depois de localizados, esses
pontos devem ser interligados na curva, traçando-se uma reta.
A reta de carga define as possíveis tensões e correntes que o transistor pode assumir

S
TO
em função das correntes de base fornecidas no gráfico de IC x VCE, pois a corrente
de coletor (Ic) e a tensão entre coletor e emissor (Vce) são dependentes da corrente de

EN
base. Esses valores são determinados a partir do encontro da reta de carga com a
curva da corrente de base (Ib) fornecida. Esse ponto é conhecido como ponto

AM
quiescente (Q) e, a partir dele, são traçadas duas retas, uma em direção ao eixo
horizontal e outra em direção ao eixo vertical, determinando assim a tensão entre

N
coletor e emissor quiescente (Vceq) no eixo horizontal e a corrente de coletor

EI
quiescente (Icq) no eixo vertical, como mostra a figura abaixo.

TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

Após traçada a reta de carga, fica determinado o ponto quiescente ou ponto de

funcionamento do transistor e a corrente de base para este ponto.
A
ID

Para se conseguir a corrente de base determinada na reta de carga, deve-se estipular

corretamente o valor ôhmico do resistor de base.
IB

Voltando à analise de um circuito com polarização por corrente de base constante, vê-
O

se que o circuito da base é composto pelo resistor da base e junção base-emissor

PR

ligados em série e alimentados pela fonte; portanto:

ÃO
Ç
U
D

Onde:
O

Vcc: tensão de alimentação;

R

VRb: tensão sobre o resistor da base;

EP

Vbe: queda de tensão na junção base-emissor.

R

Considerando um transistor de silício e a fonte de 24 V, teremos:

Vcc = VRb + Vbe

VRb = Vcc - Vbe

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VRb = 24 V - 0,7 V (queda da junção base-emissor)

VRb = 23,3 V
Admitindo que a corrente de base determinada na curva do fabricante seja 0,2 mA,
teremos:

S
TO
EN
AM
N
EI
Rb = 116.500 Ω ou 116,5 kΩ ⇒ valor do resistor da base.

TR
P
Obs.: normalmente os valores de resistores da base são altos, na faixa de kΩ e MΩ,

O
pois as correntes envolvidas são de valores baixos, na faixa de mA e µA.

-T
8.4 Polarização da Base por Divisor de Tensão

S
O
Nesta polarização é utilizado um divisor de tensão na base do transistor, padronizando

D
VA
diretamente a sua junção base-emissor (figura abaixo).
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

Este método de polarização é o mais usual e a determinação dos resistores é feita

A

mediante algumas considerações para assegurar que o transistor tenha um bom

ID

funcionamento.
IB

Considera-se a corrente de emissor (Ie) igual à corrente de coletor (Ic), a queda de

tensão sobre o resistor de coletor (VRC) igual à metade da tensão de alimentação, a
O
PR

queda de tensão sobre o resistor de emissor (VRE) como igual a 10% da tensão de
alimentação e a corrente do divisor (I) deve ser igual a 10% da corrente de coletor.
ÃO

Todas essas considerações são válidas para transistores com beta (β) acima de 100.
Teremos então:
Ç
U
D
O
R
EP
R

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A figura abaixo é um exemplo de circuito que mostra como são determinados os

elementos polarizadores, ou seja, os resistores RC, RE, Rb1 e Rb2.

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
Obs.: é importante notar que a presença de um resistor de emissor assegura ao
circuito uma melhor estabilidade térmica.

S
O
D
Para a determinação dos elementos polarizadores, devem ser conhecidos os valores
VA
de tensão de alimentação (Vcc), corrente de coletor (Ic) e queda de tensão sobre o
resistor de coletor (VRC).
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR

Cálculo de Rb1:
-D

O circuito é igual ao da figura abaixo, porém com a fonte de alimentação em outra

A
ID

posição. Aplicando-se a 2ª lei de Kirchoff à malha formada pela fonte de alimentação,

tensão sobre os resistores Rb1 e Rb2, teremos:
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES

Então:
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Conforme os cálculos dos resistores, o circuito deve ser montado como mostrado na
figura abaixo:

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S
TO
EN
AM
N
EI
TR
Obs.: foram considerados valores comerciais para os resistores.

P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Exercícios para Memorizar.

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1 - Desenhe o símbolo de um transistor tipo PNP e um NPN.

S
TO
EN
AM
N
2 - Quantas junções tem um transistor?

EI
TR
( ) a) 1
( ) b) 2

P
O
( ) c) 3

-T
( ) d) 0
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

S
O
3 - Quais são as funções básicas de um transistor?

D
VA
ER
ES
R
S
TO

4 - Relacione as colunas:
EI

( a ) Tipos de transistores ( ) Barreira de potencial de 0,7 V

IR

( b ) Transistor de germânio ( ) PNP e NPN

-D

( c ) Transistor de silício ( ) Barreira de potencial de 0,3 V

( d ) Junção base-emissor ( ) Polarização inversa
A

( e ) Junção base-coletor ( ) Polarização direta

ID
IB

5 - A região do coletor:
O
PR

( ) a) é uma região fina de baixa dopagem;

( ) b) é a mais extensa das três regiões, com dopagem intermediária;
ÃO

( ) c) é a mais dopada das três regiões;

( ) d) não deve dissipar calor;
Ç

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

U
D

6 - Quais são os nomes dos terminais do transistor?

O
R
EP
R

7 - Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as falsas:

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a) ( ) Os transistores PNP e NPN devem ser polarizados da mesma maneira.

b) ( ) A corrente de base controla a corrente de coletor do transistor.
c) ( ) O beta do transistor define o seu ganho de corrente.
d) ( ) A região do emissor do transistor é a mais dopada.

S
TO
8 - A seta do símbolo do transistor define:

EN
( ) a) quem é o coletor;
( ) b) quem é a base;

AM
( ) c) o sentido real da corrente do coletor;
( ) d) o terminal do emissor e indica o sentido convencional da corrente;

N
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

EI
TR
9 - Para que o transistor funcione, como devem ser polarizadas as junções base
emissor e base-coletor?

P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES

10 - Sabendo-se que um transistor tem seu beta igual a 100 e sua corrente de base
igual a 20 μA, qual é o valor de sua corrente de coletor?
R
S
TO
EI
IR
-D
A

11 - Quais são os tipos mais comuns de polarização de transistores?

ID
IB
O
PR
ÃO
Ç

12 - A reta de carga define:

U
D

( ) a) o ponto quiescente do transistor;

O

( ) b) se o transistor vai trabalhar cortado ou saturado;

R

( ) c) o tipo de polarização usada;

EP

( ) d) a tensão sobre o resistor do emissor;

R

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

13 - Esquematize o circuito e calcule o resistor da base para que esse circuito funcione

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com um transistor de silício com os seguintes dados:

β = 150
Ic = 15 mA
VRC = 15 V

S
TO
Vcc = 30 V

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
14 - Relacione as colunas:

D
( a ) Ponto de saturação
VA
( ) Melhora a estabilidade do circuito
( b ) Ponto de corte ( ) Tipo de polarização mais usada
ER

( c ) Divisor de tensão ( ) Corrente de coletor a um valor máximo

ES

( d ) Resistor de emissor ( ) Corrente de coletor igual a zero

R

15 - Faça o esquema e determine os valores de RC, RE, Rb1 e Rb2 para que o circuito
S

funcione com um transistor de silício com os seguintes dados:

TO

β = 100
EI

Ic = 80 mA
IR

Vcc = 24 V
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 07 – TRANSISTORES COMO CHAVE

Introdução

S
TO
EN
Nesta lição você irá conhecer o funcionamento do transistor como chave, uma das
aplicações mais utilizadas para este componente. É importante que você tenha

AM
conhecimento do funcionamento do transistor e das suas polarizações, para um
perfeito entendimento deste conteúdo.

N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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1. Estados do Transistor

Nos circuitos de comutação com transistores são considerados dois estados estáticos:
o estado ligado (on) e o estado desligado (off). O estado ligado (transistor saturado) é

S
caracterizado por uma tensão Vce próxima de zero e uma corrente de coletor

TO
relativamente alta, de acordo com a carga a ser comutada.

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
O estado desligado (transistor cortado) é caracterizado por uma tensão Vce próxima de
Vcc e uma corrente de coletor próxima de zero.

S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI

Destacamos algumas aplicações para o transistor operando como comutador (chave

eletrônica):
IR

• acionamento de lâmpada;
-D

• acionamento de bobinas de relés, para a comutação de cargas em tensão alternada;

• acionamento de transformadores em fontes chaveadas;
A

• acionamento do transformador de saída horizontal nos televisores e monitores de

ID

vídeo;
IB

• acionamento de cargas com tensões diferentes da tensão do circuito de controle.

O
PR

Em todos os casos o transistor é empregado quando a corrente da carga é superior

àquela fornecida pelo circuito de controle.
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

Exemplo: a figura acima mostra o acionamento de uma lâmpada de 127V, 60W a partir
de um circuito eletrônico alimentado em 12 Vcc.

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2. Funcionamento do Transistor como Chave

No exemplo da figura acima, o circuito eletrônico fornece a corrente de polarização

S
para Q1. A corrente de polarização deve ser suficientemente alta para colocar o

TO
transistor na região de saturação.
Com o transistor em saturação a corrente de coletor atinge o seu valor máximo,

EN
acionando a bobina do relé. Os contatos do relé, por sua vez, acionam o circuito de

AM
127 V, fazendo a lâmpada acender. O diodo D1 protege o transistor contra tensões
reversas geradas pela bobina do relé. Como em todas as aplicações, devem ser

N
levadas em consideração as características elétricas do transistor antes de aplicá-lo

EI
ao circuito, caso contrário ele será danificado.

TR
2.1 Escolha do Transistor

P
O
Algumas perguntas devem ser feitas para a escolha do transistor:

-T
Que tipo de carga o transistor vai chavear?

S
No exemplo anterior o transistor irá chavear um relé com bobina em 12 Vcc e corrente

O
de 40 mA. Portanto, o transistor deve suportar uma corrente de coletor (Ic) superior a

D
40 mA. VA
ER

Qual é a tensão da carga?

A carga (bobina do relé) opera com uma tensão de 12 Vcc. Portanto, o transistor deve
ES

possuir uma tensão entre coletor e emissor (Vce) superior a 12 Vcc. Pesquisando nos
R

manuais técnicos dos fabricantes encontramos vários modelos de transistores que se

enquadram na necessidade do circuito. O transistor BC547, NPN de uso geral, tem as
S
TO

seguintes características:
EI

• tensão Vce: 50 V;
IR

• corrente de coletor: 100 mA;

• ganho de corrente: entre 110 e 800.
-D

2.2 Cálculo do Resistor Rb

A
ID

O valor do resistor Rb deve ser calculado de modo que a corrente de base seja
IB

suficiente para colocar o transistor em saturação. Como o ganho do transistor varia

O

entre 110 e 800, uma regra é adotada para garantir a saturação do transistor.
PR

Considera-se como corrente de base um valor 10 vezes superior à corrente mínima

necessária para o transistor saturar. No pior caso, o transistor apresenta um ganho de
ÃO

110, portanto, a corrente de base será de:

Ç
U
D
O
R
EP

Onde:
R

Ic: corrente da carga (40 mA);

β: ganho mínimo do transistor;
Ib: corrente de base.
Ib = 0,04/110
Ib = 0,00036 A ou 360 μA

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Aplicando-se a regra, a corrente de base será:

Ib = 10 . 360 μA = 3.600 μA
Ib = 3,6 mA

S
TO
Utilizando a fórmula para cálculo de polarização
por corrente de base constante, temos:

EN
Rb = Vcc – Vbe/Ib

AM
Rb = 12 - 0,7 / 0,0036
Rb = 11,3/0,0036

N
EI
Rb = 3.138 ohms

TR
Atribuindo um valor comercial mais próximo, temos:

P
O
Rb = 3,3 kΩ

-T
Outros exemplos:

S
O
1) Acionamento de carga com tensão diferente do circuito de comando.

D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D

Nesta condição é indispensável que exista um ponto em comum entre as duas fontes,
no caso o pólo negativo.
A
ID

2) Acionamento de motores CC.

IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Exercícios para Memorizar.

S
TO
1 - O transistor saturado é caracterizado por tensão Vce igual:

EN
( ) a) à tensão Vcc e corrente Ic igual à corrente máxima;

AM
( ) b) a 0 volt e corrente Ic igual à corrente mínima;
( ) c) a 0 volt e corrente Ic igual à corrente máxima;

N
( ) d) à tensão Vcc e corrente Ic igual à corrente mínima;

EI
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

TR
2 - O transistor cortado é caracterizado por tensão Vce igual:

P
O
( ) a) à tensão Vcc e corrente Ic igual à corrente máxima;

-T
( ) b) a 0 volt e corrente Ic igual à corrente mínima;

S
( ) c) a 0 volt e corrente Ic igual à corrente máxima;

O
( ) d) à tensão Vcc e corrente Ic igual à corrente mínima;

D
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores. VA
3 - No circuito da figura abaixo, qual é o valor comercial mais adequado para o resistor
ER

Rb?
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A

( ) a) 2,2 kΩ
ID

( ) b) 5,6 kΩ
IB

( ) c) 6,8 kΩ
O

( ) d) 10 kΩ
PR

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

ÃO

4 - Quando o transistor comuta cargas com tensões diferentes da tensão de controle,

é necessário que:
Ç
U
D

( ) a) as duas fontes sejam totalmente independentes;

O

( ) b) haja um ponto em comum entre as fontes;

R

( ) c) a tensão Vce do transistor seja igual à tensão de controle;

EP

( ) d) não é possível este tipo de ligação;

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.
R

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5 - No circuito da figura 92 qual é a função do diodo D1?

S
TO
EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
( ) a) Garantir a saturação do transistor.
ER

( ) b) Garantir o corte do transistor.

( ) c) Proteger o transistor contra tensões reversas.
ES

( ) d) Polarizar o coletor do transistor.

R

( ) e) Nenhuma das alternativas anteriores.

S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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LIÇÃO 08 – AMPLIFICADORES

S
TO
Introdução

EN
AM
Nesta lição você conhecerá o funcionamento do transistor como amplificador e as
classes de amplificação. Sugerimos que você recorde o funcionamento dos

N
transistores e também os conceitos sobre impedâncias.

EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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1. Configuração do Transistor

O transistor é um componente que controla uma corrente alta através de uma corrente
baixa. Por esse princípio, o transistor deveria possuir quatro terminais, dois para a

S
corrente controladora e dois para a corrente controlada.

TO
EN
AM
N
EI
Como o transistor possui três terminais, sua aplicação nos circuitos eletrônicos é feita

TR
de forma que um dos terminais pertença à entrada e à saída, simultaneamente.

P
1.1 Configuração Emissor-Comum

O
-T
Nesta configuração o terminal do emissor é comum à entrada e à saída.

S
O
D
VA
ER
ES
R

1.2 Configuração Base-Comum

S
TO

Nesta configuração o terminal da base é comum à entrada e à saída.

EI
IR
-D
A
ID
IB
O

1.3 Configuração Coletor-Comum

PR

Nesta configuração o terminal do coletor é comum à entrada e à saída.

ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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2. Amplificadores de Pequenos Sinais

2.1 Amplificação

S
TO
A amplificação é um processo que tem o objetivo de aumentar a intensidade de um
sinal em níveis de tensão ou de corrente.

EN
Um amplificador deve reproduzir na saída o sinal aplicado na entrada, mantendo as

AM
mesmas características de frequência e forma.

N
2.2 Sinal Elétrico

EI
TR
Sinal elétrico é qualquer variação de tensão ou corrente por meio da qual se conduz
uma informação.

P
O sinal elétrico pode ser proveniente de várias fontes, tais como: microfones,

O
captadores, cápsulas de gravação /reprodução, antenas, etc.

-T
Pode ser puro ou variar sobre um nível de tensão CC.

S
2.3 Amplificador Emissor-Comum

O
D
VA
O amplificador emissor-comum é largamente empregado, pois apresenta elevado
ganho de tensão e de corrente, ou seja, consegue amplificar um sinal elétrico em
ER

níveis de tensão e de corrente. Sua configuração básica é apresentada na figura

abaixo.
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO

Os resistores Rb1, Rb2, RC e RE são responsáveis pela polarização do transistor.

Os capacitores C1 e C2 são responsáveis pelo acoplamento do amplificador com a
Ç
U

fonte de sinal e com os estágios seguintes. O acoplamento por meio de capacitores

D

ou de transformadores é necessário para evitar a incidência de um nível de tensão CC

O

que possa alterar a polarização do transistor, tirando-o do seu ponto quiescente.

R

Foi estudado na polarização por divisor de tensão na base que a inclusão do resistor
EP

RE aumenta a estabilidade térmica do circuito, ou seja, o transistor tende a manter sua

polarização, independentemente das variações de temperatura.
R

No amplificador emissor comum o resistor RE causa uma queda no ganho do circuito,

prejudicando o seu desempenho. Acrescentando-se um capacitor em paralelo com o
resistor RE, chamado de capacitor de desacoplamento, obtém-se um estágio
amplificador com boa estabilidade térmica e ganho elevado. Quando o amplificador

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estiver sem sinal de entrada, o capacitor se comporta como um circuito aberto não
interferindo na polarização.
Na presença de um sinal de entrada, o capacitor se comporta como um curto-circuito
(recorde o conceito de reatância capacitiva), fazendo com que o emissor do transistor
fique conectado à massa do circuito.

S
TO
Pelo gráfico da figura abaixo, verifica-se a influência do sinal aplicado à base, sobre a
tensão Vce e a corrente Ic.

EN
AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER

2.3.1 Funcionamento
ES

No momento em que o sinal aplicado à entrada do amplificador for positivo, ocorre um

R

aumento na corrente de base, aumentando a corrente de coletor e diminuindo a

S

tensão Vce.
TO

No momento em que o sinal de entrada for negativo, ocorre uma queda na corrente de
EI

base, que por sua vez provoca uma queda na corrente de coletor e um aumento na
tensão Vce. Comparando os sinais de entrada e saída do amplificador, observa-se
IR

uma inversão de fase entre esses sinais.

-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Concluindo, em um amplificador emissor comum o sinal de saída está defasado 180o

em relação ao sinal de entrada.
2.3.2 Características do Amplificador Emissor-Comum

S
TO
• Ganho de corrente: alto (dezenas de vezes).
• Ganho de tensão: alto (dezenas de vezes).

EN
• Impedância de entrada: média (centenas de ohms).
• Impedância de saída: alta (centenas até milhares de ohms).

AM
2.4 Amplificador Coletor-Comum

N
EI
O amplificador coletor-comum possui um elevado ganho de corrente e um ganho de

TR
tensão unitário, ou seja, ele amplifica o sinal em nível de corrente, porém não amplifica
em nível de tensão. Devido a esta característica, o amplificador coletor-comum

P
O
também é chamado de seguidor de tensão. Sua utilização é feita nos estágios finais

-T
de amplificadores de potência e também em fontes reguladas. A configuração básica é
apresentada na figura abaixo.

S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI
IR
-D
A
ID

Os capacitores C1 e C2 são responsáveis pelo acoplamento dos sinais do amplificador,

enquanto os resistores Rb e Re, pela polarização do transistor.
IB
O

2.4.1 Funcionamento
PR

Quando um sinal positivo é aplicado à entrada do amplificador coletor-comum, a

ÃO

corrente de base aumenta, aumentando também a corrente de coletor. O aumento da

Ç

corrente de coletor faz com que aumente também a queda de tensão no resistor Re.
U

No momento em que o sinal de entrada é negativo, ocorre o processo inverso. A

D

corrente de base, a corrente de coletor e a tensão sobre o resistor Re diminuem.

O

A variação na tensão de saída ocorre na mesma proporção que a variação da entrada.

R

Por esse motivo o circuito é chamado de seguidor de tensão.

EP

Neste caso não acontece a inversão de fase do sinal de saída em relação ao sinal de
entrada, como no amplificador emissor-comum.
R

2.4.2 Características do Amplificador Coletor-Comum

• Ganho de corrente: alto.

• Ganho de tensão: aproximadamente unitário.

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• Impedância de entrada: alta (centenas até milhares de ohms).

• Impedância de saída: baixa.

2.5 Amplificador Base-Comum

S
TO
O amplificador base-comum é uma configuração de amplificador que apresenta alto
ganho de tensão. Seu funcionamento baseia-se na modificação da tensão Vbe pelo

EN
sinal de entrada. O diagrama da figura abaixo mostra o amplificador base-comum.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
ER

Os resistores Re, Rc, Rb1 e Rb2 são responsáveis pela polarização do transistor. Os
ES

capacitores C1 e C2 são responsáveis pelo acoplamento dos sinais do amplificador,

R

enquanto C3 efetua o desacoplamento dos sinais.

S

2.5.1 Funcionamento
TO
EI

Os resistores Rb1 e Rb2 são responsáveis pela aplicação de uma tensão fixa à base
IR

do transistor. Quando um sinal positivo é aplicado à entrada do amplificador, a tensão

no emissor aumenta, diminuindo a tensão Vbe. Com a redução na tensão Vbe a
-D

corrente de base também diminui, reduzindo a corrente de coletor. A queda na

corrente de coletor faz a tensão Vce aumentar e, com isso, uma pequena variação no
A
ID

sinal de entrada em nível de tensão faz com que a tensão de saída varie bastante.
No caso da aplicação de um sinal negativo o processo ocorre de maneira inversa.
IB

Nos estágios amplificadores em base-comum, o sinal de saída em nível de tensão

O

está em fase com o sinal de entrada, enquanto que as variações de corrente estão
PR

defasadas em 180o. Os amplificadores base-comum são empregados em

amplificadores de RF nos receptores, devido ao seu alto ganho de tensão.
ÃO

2.5.2 Características do Amplificador Base-Comum

Ç
U
D

• Ganho de corrente: aproximadamente unitário.

O

• Ganho de tensão: alto (dezenas até centenas de ohms).

R

• Impedância de entrada: baixa (dezenas de ohms).

EP

• Impedância de saída: alta (dezenas até centenas de kΩ).

R

3. Amplificadores de Potência

Um amplificador deve amplificar linearmente um sinal aplicado à sua entrada sem

alterar as suas características iniciais. Um bom amplificador deve reproduzir uma faixa

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de frequência entre 20 Hz e 20 kHz (faixa de áudio). Para isto, os amplificadores são

especificados por classes de operação.

3.1 Classes de Amplificadores

S
TO
De acordo com a sua configuração os amplificadores são divididos em tipos de

EN
classes de operação.

AM
3.1.1 Amplificador Classe A

N
O amplificador classe A é caracterizado pela amplificação de todo o sinal de entrada

EI
por um único transistor. Essa configuração é semelhante ao amplificador emissor-

TR
comum.

P
O
-T
S
O
D
VA
ER
ES
R
S
TO
EI

A desvantagem do amplificador classe A é a de consumir corrente da fonte, mesmo

IR

sem sinal na entrada, pois o transistor fica polarizado no centro da reta de carga.
O sinal de saída no amplificador classe A está defasado 180° em relação ao sinal de
-D

entrada.
A

3.1.2 Amplificador Classe B

ID
IB

O amplificador classe B usa dois transistores no estágio final, um PNP e outro NPN,
O

cada um responsável pela amplificação de um semiciclo do sinal de entrada.

PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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No amplificador classe B é importante que os dois transistores tenham as mesmas

características, caso contrário ocorrerá distorção do sinal.

3.1.3 Amplificador Classe AB

S
TO
O amplificador classe AB utiliza dois transistores iguais no estágio final de
amplificação. O acoplamento é feito por meio de um transformador driver, que inverte

EN
os sinais de maneira que apenas um transistor amplifique um semiciclo.

AM
N
EI
TR
P
O
-T
S
O
D
VA
Este tipo de amplificador é utilizado nos módulos de potência automotivos, devido à
ER

sua simplicidade e alto desempenho.

ES

3.1.4 Amplificador Classe C

R
S

Neste tipo de amplificador, menos da metade do sinal de entrada é amplificado, sendo

TO

o restante recuperado por bobinas, capacitores e resistores, ligados em paralelo. Este

tipo de amplificador é utilizado para amplificar sinais de alta frequência, muito
EI

empregado, portanto, nos estágios finais de transmissores.

IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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4. Distorção nos Amplificadores

4.1 Distorção Harmônica

S
A distorção harmônica ocorre quando um amplificador consegue amplificar a onda

TO
fundamental, porém não reproduz corretamente os harmônicos desse som. Neste
caso, os sons produzidos são desagradáveis, já que os harmônicos estão sendo

EN
deteriorados.

AM
4.2 Distorção por Cross-Over

N
EI
É um tipo de distorção que se manifesta nos amplificadores em volume baixo, quando

TR
os transistores de saída não são polarizados corretamente.

P
4.3 Distorção por Intermodulação

O
-T
Ocorre com mais frequência nos aparelhos transistorizados, devido ao tempo de
resposta do amplificador ser diferente para as diversas frequências.

S
O
4.4 Distorção em Alto Volume

D
VA
É um tipo de distorção que se manifesta quando o volume do amplificador está no
ER

máximo. Este tipo de distorção pode ser evitado usando-se o recurso da

realimentação negativa ou positiva. Na realimentação negativa o sinal é amplificado
ES

invertido e aplicado à entrada do circuito. Na realimentação positiva parte do sinal de

R

saída retorna à entrada sem inversão.

A realimentação positiva deve ser evitada, pois pode ocorrer o efeito microfonia, que
S
TO

ocorre quando o microfone está próximo ao alto-falante e se caracteriza por um apito

alto e contínuo.
EI
IR
-D
A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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Exercícios para Memorizar.

1 - Quais são as configurações possíveis para os transistores?
( ) a) Base-comum, coletor-comum, ânodo-comum.

S
( ) b) Base-comum, emissor-comum, cátodo-comum.

TO
( ) c) Base-comum, coletor-comum, emissor-comum.

EN
( ) d) Emissor-comum, coletor-comum, cátodo-comum.
( ) e) Nenhuma das alternativas anteriores.

AM
2 - A variação de tensão ou corrente que carrega uma informação é:

N
( ) a) corrente elétrica;

EI
( ) b) sinal elétrico;

TR
( ) c) tensão elétrica;
( ) d) resistência elétrica;

P
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

O
-T
3 - Nos amplificadores, os capacitores de acoplamento servem para:

S
( ) a) impedir a passagem de tensões contínuas que possam alterar a polarização do

O
transistor;

D
( ) b) aumentar o ganho do amplificador; VA
( ) c) impedir a passagem de sinais elétricos;
( ) d) reduzir a dissipação do transistor;
ER

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

ES

4 - Em um amplificador emissor-comum o sinal de saída está:

R

( ) a) em fase com o sinal de entrada;

S

( ) b) defasado 90o em relação ao sinal de entrada;

TO

( ) c) defasado 180o em relação ao sinal de entrada;

( ) d) defasado 270o em relação ao sinal de entrada;
EI

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

IR
-D

5 - Ganho de corrente alto, ganho de tensão alto, impedância de entrada média e

impedância de saída alta são características de qual amplificador?
A
ID

Resp:
IB
O
PR
ÃO

6 - Ganho de corrente unitário, ganho de tensão alto, impedância de entrada baixa e

Ç

impedância de saída alta são características de qual amplificador?

U
D

Resp:
O
R
EP
R

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7 - Ganho de corrente alto, ganho de tensão unitário, impedância de entrada alta e

impedância de saída baixa são características de qual amplificador?

Resp:

S
TO
EN
AM
N
8 - A distorção que ocorre nos amplificadores em baixo volume é chamada de:

EI
( ) a) distorção por intermodulação;

TR
( ) b) distorção por cross-over;
( ) c) distorção harmônica;

P
O
( ) d) distorção em alto volume;

-T
( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

S
9 - A distorção que ocorre nos amplificadores devido ao atraso do sinal em

O
determinadas frequências é chamada de:

D
( ) a) distorção por intermodulação; VA
( ) b) distorção por cross-over;
( ) c) distorção harmônica;
ER

( ) d) distorção em alto volume;

ES

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

R

10 - A classe de amplificadores em que o transistor é responsável pela amplificação

S

de todo o sinal de entrada é:

TO

( ) a) classe C;
( ) b) classe AB;
EI

( ) c) classe B;
IR

( ) d) classe A;
-D

( ) e) nenhuma das alternativas anteriores.

A
ID
IB
O
PR
ÃO
Ç
U
D
O
R
EP
R

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