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volume V - número 30 - novembro/dezembro 1968

diretor responsável
Adalberto Miehe
íNDICE
redotor chefe
Alfredo Fronke
secretário NOTíCIAS DO MUNDO 350
Fausto P. Chermont
expediente AMPLIFICADOR PARA FONE DE CRISTAL 357
M. Gerez
consultores LIVROS 359
eng. Tomos Hojnol
eng. Luciano Klioss
desenhos SEMICONDUTORES: Ge, Si ou GaAs? 360
Alcides J. Pereira
publicidade O GERADOR DE RF (conclusão) 367
D. Gomes
circulo~ão OSCILADORES RC POR DESLOCAMENTO DE FASE 369
E. R. Yiserto
fotografias SERVIÇOS DE UM LDR 370
Fotolobor Ltdo.
clichis
PREAMPLIFICANDO COM SILíCIO 375
Clicherio Unido S. A.
servi~os gráficos
A ESTABILIZAÇÃO DE TENSõES COM
Escolas Profissionais Salesianos
SEMICONDUTORES 379
distribui~ão exclusivo
paro todo a Brasil
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R. Teodoro do Silvo, 907 DE TV TRANSISTORIZADO.S 383
Rio de Janeiro
distribui~ão em Portugal TIRISTORES EM APARELHOS
e Provincial Ultramarinas ELETRODOMÉSTICOS 391
Centro do Livro Brasileiro Ltdo .
R. Rodrigues Sampaio, 30-B
FOTõMETRO ELETRôNICO TRANSISTORIZADO 395
Lisboa
proprietários e edit&re1
ETEGIL OS ATENUADORES 399
Ed. Técnico-Gráfico Industrial Ltdo.
reda~ão e administra~ão OFICINA 402
R. Sto. lfigên io, 180
Tel. 35-4006 - C. P. 30 869
São Paulo - Brasil íNDICE GERAL PARA 1968 405
PREÇOS
Exemplar avulso . . . . . . NCr$ 1,70
N.0 at rasado .. . . . .. . NCr$ 1,70 T6da• • • apllcaç6e• aqui de•crlta•, utilizam mate-
ASSINATURA 1 ANO rial• fAcilmente encontrado• no mercado naci onal.
Os artigos assinados sao de exclusiva responsabilidade de seus
Registrada . . . . . . . . . NCr$ 8,50 autores. r: vedada a reproduçao dos textos e das llustracoes
Aéreo Registrada . . . . . NCr$ 12,00 publicados nesta revista, salvo mediante autorlzaçao por escri·
to da redaçao.
ASSINATURA 2 ANOS
Registrada . . . . . . . . . NCr$ 15,00
Aéreo Reg istrada . . . . . NCr$ 22,00
ASSINATURA 3 ANOS Moderníssimo equipamento de gravação/re-
produção de "video-tape" instalado nos es-
Registrada . . . . . . . . . NCr$ 21,00 túdios do Canal 2 - São Paula, pertencen-
Aérea Registrada . . . . . NCr$ 31 ,00 te à Fundação Padre Anchieto e que, a
As assinaturas deverão ser enviados partir do início de 1969 estará realizando
para suas transmissões da televisão educativa na
ETEGIL - C. P. 30869 - S. Paulo capital bandeirante.
 MARIO SUGANUMA
Escola Técnica Bandeirantes

O ampiificador de áudio que FIG. 2

apresentaremos a seguir não
possui propriamente uma apli-
cação específica. Poderá ser uti-
lizado em casos onde se neces-
site de um amplificador de baixa
potência, porém alto fator de
amplifi<:ação, como em pontes visto na figura 2. Entretanto,
de medição que utilizem c.a. Com aqui desejamos impedância de
um microfone, pode S'!rvir co- entrada elevada, por isso esco-
mo brinquedo. lhemos R., resistor de emissor,
de 2,2 kohms, que faz refletir
na entrada uma resistência de
Descrição e projeto algumas centenas de quiloohms.
1) estágio de saída - na fi-
gura I temos o circuito b.lsico Pré-estabelecemos também que
É composto soment: por dois
modernos transistores de silício de polarização do estágio de saí- VcE = 3,0V e Ic = 0,3mA com
planar epitaxial, BC108. A mon- da. A fonte Voa está fixada em Vos = 6,0V. Fàcilmente calcula-
tagem é estritam ~ nte convencio- 6.0 volts; escolhendo-se como mos R, iqual a 6,8 kohms. Im-
nal com emissor à massa . A car- p:;nto de trabalho para T, como pondo-se R, = 680 kohms che-
ga é um fone auricular a cris- sendo VcE = 3,0V e Ic = 0,4 gamos a R, = 220 kohms. Impe-
mA, calculamos o valor de R, dfmcia de entrada (medida em
tal comumente disponível na l.OOOHz) foi da ordem de I 20
praça; sua impedância é de 35 (carga CC de T,) e encontramos
6,8 kohms, pois R, pode s:r fi- kohms.
kohms a 1kHz, porém êsse va-
lor é aproximadamente constan- xado em 500 ohms por conve-
niência quanto à melhor estabi- 3) amplificador completo
te na faixa de audiofreqüências na figura 3 está esquematizado
porque o fone é a cristal. Gosta- lidade térmica e quanto à menor
variação de polarização do es- o amplificador global com aco-
ríamos de esclarecer que será plamentos AC. Os capacitares
tágio ao se trocar o transistor (o
apresentado apenas o encami- estão calculados de modo a s ~
nhamento de projeto, abst~ndo­ hfE do BC108 assume valores
e!ltr~ I ~5. e 500). Como a po- ter resposta em freqüência con-
-nos das minúcias por não ser es- venknte. Assim é que C, = 50
tencia d1ss1pada no coletor é mui-
ta a finalidade precípua dê>t·: to baixa, toleramos um valor 1.1-': desacopla R, qualquer que
trabalho. elevado para o fator S de esta- seja a freqüência dentro da fai-
bilidade; assim sendo c adotando- xa de operação do amplificador;
-se para R; o valor 180 kohms C, limita a freqüência de corte
calculamos R, = 27 kohms. . ' superior em 5.000 Hz; C, C, e
C, foram adotados de modo a
2) estágio excitador - adota- se obte r fr;:qüência de corte infe-
mo,s _ configur~ção análoga à do rior da ordem de I 50 Hz.
estagiO de sa1da; isto pode ser

Desempenho

lnjetando-se IOmV (valor

eficaz) em 1. 000 Hertz na base
FIG. 1 de T, e com o fone (carga) co-

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 357

 FIG. 3

sário usar Ro da ordem de alguns

+
BAT = 6V
Mohms (diríamos 3,3 Mohms).
Dessa forma não estaremos ul-
trapassando os 10mV máximos
na bas: de T" além de propor-
cionarmos alta impedância de
carga para o microfone que, por
ser de cristal, tem alta impedân-
cia interna. A montagem em blo-
•viDE TEXTO
cos seria a da figura 5.

nectado na saída, foram obtidos General Radio medimos Cr..., = LISTA DE MATERIAL
os valores enumerados na tabe- =
= 22 pF e Rr.,... 35 kohms. A
la I. máxima tensão de saída em 1.000 Resistores:
Hertz, rem distorção aparente, foi
lida em VF = 1,5 volts (valor Ro vide texto
TABELA I eficaz). Isto pôsto, temos que a R, 680 kohms, de carbono,
potência de saída vale: 1/8W, 10%
Freq. Tensão na Ganho de
Carga Tensão R, 220 kohms, de carbono
(Hz)
(vêzes)
V,' (1,5)' 1/8W, 10%
(mV) Ps = = 64IJ.W R, 6,8 kohms, de carbono,
850 85 RF 35.10'
100 I/8W, 10%
200 1.250 125 R, 2,2 kohms, de carbono,
300 1.400 140 Na V\!rdade para um fone de
ouvido êsse nível de potência já 1/8W, 10%
400 1.460 146
R, 180 kohms, de carbono,
soo 1.500 150 é suficiente. Considerando que
a sensibilidade de 1O mV e a 1/8W, 10%
. 600 1.500 150
800 1.500 150 impedância de 120 kohms de R. 27 kohms, de carbono,
1.000 1.500 150 entrada são relativamente altas, I/8W, 10%
2.000 1.400 140
3.000 1.300 130
4.000 1.150 115
5.000 1.100 110
6.000 1.000 100 FIG. 5
7.000 950 95
8.000 I 850 85

A característica de resposta
em freqüência obtida a partir da ésse amplificador poderia ser R, 6,8 kohms, de carbono,
Tabela I está representada na excitado por diferentes disposi- 1/8W, 10%
figura 4. O ganho nos pontos tivos. Como sugestão, opinamos R, 470 kohms, de carbono,
- 3dB será portanto de 105 vê- por um simples microfone de 1/8W, 10%
z:s, ou seja, 150/ v2. Nestas cristal que é de baixo custo.
condições, a faixa de passagem Pelo fato de êste tipo de mi-
está compreendida entre 140 e crofone apresentar alto nível Capacitares:
5.400 Hertz. O fone é pràtica- de tensão de saída (algumas
mente uma carga resistiva, pois centenas de milivolts, talvez 300 c, = 100nF, poliester, 250V
numa ponte de impedâncias da ou 400 mV), torna-se neces- c, = 100nF, poliester, 250V
c, 100nF, poliester, 250V
! 60 ,-------,--~...,,-,--:,-------.,.---,
.' I
c, = SOIJ.F, eletrolítico, 6,4V
!50 - c, = 3,3nF, cer. tubular, SOOV
,40 - - ____.;,_~- -: -- ---

!30 .. Transistores:
~
'.! 120 . T, = BC108
T,- BC108
FIG. 4
Diversos:
'-~~-+~- --- ------ -L__...;. __ -+'-r~rr
tiO -
--.____ :_ ____-;:_:~ --! ___!_~~~ Fone - fone de cristal (alta im-
' : : ' pedância)
70 - - . :--p-Tf----L--:- L_:_;-' · Mf - microfone de cristal (cáp-
''' sula "S" Eletroacústica)
100 1.000
-t(Hzl
Bat. - 4 pilhas de l,SV tipo la-
piseira (ou miniatura)

358 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

PHILIPS POCKETBOOK REPARACióN DE APARATOS ELECTRONICOS

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cipais característicos e dados técnicos dos componen-
tes eletrônicos do linho Philips.
Abrange o linho de válvulas (receptoras e am- Como explica o autor no prefácio, não se tra-
plificadoras, normais e especiais; de raios catódicos; ta de um texto corrente, mas de um manual auto-
de cotado frio; dispositivos fotocondutores; trans- didático programado, poro uso pessoal. Embora as
missoras; tirotrons e ignitrons; retificadoros indus- páginas sejam numerados consecutivamente, não pre-
triais; de micro-ondas; poro equipamento nuclear e cisam, necessàriomente ser estudados no mesmo se-
outras) - Semicondutores (diodos de germânio e quência . Cada problema admite várias soluções, cer-
silício; tiristores; transistores; miscelâneas) - Com- tos ou errados, uma dos quais deve ser escolhido.
ponentes e materiais (capacitares; resistores; soque- Procurado na página indicada pelo resposta, ficará
tes; indutores; alto-falantes; transformadores; fer- constatado se a resposta é correta ou não. Se co .· -
roxcube; imãs cerâmicos, etc.) reta, prossegue-se no estudo; uma resposta errado
obriga a procura, nos páginas anteriores ou seguin-
EMISORAS CON TRANSISTORES PARA MANDO tes, da resposta certa.
A DISTANCIA
A primeira parte trata dos princípios e . práti -
Helmut Bruss (trad. esp. Benjamin Montoli) cas da reparação; a segunda abordo os problemas
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Êste livro reúne as bases essencia is para o projeto de NCR$ 31,00
tais emissoras transistorizadas. A parte geral contém,
além dos muitos exemplos de montagem, dados de-
talhados para a supressão de harmónicos e oscilações Êste curso de eletrônico, editado em três volu-
parasíticas mediante o emprêgo de filtros. No porte mes, destino-se a técnicos em eletrônico, radio-
prática são apresentod:s três montagens completas técnicos, montadores e todos aqueles que desejam
de transmissores, que dão uma idéia clara das possi- aperfeiçoar seus conhecimentos. O primeiro volu-
bilidades de projeto. O livro proporciona tôdas as in- me trata de todos os aspectos relacionados às bai-
formações para o planejamento, construção e teste de xas frequências . O segundo volume, que se acho no
transmissores transistorizados, de que necessita o prelo, abordará os altas frequências e o terceiro,
amador poro que seus trabalhos sejam bem sucedidos. também em fase de preparo, estudará especifico-
Esta obra constitui o volume n.0 1O do série "Eiectro- mente os aparelhos e circuitos, receptores, indus-
n·ca Practico". triais, de medição, etc.

NOVEMBRO/ DEZEMBRO, 1968 359

 SEMICONDUTORES ••
É particularmente notável a disponíveis para uma mesma fun- c
elevada quantidade de tipos dife- ção. Além disso, na es:olha do
rentes de dispositivos semicon- tipo de semicondutor apropriado
dutores, hoj~ à disposição do é particularmente important~
projetista. Para quase todos os considerar-se o aspecto econó-
setores ou especialidades existem mico.
hoje mais tipos de semiconduto-
res do que de válvulas. Essa Silício vs. Germânio
acentuada diversificação, que ca-
racteriza os semicondutores e os Durante vários anos o germâ-
distingue das válvulas, sofre in- nio foi o material semicondutor
fluência de dois importantes fatô- mais empregado, notadamente
res. Em primeiro lugar, o desen- por que era mais fácil purificar-
volvimento histórico das tecno- -se o germânio que o silí:io.
Além disso, como os proc~ssos Fig. 1
logias de fabricação dos semicon-
de fabricação eram mais apro- Componentes da capacitância de
dutores ocorreu muito mais ràpi- realimentsção de um transistor
damente que aquêle das válvulas. priados ao germânio que ao si :í- de silício planar convencioll31:
É por .essa razão que existem s> cio, os dispositivos semicondutJ- Cl = componente formado pelas
micondutores destinados a uma res de silício eram relativamente superfícies de cootato men·
mesma aplicação porém realiza- caros. À medida que os proces- clonadas o o texto.
dos ou construídos por técnicas sos de fabricação foram s;: aper- C2 = capacitâncla própria da
bastante difer::ntes. Tal situação feiçoando, o preço dos semicon- junção PN.
pode, certamente, ser interpreta- dutores de silício foi diminuindo. C3 = camponente causado pelo
Disso resultou, inicialmente e so- invólucro e terminais
da como característica de uma
br.::tudo nos selares militares e Cl é bem superior a C2 e a C3
fase transitória. Em s~gundo lu- c a remoção da influência de Cl
gaç os semiconduton:s suscitaram profissionais, uma d::manda cre~­ produz apreciável melhoria nas
um campo de aplicação bastante cent~ dêsses semicondutores. Pos- características do transistor.
mais vasto que o das válvulas. teriormente, graças aos progres-
Certos transistores foram cons- sos tecnológicos realizados, o c
truídos para aplicações b~m es- preço dos dispositivos semicon-
pecíficas. Numerosos tipos bási- dutores de silício atingiu níveis
cos são disponíveis em várias interessantes para o setor de en-
versões, segundo a tensão que su- tretenimento.
portam, segundo o ganho em cor- A tendência atual se orienta de
rente que oferecem, etc. De ou- uma maneira decisiva para a uti-
tro lado, um mesmo dispositivo lização cada v::.z mais freqüente
pode existir em versão de ger- dos semicondutores de silício a
mânio ou de silício e, no caso estrutura planar. Isto leva à subs-
de transistor, existem estruturas tituição progr::.ssiva d:: quase to-
PNP e NPN. Enfim, para um dos os diodos e todos os transis-
único semicondutor existem ain- tor!s de germânio por tipos de si- E
da versões com encapsulamento lício que apresentam desempenho
superior e características total ou Fig. 2
e dimensões os mais diversos: in-
vólucro metálico, invólucro plás- parcialmente equival·entes. Priocí pio básico da técnica de
blindagem integrada.
tico para montagem convenci-o- A técnica planar é um dos
nal, invólucro plástico para mon- desenvolvimentos mais importan-
tagem sôbr~ fiação impressa, in- t::s no domínio dos semiconduto- pela técnica planar consiste na
vólucro metálico ou plástico para res. Essa técnica de construção deposição, sôbre a pastilha, por
montagem miniatura, para mon- é bem sucedida com o silício e evaporação sob vácuo, de uma
tag·! m automática, etc. foi êsse processo que abriu ca- película de alumínio, da qual par-
A vantagem incontestávd of.;:- minho para a fabricação em sé- tirão as conexões entre pastilha
recida por tão vasta diversifica- rie de circuitos integrados com- semicondutora e os terminais que
ção é a possibilidade de encon- postos de transistores, diodos, re- saem para o exterior do transis-
trar-se, com boa exatidão, por sistências e capacitâncias dispos- tor. Essa película ocupa uma su-
meio de uma escolha judiciosa, a tos sôbre um mesmo suporte ou perfície relativamente grand::. ;: por
solução para cada problema que substrato. Além de circuitos inte- isso age como armadura de um
se apresenta. Curiosamente, é es- grados a técnica planar torna capacitar, contribuindo para au-
sa escolha que se torna cada vez pcssível a realização de outras ir.- mentar a capacitância de reali-
mais difícil à medida que au- tegrações. Uma das últimas eta- mentação inerente existente entre
menta a quantidade de versões pas de fabricação de transistores base e coletor. Para sinais de RF

360 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 Eng.0 P. E. Magyar

Ge,Si ou GaAs •
essa "capacitância Miller" afeta . . . - - - - - - - -.. +Vcc
seriamente o desempenho do
transistor quando em configura- Rt
ção de emissor comum. Nestas
condições alguma forma de com-
pensação torna-se necessária para TRANSISTOR
DE Si
aumentar a largura de faixa e as-
segurar estabilidade . Assim, por
exemplo, transistores BF167, BF- Rent
173, BF196, BF197 e outros pos-
su~m uma blindagem integrada, R2
que é uma camada adicioml, di-
fundida na região do coletor c li-
gada ao -emissor, Fig. 1 e 2, cem
o objetivo de reduzir, por um fa- Fig. 3
tor de aproximadamente 1I 4, a
Polarizaçio de um transistor de germânio e de um de silício.
eapacitância base-coletor e ao
mesmo tempo aumentar cêrca de
4 vêzes o índice de mérito do
transistor, possibilitando o em- rent~ de fuga permite emprêgo ção de aparelhos transistorizados,
prêgo de tais transistores em cir- de resistência de polarização de alimentados diretamente da rêde
cuit(Js d~ alta fr~quência, em con- base de valor ôhmico elevado, o sem transformador de fôrça.
figuração emissor comum, sem qu~ não terá pràticamente in- As vantagens oferecidas pelo
neutralização. Outra vantagem, fluência sôbre o valor d1 resis- silício podem dar a impressão er-
cm parte aliada à estrutura pla- tência existente na entrada do rônea de que os s-emicondutores
nar, é a possibilidade de encap- transistor e, p:lr conseguinte, não de germânio possam ser utilm~n­
sulamento tipo resina epoxy o haverá redução na amplitude do te substituídos em tôdas as apli-
que eonf~r: resi~têncil térmica sinal. cações por tipos de silício. Tal
mais favorável, melhor resistên- No tocante· à temperatura má- entretanto, não é o caso. Em
cia a golpes e vibrações mecâni- xima permissível, uma junção PN certas aplicações os semiconduto-
cas e preços mais vantajos:ls. de silício suporta até cêrca de res de germânio são considerà-
Um<t junção PN, de silício, re- 2000C, enquanto que uma de velmente me:-tos custosos .que s~us
v~rsamente polarizada, apresent:J. germânio admite quando muito equivalentes em silício, por exem-
corrente de fuga m:nor que aque- l00°C. Como decorrência, os se- plo os transistor-~s PNP de po-
la para uma junção de germânio micondutores de silício podem tência. Em outras aplicações o
em idênticas condições. Assim, ser empr-egados a temperaturas germânio possui suas próprias
utilizando-se de diodos e transis- ambientes mais elevadas ou en- vantagens. Assim, por exemplo,
tores de silício a estabilizaçã:> tão poderão dissipar maior potên- ainda não foi possível r-ealizar-
térmica se torna b:tstante mais cia que os de germânio correspon- -se um díodo de silíciJ para de-
simples e em alguns casos até d:ntes, necessitando radiadores t~ção de AM capaz de concor-
supérflua. Como conseqüência, a térmicos de menores dimensões. rer em rendimento de det::ção,
polarização de um transistor po- Por outro lado, a resistência supressão de AM e custo com os
de ser realizada com menor quan- intrínseca do silício é bastante tipos de germânio hoje bem co-
tidade de component~s, Fig. 3. mais elevada que aquela do ger- nhecidos.
Outro ponto importante é que a mânio, daí o fato de o silício po· Ainda com respeito aos diodos,
resistência do circuito de base de der suportar tensões inversas pede ser mencionado que, muito
transistores com corrente de fuga mais elevadas. Certas tecnologias embora o silício seja, atualmen-
apreciável (germânio) deve s!r especiais conferem ao dispositivo te, dentre os materiais semicon-
de baixo valor. De acôrdo com a excel-ente comportamento tridi- dutores, o mais empregado na
Fig. 3, como a fonte de alimen- mensional para a tensão, o que confecção de diodos retificadores
tação possui baixa resistência permitiu a realização de disposi- de potência e tir istores, os diodos
interna, R, ficará , em paralelo tivos podendo suportar tensões já de germânio detêm a vantagem
com R, e, portanto com R'"' do bastante elevadas, como por de possuir valor mais baixo pa-
transistor. Como essas três ~si­ exemplo: 1.500V para o transis- ra a tensão de limiar de fort-~
tências têm valor ôhmico de tor BU105, destinado a estágios condução, Fig. 4. Para algumas
mesma ordem de grandeza, ocor- de saída horizontal de televisores aplicações esta propriedade é
rerá uma redução apr-eciável na de tela grande. Uma outra van- bastante importante, por exem-
amplitude do sinal. Já no caso de tagem decorrente dessa proprie- plo em fontes de alimentação de
transistores de silício, a baixa cor- dad: é a possibilidade de fabrica- baixa tensão (l a 6V). Um baixo

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 361

 fixa para uma temperatura de, outras palavras, o rendimento se·
por exemplo, 25°C. Como os rá menor.
transistores de silício ou germâ- Quanto aos transistores para
nio apresentam o mesmo efeito circuitos de comutação, inicial·
de coeficiente negativo de tempe- mente, convém mencionar que
ratura, isto é, a tensão VoE di- nenhuma tensão deverá existir
minui de cêrca de 2mV /OC, a entre os terminais de um int !r-
corrente de repouso necessária ruptor ideal quando êste estiver
para evitar a distorção de cruza- fechado. Um transistor de silí-
mento será afetada pelas varia- cio planar convencional apresen-
ções de temperatura. Para o es- ta uma tensão de joelho relativa-
tágio de saída em classe B em mente elevada (é a tensão exis-
pauta, se a 2/ 3 da potência de tente nos terminais de um tran-
saída máxima a temperatura da sistor saturado). Evidentemente,
junção tiv::r aumentado de por isto constitui um inconv~niente
Fig. 4 exemplo 45°C, para T.mb = 45°C para as aplicações de comutação.
Caracterfstica corrente vs tensão teremos a junção a 90°C, o que Os transistores de germânio se-
para um diodo de germânio e um provocará um aumento na cor- riam, neste particular, mais van-
de silício. rente de repouso de, digamos, tajosos. Por outro lado, um in-
3mA a 25°C até cêrca de 20mA terruptor ideal não deve p~rmi­
a 90°C, Fig. 6. Se desejarmos ti- tir passagem de corrente quando
valor de tensão de limiar é tam- rar proveito das vantagens do si- estiver aberto ou bloqueado. Nes-
bém importante nos equipamen- lício - temperatura máxima ad- te aspecto, graças a sua baixa cor-
tos transistorizados alimentados missível da junção podendo atin- rente de fuga, os transistores de
por bat::rias e nos quais um dío- gir, por exemplo 175°C - a silício se aproximam bastante do
do é usado para proteção. Se corrente de repouso de 3mA a caso ideal. A comutação, por
a bateria fôr inadvertidamente li- 25°C passaria a 200mA a 175°C
gada ao equipamento com as po- (T; mais elevado). Isto seria ab-
laridades trocadas os transistores solutamente inadmissível para o
ou demais componentes poderão caso de aparelhos portáteis ali-
ser danificados. Entretanto, a mentados por baterias. A com-
passagem dessa corrente reversa pensação externa do VsE decres-
indesejável pode ser evitada pelo cente, por meio de diodos ou de
uso de um díodo ligado em sé- resistores CNT, que aliás d'!verão
rie, que, nessas condições, atua- estar em contato térmico direto
rá como protetor do quipamen- com o transistor, torna o emprê-
to e agirá, pràticamente, como go de transistores de silício pou-
curto-circuito nas condições nor· co interessante ou mesmo pros-
mais. crito.
Outra · aplicação interessante No estágio de saída aqui con-
na qual se dá preferência ao ger- siderado um outro inconvenien-
mânio é no estágio de saída d~ te evidente do silício se manifes-
potência, em classe B, com tran- ta: a tensão VsE mais elevada.
sistores complementares e ali- Para o germânio essa tensão é da Fig. 6
mentado por baterias, Fig. 5. A ordem de 0,2V. Para o silício Caracterfstlca lc n V BE para tran·
Fig. 6 mostra a característica atinge cêrca de 0,6V. Particular- sístores de germânio e silício.
Ic - VsE de dois transistores, mente para baixas tensões de ali-
um de germânio, outro de silí- mentação, 6 ou 9V, isto signifi-
cio. Para estágios de saída clas- ca que uma fração importante d:~ meio de transistores. se faz ao
longo da reta de carga, da cor-
se B é indispensável que os tran- excitação não poderá ser utiliza- rente de fuga máxima à tensão de
sistores estejam polarizados com da, e, para fornecer idêntica po- joelho mínima. Pela té;;nica cpi-
alguns mA a fim de evitar-se a tência de saída, o estágio de saí- taxial, ou s'!ja, pela formação de
distorção de cruzamento ("cross- da a silício, deverá, consequente- finas camadas monocristalinas
-over"). Isto é feito determinan- mente, trabalhar com corrente sôbre o cristal de base, camadas
do-se uma tensão base-emissor de coletor mais elevada. Em essas com resistividade bem su-
perior àquela do cristal de base,
obtém-se uma combinação das
propriedades interessantes dos
transistores de germânio no es·
tado de condução e das boas qua-
lidades de bloqueio~os transis-
tores de silício planar": Em outras
palavras, um transistor planar
epitaxial reúne as vantagens de
uma baixa tensão d:: joelho e de
uma baixa corrente d:: fuga .
É op:Jrtuno comentar aqui a
situação referente aos circuitos
integrados. Como é sabido, a ex-
tensão natural da técnica planar,
da fabricação de pastilhas de
Fig. 5 transistores de silício para a de
Configura~iio de um estágio de saída em cla>sc B. Cls, foi uma conseqüência lógica,

362 NOVEMBRO/ DEZEMBRO, 1968

tendo sido antevista pelos especia- Grupo IV. Tal fato, aliado ao pode ser usado com sucesso como
listas. Assim, falar-se em Cis ho- desejo de dispôr de dispositivos substrato de Cls, oferecendo, co-
je em dia significa falar de téc- semicondutores apresentando ex- mo já mencionado anteriormen-
nica planar em silício. Entretan- celente desempenho em altas fre- te, elevada isolação elétrica.
to, não é impossível que o ger- quências e temperaturas, provo- O GaAs é hoje considerado co-
mânio e, como veremos mais cou uma extens;o da tecnologia mo o mais versátil de todos os
além, o arseneto de gálio venham dos materiais semicondutores materiais semicondutores, e com
a competir· com o silício nessa além do germânio e do silício, êle podem ser fabricados diodos
área. De fato, a técnica planar isto é, para a área dos compostos varactores, diodos detetores e mis-
pode ser também empregada tan- acima mencionados. Dentre êsses turadores para micro-ondas, dio-
to em Ge como em GaAs. Cls compostos, o arseneto de gálio dos túnel, diodos para chavea-
fabricados a partir de Ge são (arsênico - Grupo V, gálio - mento, diodos eletroluminescen-
teoricamente, dotados de respos- Grupo III) apresenta proprieda- tes, diodos laser, transistores,
ta mais rápida que os de Si. Por des interessantes oferecendo não transistores a efeito de campo,
outro lado, como o Si suporta apenas superioridade potencial transistores com junção hetero-
melhor altas temperaturas, os sôbre o germânio e o silício pa- gênea, circuitos integrados para
Cls de Ge podem ser usados com ra certos dispositivos, mas, tam- frequências super-altas, oscilado-
sucesso sob baixas temperaturas. bém, possibilitando o desenvolvi- res de micro-ondas a efeito Gunn,
Algumas experiências realizadas mento de uma nova categoria de células solares de alto rendimen-
recentemente demonstraram a dispositivos de estado sólido, ba- to, etc.
possibilidade de fabricação de seada em efeitos eletrolumines- Dentre os dispositivos aqui
dispositivos especiais de Ge ca- centes. Com efeito, uma junção mencionados, os varactores, os
pazes de suportar l25°C e possi- PN de GaAs é capaz de emitir,
velmente 1500C. Neste particular de forma eficiente radiações pró- diodos eletroluminescentes, os
diodos laser e os osciladores a
as pesquisas continuam em fran- ximas ao infra-vermelho. Germâ- efeito Gunn são hoje produzidos
ca evolução. A grande vantagem nio e Silício não apresentam es- em escala industrial. Os demais
oferecida pelos Cls fabricados sa propriedade. possuem associada~ algumas difi-
com GaAs é a melhor isolação A Tabela I compara algumas culdades de produção o que lhes
elétrica que pode. ser obtida en- características do GaAs com confere uma situação de fabri-
tre os componentes de uma pasti- aquelas do Ge e do Si. cação em escala limitada e de
lha, o que permite aproximá-los aperfeiçoamento.
ainda mais para obtenção de A ampla banda de energia
compacidade mais elevada. Além (banda proibida) associada ao Nos dias atua1s, a principal di-
disso, a capacidade do GaAs para GaAs, entre as bandas de con- ficuldade tecnológica a ser ultra-
suportar altas temperaturas am- dução e de valência, possibilita passada para fabricação econô-
biente faz os especialistas deposi- a operação sob alta temperatura. mica e em larga escala dêsses
tarem nesse material a esperança A elevada mobilidade dos elé- dispositivos é aquela da obtenção
de vê-lo incluído na terceira e trons confere ao GaAs ótimo de- de cristais de GaAs suficient•e-
próxima geração dos semicondu- sempenho em alta freqüência e o mente puros. As técnicas de Ji.
tores. reduzido tempo de vida dos por- ga e de difusão ainda não dão
tadores implica numa superior resultados bem sucedidos no
característica de chaveamento. GaAs como aquêles obtidos com
Arseneto de Gálio (GaAs) Si e Ge. As altas temperaturas
Outra particularidade interessan-
Estudos realizados por Welker te de ser mencionada é a possibi- necessárias nesses processos tra-
mostraram que compostos for- lidade de, com auxílio de dopa- zem contaminação ou defeitos es-
mados por elementos químicos gem especial, produzir-se GaAs truturais ao cristal.
pertencentes aos Grupos III e V com resistividade bastante eleva-
da classificação periódica apre- da (- 1o•n.cm a 300 K). Nes- • Isolantes: 1020 a 1()6 obms.cm,
sentam características similares sas condições o GaAs costuma semicondutores 1()6 a 10-1 ohms.cm,
àquelas dos semicondutores do ser designado "semi-isolante" * c condutores: 10-1 a 10-• ohms.cm.

TA BELA I - Propriedades características (*,,relativas a uma dopagcm 10"/cm')

PROPRIEDADE GaAs Si Ge
I I I
Ponto de fusão (°C) 1237 1420 958
Largura da banda proibida (a 300 Kl 1,4eV 1,1eV 0,67eV
Constante dielétrica relativa 11 12 16
cm 2
Mobilidade das lacunas*'> (majoritário) --- 290 240 1100
v. s
cm1
Mobilidade dos elétrons** (majoritários) - - - 4500 525 i 2100
i
v. s
Tempo de vida dos portadores**(s)
0
Máx. temperatura de operação ( C)
Resistividade intrínseca a 300 K (n.cm)
IQ-•- 10-'"
400
3,7 X 101
-
150
JO ·· •

2,3 X. 105
6
85 -
46
X JO-l
100
I

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 363

 O efeito eletroluminescent·!
0-tOOmA
que se manifesta em alguns ma-
teriais semicondutores como por
exemplo no arseneto de gálio po-
de ser explicado como segue:
quando uma tensão fôr aplicada
no sentido da boa condução de
uma junção PN haverá injeção
de portadores minoritários tanto 0-f,5V
na região P como na N. Os por- Fig. a
tadores de carga minoritários Circuito básico.
combinar-se-ão com os portado-
res de carga majoritários que Já ~-----.------~~--------~--_.+f2V
se encontram, daí resultando li-
beração de uma determinada fM
quantidade de energia. Se certas
impurezas apropriadas forem in-
troduzidas nos materiais que for-
mam a junção PN, .esta energia
tM
será liberada sob forma de radia-
ção luminosa. Tal comportamen-
to é por vêzes designado "lumi-
nescência à in)eção", sendo o
: >-•0,9Jim
comprimento de onda da radia-
ção assim produzida dependente (300"K)
da composição química do mate-
rial semicondutor. No caso do Fig. 9
arseneto de gálio a radiação lu- Circuito de um transmissor infra·vermelho, modulado .
minosa provém quase que apenas
" injetados. Os diodos eletrolumi- circuito básico necessário para
da região P, com À. = 9000A,
situando-se, portanto, no espec- nescentes apresentam para esta obtenção de radiação monocro-
tro, nas vizinhanças do infra-ver- vida o valor I!J.S, sendo, portanto, mática de um díodo de GaAs do
melho, Fig. 7). O fosfeto de gá- uma das mais rápidas fontes de tipo eletroluminescente. Quan-
lio (GaP) e o carb:to de silício radiação luminosa conhecida . O do polarizados diretamente, no
(SiC) são materiais semiconduto- ôlho humano é pouco sensível ao sentido da boa condução, êss·es
r·es que também apresentam efei- infra-vermelho e por isso os dio- diodos emitem uma radiação in-
to eletroluminescente. Utilizan- dos eletroluminescentes não são tra-vermelha O. 0,91J.m a
adequados para iluminação. En- 300 K) de faixa bastante estrei-
tretanto êles apresentam numero- ta e de lumino~idade equivalen-
sas vantagens nas aplicações ba- te àquela de um filamento aque-
seadas na deteção luminosa por cido a 3.000 K. A radiação é coe-
elementos foto-sensíveis. Uma rente c pode ser fàcilmente mo-
vantagem essencial dos circuitos dulada, mesmo em alta frequên-
de tal natureza sôbre os circuitos cia ( -IGHz), pela simples V<~­
convencionais a semicondutor é riação da corrente que passa p~­
que o sinal é parcialmente trans- lo díodo. Desta forma, um dío-
formado sob forma luminosa. Is- do eJ.etroluminescente e um foto-
to assegura excelente isolamen- transistor podem ser empregados
to elétrico entre os vários circui- para realização de um sistema de
tos, sendo pràticamente impossí- comunicação bastante simples e
vel ocorrer realimentações inde- compacto, Fig. 9, 10 e 11. Tal
sejáveis. sistema é indicado para estabe-
No tocante às aplicações, a lecimento de comunicação rápi-
Fig. 8 ilustra a simplicidade do da, sigilosa e livre de interferên-
~----~~-----------.--------~~--e+f2V
Fig. 7
Resposta típica de um diodo eletro·
luminescente (a), do ôlho humano
(b), de um fotodetetor de silício (c), SAÍDA
c de uma válvula fotomultiplicado·
ra (d).

do-se zinco como agente de do-

pagem para o GaAs pode-se ob-
ter radiação com À. menor

(5000A, verde). O intervalo de

tempo nec.essário para que a ra-
diação seja máxima e o período
no final do qual a radiação desa-
parece completamente, depen-
dem, exclusivamente, da duração Fig. 10
da vida dos portadores de carga Detetor de radiação infra·vermelho.

364 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 laser aproxima-se de 100% ap~­

01000 c:o::::::Q Q;<D nas abaixo de 100K, tais disposi-

tivos freqüentemente operam
ELETROLUMINESCENTE l r~- _L FOTOTRANSISTOR condicionados à temperatura do
nitrogt!nio líquido, qual seja, 77K.
{ : <O ~:) Evidentemente é possível obter-
-se funcionamento de diodos la-
ser à temperatura ambient~ e em
regime contínuo, porém com
Fig.J 11 baixa potência e baixa eficiência.
Disposição de lentes e espelhos para o sistema de comunicação Referente aos osciladores a
em infra-vermelho. efeito Gunn podemos dizer que
êsse efeito mostrou, pela primeira
vez, a possibilidade de geração
cias. O equipamento é portatil e coerente e polarizada retillnea- de micro-ondas em semiconduto-
fácil de ser alinhado e operado mente. A radiação pode ser mo- res. O efeito Gunn ocorre em
quando provido de visores. Em- dulada por frequências bastante certos materiais semicondutores
pregando-se lentes colimadoras elevadas. A potência luminosa quando submetidos a campo elé-
com abertura f:2 ou refletores de pico, como por exemplo no trico intenso. Sob ação de cam-
parabólicos, obtém-se, fàcilmen- diodo tipo 58CA Y, chega a atin- po elétrico os portadores de car-
t::, alcance de 30 metros. (Len- gir 20W. ga são transferidos da banda de
tes de vidro comum são satisfa- Os diodos eletroluminescentes condução de alta mobilidade pa-
tórias em radiações de tal com- convencionais apresentam a van- ra uma banda de maior energia
primento de onda). Para locais tagem de admitir funcionamento e menor mobilidade. Usando-se
onde a incidência de raios lumi- contínuo à temperatura ambien- ar~eneto de gálio tipo n como
nosos perturbadores não puder te, mas o inconveniente de emitir materill semicondutor esta trans-
ser ignorada, pode-se alimentar o uma luminosidade com potência ferência provoca o aparecimento
diodo com o sinal proveniente de limitada a alguns mW. Ao con- de grupos de elétrons que se mo-
um multivibrador, Fig. 12, qu~. trário, os diodos laser à injeção vem através da porção semicon-
"codifica" a emissão infra-ver- apresentam a vantagem de pro- dutora. Assim, a corrente pelo
m::lha, a qual, por sua vez, após porcionar uma potência instantâ- dispositivo consiste de uma série
de grupos de elétrons ou pulsos
...----.--~~-----1~- +3V de corrente. A freqüência de os-
cilação é governada pelo tempo
de trânsito dêsses grupos ou do-

Fig. 12
Fonte de radiação intra·
vermelho, codificada. Jo·re·
-
CAYI2
mínios. Pela escolha apropriada
da espessura da porção semicon-
dutora pode-se fazer a freqüên-
cia de repetição dos pulsos cair
na faixa das micro-ondas. A fre-
qüência de repetição dos qüência de operação será tanto
pulsos: 2700 Hz.
maior quanto menor fôr a espes-
sura do material. O material se-
micondutor preferido é o arsene-
to de gálio tipo n e os dispositi-
vos práticos consistem de uma
fina camada dêsse material situa-
ser captada e transformada em nea elevada (alguns Watts), po- da sôbre um substrato tipo n+.
sinal elétrico pelo fototransistor, rém, para dissipação do calor ge- Uma tensão contínua de 5V apli-
Fig. 13, será decodificada por rado, exigem um regime de tra- cada sôbre uma camada de 10!-Lm
meio de um estágio T-gêmeo, balho do tipo pulsado. Além dis- fornece uma potência de saída de
sintonizado na frequência de re- so, como a eficiência de conver- algumas dezenas de miliwatts a
petição dos pulsos do multivibra- são eletro-luminosa dos diodos 10GHz (l% a 5% de eficiência).
dor.
Entre outras aplicações dos
diodos eletroluminescentes temos:
identificação de caracteres, leitu-
ra de cartões, codificadores, tes-
te de válvulas fotomultiplicado-
ras, disparo de dispositivos laser.
Outro dispositivo de GaAs que
deve ser aqui mencionado é o
diodo laser à injeção. Os diodos
laser de GaAs são constituídos
por uma junção PN obtida pela
difusãu de zinco no monocristal
de GaAs. O cristal é em s~guida
facetado e polido em forma de
ressoador óptico (cavidade Perit-
-Fabry) apropriado para dar ori-
gem à emissão estimulada. A ra- Fig. 13
diação laser é bastante dirigida, Detetor de sinais intra·vermelho codificados. Deeoditicador: circuito T·gêmeo,
espacialmente e temporalmente, sintoniZado em 2700 Hz, entre base de T 1 e emissor de T 2 •

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 365

 TA BELA II - Comparação de algumas características obtidas em transi~tores a ef~ito de
campo com mesma geometria, fabricados com diferentes materiais semicondutores (Si to-
mado como referência).

c p I C= capacit. do eletrodo porta

Material
I f gm lo
f = frequência limite
Si 1,0 1,0 1,0 1,0 1,0 gm = máx. transcondutância

Ge 1,3 2,8 3,8 3,8 3,7 lo - máx. corrente de dreno

GaAs 9,4 5,3 50 54 58 p = potência dissipada

Os osciladores a efeito Gunn des- 0,5GHz. Com compensação tér- GaAs é compensada pela eleva-
pertam no momento grande in- mica o coeficiente freqüência/ da mobilidade das lacunas e pe-
terêsse por serem as alternativas t~mperatura é inferior àquêle de la constante dielétrica ligeiramen-
aos Klytrons de baixa potência um magnetron de radar. te mais elevada do Ge. Transisto-
e aos sistemas transistor-varactor res a efeito de campo confeccio-
usados como osciladores locais Quanto aos transistores bipola- nados com GaAs operam em fre-
nos estágios misturadores de sis- res e unipolares (ou a efeito d ~ qüências até duas vêzes sup::riores
tema de radar e nos sistemas campo), sabemos que para aquê- aquela dos de Ge: êstes, por sua
de comunicação. Comercialmen- les a máxima frequência de ope- vez, como mostra a Tab::la II
te destacamos os osciladores a ração está relacionada ao produ- ultrapassam os de Si em aproxi-
efeito Gunn de GaAs tipo to da mobilidade dos elétrons pe- madamente o mesmo fator.
CXYl r que fornecem 3 a lOmW la da das lacunas e apenas à mo-
em 7-120Hz sob tensão CC bilidade dos portadores majoritá- Os transistores de GaAs a efei-
de 7V e corrente de 150 mA. rios para os últimos. Transistores to de campo são fabricados pela
São encapsulados em recipi- bipolares de GaAs e transistores técnica planar, podendo ser fàcil-
entes cerâmicos de 5mm de al- de Ge superam os transistores de mente incorporados em Cls. Tais
tura por 3mm de diâmetro e in- Si relativamente ao fator mobili- transistores operando com outros
seridos numa cavidade ressonan- dade. Os dois tipos são equiva- dispositivos de GaAs, podem sig-
te cuja sintonia pode ser mecâ- lentes em alta-frequência pois a nificar no futuro uma nova era
nicamente ajustada dentro de ± alta mobilidade dos elétrons do na técnica dos Cls.

REFEUNCIAS
Na confecção do presente trabalho usamos, parcialmente, traduções e
~!daptações
de alguns trechos de artigos publicados nos n.•s 33 e 34-35 de TECH-
NIQUES NOUVELLES SPECIAL de junho e julho-agôsto de 1968.

366 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 o gerador de rf
(CONCLUSÃO) SÉRGIO AMÉRICO BOGGIO

Normalmente após a monta- riar a freqüência do gerador de gerador de RF até que o sinal
gem ou reparação de um rádio- RF em tôrno do valor 455 kHz, aumente . Iremos repetindo tais
receptor de um estágio de RF até ouví-lo. operações até que atingimos a
ou FI, é necessário o ajuste dos freqüência de 455kHz.
Suponhamos que o sinal fui
transformadores de freqüência Como o leitor deve ter no-
ouvido somente em 420 kHz; d~­
intermediária (T.F.I.), dos "trim- tado, com o gerador de RF fo-
vemos agora ajustar o T. F. I.
mers" e "padder". Para tal ajus- mos "perseguindo" a freqüência
em questão de forma que o si-
te recorremos ao gerador de RF. de resscnância do T .F.I. até se
nal ouvido em 420kHz se redu- chegar ao s~u valor corretei,
cuja seqüência de uso iremos ·~x­
<:à , indi:ando que a nova res-
plicar agora. s~mpre com sinal no altofalan-
sonância do T. F. I. é diferente te. Nunca se deve colocar o ge-
Na figura I apresentamos o de 420kHz. Procura-se com o
diagrama em bloco de um r·ecep- rador de RF em 455 kHz e fi-
gerador de RF a nova freqüên- car rodando a esmo os parafu-
tor. O primeiro elemento a ser cia, isto é, onde o sinal ouvido
calibrado é o T. F. I. que vai sos de ajuste até ouvir o sinal
torna-se mais intenso. Caso o no alto-falante, pois se houver
ligado ao díodo detetor. A cali- sinal se torne mais forte ·em
bração é de trás para diante. um defeito qualquer no rádio ou
uma freqüência abaixo da ante- no gerador, jamais conseguire-
Com o receptor ligado e com o rior, digamos 41 O kHz, isto vem
contrôle de volume no máximo mos ouvir tal sinal, ou então
nos indicar que ajustamos o calibraremos em ponto incorr.~to.
ganho, d: ve-se injetar na grad ~ T .F.I. para o lado errado, quer
de contrôle da válvula amplifi- dizer, se rodamos o parafuso de Após ter-se levado o T.F.I. à
cadora de F.I. um sinal de 455 ajuste em um sentido, dever·~mos freqüência correta , deve-se ago-
kHz modulado. Para tal toma- então rodá-lo agora em sentido ra conseguir o máximo ganho
se o gerador de RF com um dêste. Para tal deixa-se fixo o
oposto.
condensador de aproximadamen- valor de 455 kHz e variam-s'!
te 0,02 [lF em série com a p~n­ Digamos que o sinal se tom~ lentamente os parafusos de ajus-
ta de prova, os contrôles de ate- mais intenso em uma freqüên- te do T.F.I. em calibragem, de
nuação ajustam-se para a máxi- cia maior que a primitiva 420 forma a ter o máximo sinal de
ma saída de RF, a chave de kHz; isto é um indício de que saída. Conforme êste fôr se tor-
modulação põe-se na posição in- estamos no caminho certo d·e ca- nando intenso deve-se reduzir o
terna e freqüência de saída de libração. Assim se o sinal ficou ganho do gerador de RF por
455kHz. Liga-se o referido con- mais forte em 430kHz por exem- meio de chaves atenuadoras e
densador ao ponto em teste, de- plo, e rodamos o parafuso no nunca por meio do potenciôme-
vendo-se escutar no alto-falant~ sentido horário, deveremos ago- tro de volume do receptor.
um "apito" correspondente ao si- ra rodar no mesmo sentido, até Para se ter uma idéia melhor
nal de modulação. Caso não s~ que o sinal se reduza um pouco, de quando estamos no máximo
escute tal "apito", deve-se va- Aí variamos a freqüência do sinal, aconsdhamos o uso de um

FIG. 1

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 367

voltímetro CA em paralelo com
o altofalante. Assim quando ês- Trimmer Trimmec-
Faixa de onda Padder
te indicar o maior valor de ten-
são conseguido com os ajustes, I I Oscilador
I Antena
t-:remos o máximo sinal de saí-
da. Evitando-se o uso do ouvi- Média· 600kHz 1600kHz 1400kHz
do, ganha-se em precisão de
ajuste. Curta - 18 MHz 16MHz

Assim que êste T.F.I. estiver Nota: Retirar o capacitar de aprox . 0,05 1-Lf' em paralelo com a seção osciladora
perfeitamente ajustado podere- do variável.
mos começar a calibração do
T.F.I precedente que no caso da Com o rádio na faixa de on- para operar na faixa de ondas
fig 1 s;:rá o 1.• T. F. I. Se ac.aso das médias, condensador variá- médias.
o rádio fôr de três T .F.I., aJUS- vel ajustado de forma que o A fim de efetuarmos o ajus-
ta-se o z.o T.F.I. de maneira ponteiro do "dia!" indique a fre- te em ondas curtas, devemos pro-
idêntica a que se fêz para o qüência de ajuste do padder (no ceder de maneira idêntica à an-
t~rceiro. caso 600 kHz) e contrôle de vo- terior com a vantagem de que
lume no máximo, injetamos com não existe padder. Se o rádio
Vejamos agora como se pro- o gerador de RF na antena, um possuir outras faixas, segue-se
cede para calibrar o 1.0 T.F.I., sinal (modulado) de 600kHz. de maneira análoga, devendo-5e
isto é, aquele que está ligado à Se ouvirmos o "apito" no al- consultar a tabela de freqüên-
saída do estágio misturador. to-falante, deveremos ajustar o cias de ajuste fornecida pelo fa-
O método é análogo ao ex- padder até obtermos o máxi- bricante.
plicado anteriormente, injetando- mo sinal na saída. Caso não Em alguns receptores ao in-
se o sinal na grade de contrôle escutemos tal "apito", devere- vés de haver padder para o ajus-
da amplificadora de RF ou mis- mos variar a freqüência do ge- te da parte inicial de freqüência
turadora. Deve-se porém ter o rador de RF até encontrá-lo, isto do oscilador local, tem-se um nú-
cuidado de fazer com que o os- é, o mesmo método de "perse- cleo variável na bobina oscila-
cilador local fique inoperante. É guir" a freqüência como foi ex- dora. Para a calibração, proce-
por êst;: motivo que geralmente plicado antetlormente no caso de-se do mesmo modo que para
se coloca em curto o conden- do T.F.I. o padder porém agora ajustando
sador variável (secção oscilado- Assim que tivermos ajustado o núcleo da bobina osciladora.
ra). Porém desaconselhamos tal o padder, ajustamos o condensa- Caso a bobina de antena tam-
técnica, pois poderemos danificar dor variável, até o ponteiro do bém possua núcleo ajusta-se ês-
algum elemento do rádio. Assim dia! indicar a freqüência de te na freqüência indicada pelo
o que se deve fazer é colocar ajuste do trimmer do oscilador lo- fabricante.
um condensador de um valor cal, no caso 1600kHz. Passamos
por volta de 0,05 IJ.F em para- também o gerador de RF para Pesquisa de defeitos
lelo com a seção osciladora do 1600 kHz e ajustamos o trim- Suponhamos um receptor de
condensador variável. Desta for- mer até o máximo sinal no alto- rádio, cujo estágio amplificador
ma estaremos pondo em curto falante. Devemos agora verificar está em perfeito estado, porém
apenas o sinal de alta freqüên- se a calibração dada ao padder tal aparêlho se apresenta inope-
cia que existe neste ponto, para esta correta ou não. Na maioria rante. ~·abemos "a priori" que
que êste não venha interferir na dos casos, quando voltamos o va- o defeito se localiza no canal de
calibração. riável e o gerador para 600 kHz, F.l. ou estágio de RF, porém
notamos que o padder tem de para localizar melhor o d~feito.
Após tôdas estas operações !'~­ ser reajustado; isto porque pelo
remos por final o canal de F.l. deverem<'S utilizar um gerador
fato de variarmos a capacitân- de RF.
perfeitamente ajustado, podendo cia do trimmer variamos tam-
agora ser lacrados seus parafu- O primeiro passo será injetar
bém a capacitância total do cir- um sinal modulado de 455kHz
sos de ajuste. cuito oscilador, logo variamos (se esta fôr a freqüência do
Convém lembrar que em nos- sua freqüência. Feito isto, veri- T.F.I.) na válvula amplificadora
so exemplo utilizamos como fre- ficamos como está a calibração de F .I. Se o sinal de modulação
qüência intermediária o valor de do trimmer oscilador, se neces- não sair no altofalante, podem
455 kHz, porém existem outros sário daremos um retoque. Fa- estar defeituosos a válvula am-
valôres. Por êste motivo deve o remos tantos retoques no trim- plificadora de F.I. ou os seus
técnico antes de dar início à ca- mer oscilador e no padder quan- componentes de alimentação, o
libração verificar qual o valor tos fôrem necessários. T.F.I. danificado ou desajustado
da freqüência especificada pelo Terminados êstes ajustes por ou finalmente a etapa detetora.
fabricante. Assim se o T.F.I. fôr vêzes morosos, poderemos cali- Se tudo estiver em ordem, en-
para 465 kHz, deverá colocar o brar o trimmer de antena, que traremos com o gerador de RF
gerador de RF nessa freqüência. em nosso caso é ajustado em na amplificadora de RF, estando
Passemos agora ao ajuste do 1400kHz. o gerador numa freqüência sin-
amplificador de RF e oscilador O método é análogo ao utili- tonizada pelo rádio. Se o sinal
local. Para tanto devemos veri- zado para o padder e o trim- não sair na etapa de áudio po-
ficar quais as freqüências de mer, somente que o condensa- derá ser a válvula amplificado-
ajuste especificadas pelo fabri- dor variável está em uma posi- ra de R.F, ou misturadora ou a
cante para aquela determinada ção que corresponda no "dial" ao osciladora.
faixa que queremos calibrar. A valor 1400kHz. Tirando o má- Resta apenas testar o oscila-
fim de têrmos uma idéia apre- ximo ganho com o ajuste do dor local e o amplificador de
sentamos uma tabela de calibra- trimmer de antena estará o re- RF. Uma boa maneira de testar
ção: ceptor em perfeitas condições (Cont. na pág. 398)

368 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

OSCILADORES r-c
por deslocamento de fase
Raul L. C. Guerreiro

Nas baixas freqüências é ex· Vejamos em seguida o pro- A simplicidade desta fórmula
tremamente difícil obter boas jeto da rêde de realimentação. O deve-se ao fato de que cada se-
formas de onda de saída com menor número (n) de seções RC ção RC é semelhante, e tam-
circuitos osciladores convencio- de deslocamento de fase é três bém ao fato de que se supõe
nais tipo LC. Descreveremos um (Para se obter 180 gráus de des- que a saída do transistor pode
processo simplificado para pro- locamento de fase quando n = 2 ser considerada como uma fon-
jetar osciladores RC por deslo- significaria que R =
0). Com te de corrente constante, e a en-
camento de fase, os quais, pro- êste fato em mente, podemos trada como um curto-circuito.
porcionam formas de onda de usar a fórmula para a freqüên- Analisando-se uma rêde de qua-
saída muito boas em baixas fre- cia de oscilação do oscilador por tro seções usando a teoria con-
qüências, sem a necessidade d>! deslocamento de fase de três se- vencional para as rêdes e com-
cálculos complicados. ções como base para o desen- parando-s~ o valor da freqüên-
O oscilador por deslocamen- volvimento de uma fórmula para cia achada com aquêle de-
to de fase (Fig. 1) pode ser di- n seções: t·e rminado através do uso da
vidido em duas seções: (1) am- Equação III, descobriremos que o
plificador de corrente; (2) rêde f = (II) êrro introduzido pelo uso da fór-
mula é menor que 5%. Para
de realimentação de corrente 21t RC v6 uma verificação mais elaborada,
que produz um deslocamento de
fase de 180 graus em' baixas fre- Isto supõe que a reatância de podem ser projetados dois osci-
qüências) entre coletor e base. C é maior que H impedância de ladores de fase usando-se a
O amplificador, geralmente do entrada do amplificador. A fór- Equação III. Comparando-se en-
tipo emissor comum, proporcio- mula para o oscilador de n se- tão a freqüência calculada com
na um ganho suficiente para ções é a freqüência medida achar-se-á
compensar as perdas na rêde de um êrro inferior a 10%. Uma
realimentação. É importante que n-2 vez que o propósito dêste artigo
os valores de RL e da corrente fn = (III)
(Cont. na pág. 374)
de repouso sejam escolhidos de
tal maneira que a operação ocor-
ra na região mais linear das ca-
racterísticas do transistor. Devi-
do a isto, é preferível fazer-se
a resistência R1 variável até que
se tenha terminado o projeto. Is-
to resulta das exigências para os-
cilação nas condições iniciais,
assim expressas:
A.B = 1 (I)
onde A é o ganho do amplifica-
dor e B é a fração do sinal do
coletor que é realimentada.
Se o ganho de corrente fôr
maior que o valor necessário pa-
ra satisfazer a equação I, ocor-
rerá uma distorção. Como o
ganho depende da corrente de
emissor, A pode ser ajustado pa-
ra satisfazer a Equação I por
meio do ajuste da resistência R,. FIG. 1

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 31)9

 SERVI COS
DE LDR
UM Sergio Américo Boggio

INTRODUÇÃO 8 - Expansor/compressor de riar o número de elétrons livres

volume por unidade de volume em fun-
Diversas vêz~s ~ncontramos 9 - Medidor de velocidade ção da intensidade luminosa. Tal
equipamentos que parecem fun- (tacômetro) material normalmente é consti-
cion:-tr por mágica, pois não ve- 10 - Medidor de nível de luz tuído por Sulfeto de Cádmio.
mos nenhum elemento d·:! acio- (fotômetro)
namento, como por exemplo, 11 - Alguns brinquedos Como pode ser observado, se
chaves. Diversos dêsses "·estra- o número de elétrons livres va-
nhos equipamentos" são contro- ria, teremos como consequência
lados pela luz. TEORIA a variação da resistência entre as
placas A e B da figura~ I.
Existem vários elementos sen- Antes de entrarmos nas expli-
síveis à luz tais como: LDR, cé- cações dos sistemas daremos uma Daremos agora algumas carac-
lula fotoelétrica, foto-transistor, rápida explanação teórica a res- terísticas do tipo de LDR comu-
etc. peito do LDR. mente encontrado na praça.
Nêste artigo iremos descrever O LDR é constituído de dois Na figura 2 temos um gráfi-
um dêstes componentes: o LDR. conjuntos de placas entrelaçadas, co que dá a relação entre resis-
Teremos aqui equipamentos tipo conforme pode-s~ vêr na figura tência e lux. Lux é a unidade
industrial e alguns outros que o I. O espaço entre as placas é de iluminamento e corresponde a
leitor poderá experimentar, já preenchido por um material que um lúmen por metro quadrado.
que o custo de um LDR é rela- apresenta a propriedade de va- Conforme o gráfico, quanto
tivamente baixo. Aos leitores que maior o nível de luz menor a
desconhecem o seu preço infor- resistência.
mamos que um LDR custa o
mesmo que um potenciôm~tro Outro fator a ser observado
comum. é a máxima potência para d~ter-

Cremos que alguns leitores es-

tão curiosos a r~speito do signi-
ficado da sigla LDR. Vem do 100k
inglês "Light Dependent Resis- FIG. 1 c::
tor", que traduzido para o por- I
tuguês significa resi~tor qu~ de-
pende de luz. 10k

G artigo constará da descri-

ção dos seguintes sistemas:
I - Acionamento automáti-
co de sinalização de antenas em 1k
prédios
2 - Contrôle automático de
iluminação ambiente
3 - Acionamento automáti-
100
co de porta de garag·em
4 - ContrôJ,e automático de
porta de elevador
5 - Detet'Jr de aproximação
de pessoas
6 - Circuito contador
FIG. 2 100 1.000 10.000

7 - Relé eletrônico -LUX

370 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

minada temperatura ambiente. o relé, acende a lâmpada, a luz vanaçao de luz qu~ êle receba
Para o LDR em questão temos: da lâmpada atinge o LDR, dimi- seja a da luz natural. Com isto
0,2W - 400C, O,lW - 50°C, nui sua resistência, corta a vál- deve-se evitar que êle receba lu-
ow- 600C. vula, abre o relé, apaga a lâm- minosidade de outros prédios ou,
Um fato que às vêz:s torna- pada; o LDR no escuro tem sua por exemplo, a luz de um lumi-
-se um problema é o de que o resistência aumentada, grampeia noso de propaganda.
LDR tem um coeficiente de re- a válvula e assim por diante. E-s-
te é o motivo pelo qual a posi- Se transformarmos êste circui-
cuperação muito lento (cêrca d~ to em um transistorizado, pode-
200k!l/seg), sendo êste uma li- ção do LDR em relação à lâm-
pada é importante. remos utilizá-lo em vdculos
mitação em freqüência. quaisquer de transporte, para
Feitas essas considerações, Ainda quanto à localização do acionar automàticamente as lan-
passemos aos circuitos. LDR, deverá ser tal que a única ternas quando cai a noite. Assim
r-------------------~

Aciooamento Automático de Si·

naUzaçio de Antenas em Prédios.
Tôdas as antenas, tôrres, etc.,
que se encontram em posição 32K450
elevada, tem que possuir uma
lâmpada normalment~ vermelha, BY126
acesa durante a noite, avisando a
existência dêste máximo ponto
elevado. Uma solução seria, no
momento que escurecesse, al-
guém acionar o interruptor des-
sa lâmpada. Porém, como esta-
mos na era do automatismo, uti-
lizamos circuitos que acendem
tais lâmpadas na hora do cre- 1cxy;x:
púsculo, desligando-as ao ama- 15V
nhecer. O circuito do dispositi-
vo acionador está na figura 3A. A parte inferior do enrolamento de 200 v deve ser ligado à lllaS!'a.
Temos uma fonte que forne- FIG. 3 o.
ce 200 V e - 6 V em relação à
t~rra. Fornece ainda 6,3V para
o filamento.
Quando em iluminação diur-
na, o LDR possui uma resistên- r 1
cia de aproximadamente 500!1 e, t h
quando começa a anoitecer tem
cêrca de 50k!l, aumentando con-
L.J/ BY126

forme fôr ficando mais escuro. AO CIRCUITO

EXTERNO 1.00011-F
O LDR e o resistor R (na fi- 15V 12V
gura 3A), formam um divisor de
tensão de grade. Quando o LDR
estiver com 500!1 teremos na
grade uma tensão de aproxima-
damente - 6V, tensão esta su- 4,7k
ficiente para cortar a válvula
com uma tensão de placa de
+ 200V. Porém, quando anoite- ~--~~--._____._______.+ t ~ FIG. 3 b.
ce, a r·esistência do LDR s:>be
para 50k!l (ou mais) e a tensão
de grade sai do corte e tende ao
grampeamento, fazendo com que LÂMINA SUPORTE (METÁLICA!
a válvula conduza fortemente,
fechando o relé e ac·endendo a
lâmpada. O potenciômetro de
3M!l permite um ajuste conve-
niente do valor de R. PLATINADOS/i
Uma precaução deve ser to-
mada em r·~lação à localização MOLA
do LDR e da lâmpada. O LDR
deverá estar em tal posição que
a luminosidade da lâmpada não
o atinja. Caso contrário haverá
oscilação, como veremos a se-
guir. Suponhamos o LDR c a CONTATO 00 RELÉ
lâmpada b:m próximos no es-
curo. A resistência do LDR é
alta, grampeia a válvula, fecha BASE OE MADEIRA FIG. 3c.

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 371

sendo, passemos ao circuito da fi- Contrôle Automático' de Dumina-
gura 3B. Tal circuito pode ser e &EOSTATO ção Ambiente.
ligado a uma fonte de 12V, do No caso de um salão onde
tipo bateria, ou ainda utilizando a RESISTÊNCIA
se deseja manter o nível de ilu-
fonte da figura 3B. O funciona- FONTE DE • EQUIVALENTE
TENSÂC AS LAMPAOAS minação constante, é necessário
mento é bastante simples. Quan- um contrôle. Um sistema ma-
do o LDR está iluminado, sua nual e precário é ilustrado na fi-
resistência é baixa; desta forma, gura 4. Precário porque possui
a base do transistor OC75 fica FIG. 4
vários inconvenientes:
bastante negativa, fazendo com
que tal transistor entre em con- a) Dissipaçao excessiva de
dução. Assim sendo, a corrente calor no reostato (perda de ener-
gia).
de coletor do OC75, que circula
ra ajustar em que nível de ilu- b) Necessidade de um opera-
pelo resistor de 5k!l será alta, dor para acionar o contrôle.
fazendo com que a tensão de minação o circuito opera.
c) Imprecisão do ajuste,
bas~ do AD149 fique bastante Se, por exemplo, o circuito li- além de subjetivo.
reduzida e em conseqüência a gado aos contatos do relé fôr o Aí é que chega a solução ele-
corrente de coletor dêste seja de lanterna de um automóvel, ao trônica. Substituiremos o reosta-
numma: isto implica em baixa anoitecer ou ao atravessar um to da figura 4 por um reostato
corrente pela bobina do relé fa- túnel, as lanternas se acend~rão eletrônico auto-controlado.
zendo com que êle fique aberto. automàticamente. O circuito completo é apresen-
Ao escurecer a resistência do O relé deverá fechar com uma tado na figura 5, sendo compos-
LDR aumenta, a tensão negati- corrente de O,lA e possuir uma to de uma fonte convencional,
resistência interna de cêrca de um amplificador CC, um reator
va de base do OC75 diminui, a 90!1. As especificações do relé saturado e uma válvula contro-
corrente de coletor do referido não são críticas, mas se caso hou- ladora de corrente.
transistor diminui, fazendo com ver dificuldade de conseguí-lo, Como o funcionamento de al-
que a tensão de base do AD149 poderá o leitor construí-I~ a par- guns dos estágios acima citados
fique negativa. ~ste transistor tir de um choque de filtro de não são de conhecimento de al-
entra em plena condução e a bo- baixa freqüência para 150mA e guns leitores, será dada explica-
bina do relé acionará o fecha- resistência interna de cêrca de ção a respeito, antes da descrição
mento do circuito. O potenciô- 90!1. Na figura 3C mostramos do funcionamento do circuito
metro linear de 500k!l serve pa- detalhes da construção do relé. propriamente dito.

RESISTÊNCIA
EQUIVALENTE
ÀS LÂMPADAS

EFIL . i1
FFIL. ~-V3
CA
EFIL ~4

FIG. 5

372 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 A fonte de alimentação não ionizado, impedindo a passagem O seu funcionamento básico é
apresenta novidade por ser do ti- dos elétrons de catodo para a apresentado a seguir.
po convencional. Cabe apenas placa. Mediante uma tensão apli- Uma vareta de material refra-
uma ressalva quanto à isolação cada à grade será possível criar tário está mergulhada no mer-
entre enrolamentos do transfor- um campo elétrico dentro da cúrio sem contudo ser molhada
mador que deverá ser muito boa. válvula suficiente para permitir por êste devido à alta tensão su-
A quantidade de enrolamentos a ionização do gás, tomando o perficial do mercúrio. Aplican-
para a alimentação dos filamen- condutor, o qu~ permite a pas- do-se então uma tensão entre o
tos, deve-se ao fato dos poten- sagem franca de elétrons do ca- mercúrio e a vareta, que é cha-
ciais elevados e diferentes em tado para a placa. Observe-s~ mada ignitor, cria-se um elevado
que estão os catodos. que o fenômeno não é reversível, gradiente de potencial devido à
O amplificador CC é um am- isto é, pode-se conseguir a ioni- reduzida distância que existe en-
plificador diferente dos conven- zação do gás para valores bem tre o mercúrio e o ignitor. Em
cionais. A diferença principal, é determinados de tensão de grade consequência dêsse gradiente de
o tipo de acoplamento. Não são e placa, mas não será possível potencial há a produção de uma
usados capacitares ou transfor- alterar a ionização pela varia- faísca inicial capaz de ionizar o
madores como no caso dos ampli- ção posterior da tensão de gra- vapor de mercúrio contido na
ficadores CA, pois a CC ficaria de. Isto determina que após o válvula, tornando-a condutora,
bloqueada. Para tal, lança-se disparo da válvula só será possí- desde que se aplique à placa uma
mão do acoplamento direto. vel cortar a corrente de placa tensão positiva conveniente. De-
O reatar saturável é um trans- desligando a tensão de placa. O vido às altas correntes maneja-
formador que possui um enrola- fato de se conseguir que a válvu- das, é imprescindível um perfei-
mento CC e dois enrolamentos la conduza imediatamente após to resfriamento da válvula.
interligados CA. O seu diagrama receber na grade um pulso cor-
respondente à tensão de disparo Convém · lembrar que existem
encontra-se na figura 6. O nú- elementos semicondutores, os
cleo dêste RS (reator saturável) é torna a válvula excelente para
ser usada como chave, uma vez SCR que substituem os thyra-
feito de um material cuja passa- trons. A quem interessar o fun-
que é possível comutar grandes cionamento do SCR consultar a
correntes por intermédio de pe- Revista Eletrônica n.0 11, págs.
quenas tensões de comando. 55-58 e n.0 12 págs. 48-52.
O ignitron é uma válvula do
tipo de catodo líquido, sendo Para .o contrôle da corrente
mercúrio o elemento constituin- de tais válvulas é necessário que
te dêste catodo. Suas aplicações a placa e a grade ou ignitcir se-
são semelhantes às do thyratron, jam alimentados com corrente
diferindo no seguinte: alternada.
a) Capacidade de corrente Variando-se a fase entre a
milito maior que a dos thyra- tensão aplicada à grade e a ten-
trons, podendo atingir a casa dos são aplicada à placa ter-se-á uma
milhares de amperes. variação de corrente da válvula,
Pela figura 7 tem-se que: em li-
b) É do tipo de catado frio, nha cheia as tensões de placa
não precisando, portanto, de fi- e de grade para as quais a vál-
lamento. vula dispara e em pontilhado a
c) Pelo fato de trabalhar t-ensão de grade aplicada. Em a
com catado líquido, não haverá as duas tensões estão em fase e a
perigo de ser danificada por um válvula conduz durante o meio
FIG. 6 curto-circuito eventual da carga. ciclo positivo todo. Em b as

gem de não saturado para satu-

rado é brusca. Lembrando que
a impedância de uma bobina di-
minui quando o seu núcleo sa-
tura, é fácil concluir que varian-
do a corrente do enrolamento CC - -t
a impedância do enrolamento
CA também varia. ·
Existem dois tipos básicos de
válvulas controladoras: o thyra- a b
tron e o ignitrt>n. O thyratron
é, bàsicamente, um triodo a gás
no qual a grade de contrôle tem
apenas um efeito de disparo. São
fabricados para correntes desde
a ordem de miliamperes até de-
zenas de amperes. O seu funcio-
namento é descrito a seguir.
Aplicando-se uma tensão en-
tre placa e catodo, o gás conti- FIG. 7
do dentro da válvula não será c

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 373

duas tensões estão defasadas de com que a corrente em V, dimi- R, e LDR formam o divisor de
1800 e a amplitude da tensão nua, e em consequência a inten- polarização de grade de v •.
de grade é maior (em valor ab- sidade luminosa diminuirá. R2 carga de placa de v ..
soluto) do que a tensão de dis- Um segundo . caso será:
paro em cada ponto. Logo, a R, e R. limitadoras da excursão
válvula não conduzirá em qual- de Ru.
quer circunstância. Em c há um b) Diminuição da Iluminação Rs carga de placa de V2.
deslocamento de fase tal que no Se a iluminação diminui a re- R. carga de placa de V,.
ponto y o potencial de grade sistência do LDR aumenta; as- Rt e R. limitadores da excursão
atinge a tensão de disparo, per- sim a tensão grade catodo de V, de R12·
mitindo que a válvula comece a aumenta, a corrente de V 1 dimi-
conduzir. R. protetora da fonte de - B
nui e o potencial de, placa de V 1 de polarização de V, para a
Assim variamos o tempo de aumenta. Neste caso V, sai do situação de Ru fechado.
condução da válvula (espaço ha- corte e V2 fica cortada. A cor-
chureado no desenho), e conse- rente em V, aumenta a satura- R,. e RS formam o circuito va-
quentemente sua corrente média. ção em RS, a impedância dimi- riador de fase para contrôle
Note-se que a válvula não con- nui, a fase varia conveniente- de corrente da V,.
duz durante o segundo meio ci- mente de modo a fazer com que Quando o nível de luminosi-
clo, pois a placa fica negativa. a corrente em V, aumente, e em dade está no valor correto (im-
Após tôdas essas explicações consequência a intensidade lu- posto por R,., R,2 e Ru), as vál-
que serão utilizadas no decorrer minosa aumentará. vulas V2 e V, estarão no ponto
do artigo, passemos ao funcio- Assim consegue-se manter a de corte. Quanto mais próximo
namento do circuito da fig. 5. iluminação a um nível constante. do ponto de corte-condução esti-
verem V2 e V, mais s!nsível se-
Temos dois casos principais a Os potenciômetros R,., R12 e rá o equipamento às variações
considerar: R,, possuem escala marcada em de luz.
níveis de luz.
No que tange à localização do
Ru ajusta o corte de V2 LDR, êste deverá ser colocado
a) Aumento de Iluminação num ponto central da sala, para
R12 ajusta o corte de V,
que êle seja capaz de reconhecer
Se a iluminação aumenta a re- Ru ajusta o polarização de V, em o valor correto do nível de luz.
sistênCia do LDR diminui, assim um valor adequado. Se necessário, pode-se usar mais
a tensão grade-catodo de V, di- de 11m LDR, associando-os em
minui, a corrente de V, aumen- V1 é uma amplificadora CC. paralelo e dando a R1 um valor
ta e o potencial de placa de v. V2 reconhece acréscimo de luz. apropriado à essa associação.
diminui. Neste caso, V2 sai do
corte e V, fica mais cortada. A V, reconhece decréscimo de luz. Com êste equipamento evita-
corrente em V, diminui, diminui mos desperdício de energia, per-
V, mantém a ionização de V,. da de tempo, I! obtemos ilumi-
a saturação no RS, a impedân-
cia aumenta, a fase varia conve- Vs mantém a c.:~rrente nas lâm- nação correta.
nientemente de modo a fazer padas a um valor adequado. (continua no próximo número) .

-0-

OSCILADORES RC. por deslocamento de fase

(Cont. da pAg. 369)

é dar apenas um processo sim- transistores disponíveis. Quanto mento de fase de n seções. O
plificado para o projeto de osci- maior o valor de n, maior será ajuste da resistência de polari-
ladores por deslocamento de fa- a saída possível e menos restri- zação pode se fazer necessário,
se, o uso da Equação III está tas as exigências de ganho para como indicado anteriormente,
justificado. Podemos agora pas- o transistor. Depois de se ter de- para retocar a distorção na for-
sar para o resto do processo de cidido por um valor para n, e ma de onda de saída.
projetar o oscilador. conhecendo-se a freqüência, a A despeito do pequeno êrro
A medida que aumentamos o Equação III será usada para de- que ela introduz, a Equação III
número de seções n, a atenuação terminar um produto RC. Esco- pode simplificar grandemente o
da rêde de realimentação decresce lha um valor de C tal que projeto de um oscilador por des-
e R,, R,, ... , R. aumenta (con- X > z, * (as Equações II e III locamento de fase de múltiplas
seqüência do menor deslocamen- baseiam-se nesta suposição) e en- seções. O ajuste dos valores po-
to de fase necessário para cada tão determine o valor de R que de ser necessário para se chegar
seção). As atenuações típicas va- satisfaça o produto RC necessá- à exata freqüência que se deseja
rio. Os valores para R e C po- mas de qualquer maneira as to-
riam de 29 a 14 vêzes para dem variar muito, mas a condi- lerâncias típicas dos componentes
n = 3 e n = 6, respectivamen- ção ideal é a que toma Xc tão sempre exigem êstes retoques,
te. As atenuações para estas rê- maior que z, quanto possível. mesmo nos circuitos de projeto
des poderão ser obtidas de vá- Obtemos assim os valores de to- mais exato. Na Fig. 1 apresen-
rios livros especializados. O pri- dos os componentes necessários tamos um exemplo de projeto
meiro passo é decidir o valor de para um oscilador por desloca- prático, juntamente com os va-
o. Os fatôres que afetarão a es- lores necessários para duas fre-
colha são: potência de saída de- (•) Onde Z1 é a lmpedAncia de qüências de oscilação: 1KHz e
sejada e características dos entrada do transistor. 15KHz.

374 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

PREAMPLIFICANDO
COM
SILfCIO
Dado o crescente interêsse dos nossos leitores pela
aplicação de transistores de silício em áudio, apresenta-
remos em seguida algumas sugestões relativas a circuitos
de pré-amplificação de áudio.

PR~-AMPL1FICADOR O ganho total, a 1 kHz, é de qual o circuito foi projetado. O

PARA CÁPSULAS DE 1,4 dB e a resposta em fre- mais baixo valor de carga que
qüência (- 3 dB) se estende de não compromete seu desempe-
CERÂMICA 22 a 270kHz, os contrôles de nho é de 500 n, muito embora,
graves e agudos sendo mantidos nesta condição, a sobrecarga se
A figura 1 ilustra um pré- na posição plana. A distorção faça notar com O, 7 V de saída
-amplificador para cápsulas de harmônica total, medida entre (ao invés de 1,5 V), o ganho to-
cerâmica. Graças ao baixo va· 40Hz e 15kHz é inferior a tal caia para 1 dB e o máximo
lor da impedância de entrada O, I % para 0,5 V de saída. A refôrço de graves seja de 13 dB
(700 n a 10 k!l), a cápsula for- relação sinal/ruído, sem carga em 30Hz.
nece um sinal proporcional à na entrada e com o contrôle de ~ste circuito pode ser utiliza-
velocidade do sulco, sendo ne- volume todo aberto e contrôles
cessária uma equalização seme- do em conjunto com o amplifica-
de tom na posição plana, é me- dor de 100 W a ser publicado
lhante à RIAA, a qual é obti- lhor do que 60 dB. Finalmen-
da por meio do elo de realimen- em um dos próximos números.
te, a atuação dos contrôles de
tação R, R,, C, e C,. O pri- tonalidade pode ser assim resu-
meiro transistor é de baixo ruí- mida: PRÉ-AMPLIFICADOR PARA
do, indicado para aplicações dês- CÁPSULAS MAGN~TICAS
• refôrço de graves de 15 dB
te tipo, e sua corrente de traba- em 40 Hz e de agudos de 18 dB
lho é de 140 uA. O transistor em 20kHz; Está ilustrado na figura 2, o
T, opera como adaptador de contrôle de tonalidade sendo
impedâncias e opera com 900 e atenuação de graves de idêntico ao da figura 1. O ganho
uA . O circuito de contrôle de 20 dB em 40 Hz e de agudos de total, em 1 kHz, é de 34 dB, a
graves e agudos constitui um 20 dB em 20 kHz. distorção harmônica total é in-
elo de realimentação, dependen- Tôdas as características aqui ferior a O, 1 % para 0,5 V de
te da freqüência, entre coletor mencionadas dizem respeito a saída e a relação sinal/ ruído é
e base de T,. uma carga de lO kíl, para a melhor do que 60 dB.

AGUDOS
Rg FIG. 1
25k
L lN

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 375

 FIG. 2

Tal como o circuito anterior, ,:...------+--•+18V

êste também pode ser utilizado
com o amplificador de 100 W. 120kn 1,8kQ
12kQ
r-C::::5......--+-•10,8V
CIRCUITOS ADICIONAIS
PARA UM
PR~-AMPLIFICADOR

Um amplificador de alta qua-

lidade, pertencendo a uma cate-
goria menos comercial que a dos
amplificadores convencionais, é
dirigido para um consumidor
mais exigente e sofisticado ou é
destinado a aplicações profissio-
nais. Assim, muitos fabricantes
acharão por bem dotar seu pré-
-amplificador de certos recursos
que o tomem bastante versátil.
Apresentaremos a seguir algu- FIG. 3
mas sugestões destinadas a com-
pletar o circuito.
O pré-amplificadO!" de micro-
fone da figura 3 pode ter seu ga-
nho de tensão variado entre 13
e 40 dB por meio do potenciô-
metro de ajuste de 1Okn incluí-
do no elo de realimenatção. Seu
desempenho pode ser assim re-
sumido:
e distorção h a r m ô n i c a
(1 k.Hz) igual a 0,1 % para 2 V
de saída e inferior a 0,05 % pa-
ra 0,5 V de saída, quando o ga-
nho é máximo;
e para a condição de ganho
mínimo, mantidas inalteradas as
demais condições, os valôres de
distorção passam a ser de O, 7 %
e 0,2 %, respectivamente;
e impedância de entrada de
145 kn e 120 kn para ganhos
de tensão de 13 e 40 dB, res-
pectivamente;
• impedância de saída de
47 n e 120 n para ganhos de
tensão de 13 e 40 dB, respecti- AO OUTRO
vamente; FIG. 4 CANAL

376 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 e resposta em freqüência
de 20 a 20 kHz ou mais larga
quando Gv = 13 dB.
O Circuito de contrôle de equi·
líbrio para estéreo da figura 4
permite uma variação de ganho
de tensão da ordem de 6 dB por
canal. O valor médio do ganho
de tensão é de 23,4 dB e como 22kn 47kn s,BkO s,BkCl 4,7kn
o potenciômetro ck contrôle
faz parte de um elo de realimen- 50kCl 5~F
tação, a distorção varia ligeira- LOG ~~------4--+~~
mente de uma posição extrema
para a outra. Contudo, tal va-
riação é pràticamente desprezí- 22kCl.
vel. A tensão de ruído presen-
te na saída assume os valôres
de 5J.LV, 7J.LV e 15 uY parava-
lôres de resistência de fonte de
sinal (gerador) iguais a 1 k!l,
10 k!l e 100 Q, respectivamen- FIG. 5
te. A resposta em freqüência
se estende de menos de 20 Hz a
mais de 20 kHz, a impedância
de entrada é de 140 k!l e a de
saída é de 85 k!l.

:!W _J_ .II II n n I!

.
A inclusão de um cootrôle de
_l __ ~ ~;
III
1
presença significa que uma par-
te relativamente pequena da fai-
+- , ,.-r~~ ~ T

•
' ' :i I' ' I

xa de freqüências de áudio po- t ~n

. ~n
·. I - -1-;- -~ h ii: -
I i I I
111''
1

~ 11 I
derá ser mais amplificada que
a parte restante. O circuito es- t
-+
. 11! 11, :QI
,
HI
1 I (4: ·I u
-+
tá ilustrado na figura 5, sendo
~~ ,~,1 I
n1' H =
1

constituído por um amplificador 1

cujo elo de realimentação é um

filtro duplo-T sintonizado em a) 1
,,' ~ lllill ~ li'''
'
2 kHz. A figura 6 apresenta as
'O
il ll
-
110'!
curvas de meio-refôrço e refôrço
total, além da curva quase pla-
t i ,, ~~~~ iii:!!
na. Como vemos, êste tipo de
contrôle proporciona um maior
n I
I
n I

11, 1 II
!!estaque às freqüências d! vo7
A distorção é inferior a O, I % I n' n 1 '1
!I: 1. III

11u
' '
desde que a tensão de saída não
ultrapasse o valor de 250 mV.
O ganho de tensão - curva pla-
I u uI,ii ii u
20 50 100 200 500 1.000 2.000 5.000 20.000
na - é d~ 0,95 e as impedân-
..:ias de entrada e de saída são --t(Hzl
iguais a 12 k!l e 100 n, respec-
tivamente. FIG. 6

,160pF ~------.-----------------~~----~~---e+18V
i

270k0

IOOknr r r Jí
.. - - -1-
l 60pF ·
':{ · z4 o pF
15Ukfl 1

FIG. 7

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 377

 O filtro de zoada (rumble) e
chiado da figura 7 permite uma
atenuação de 13 dB por oitava,
sendo constituído de dois elos de
realimentação dependentes de
freqüência conectados a dois
transistores ligados em configu-
ração seguidor do emissor. A
faixa de passagem tem seu Iimi·
te inferior (- 3 dB) fix ado em
45 Hz, enquanto que o limite
superior (- 3 dB) pode ser esco-
lhido entre 7kHz, 12kHz e
16 kHz. O ganho de tensão não
ultrapassa 0,95 e a distorção é
de O, l % para um sinal de saí-
da de l V. As impedâ ncias de
FIG. 8
entrada e de saída são de I, 7 Mn
t 450 n, respectivamente. A fi-
gura 9 apresenta as curvas de
I ~III
I
resposta desse filtro de zoada e
• III
chiado.
O amplificador nústurador da
figura 8 possui duas entradas,
11, I
I
• ~
~~ ~' !~
~ t~
cada sinal sendo injetado na ba-
se de um BCJ08. Depois de mis- . ! ~
ll, 11
,,~

turados, os dois sinais são apli- ~, ~,

cados à base de outro transistor
•
IIII l, ~
BC 108, o qual está ligado como
seguidor de emissor baixa .rJ l~
i
impedância de saída. O ganho
de tensão para cada entrada é
! ~
igual à unidade e para uma dis- I ~
torção de 0,5 % a tensão de en- rJ
trada não deve ultrapassar I V, :
caso contrário haverá sôbre-ex-
citação.
~
11
I

1() 20 50 100 200 500 1000 2.000 5.000 20.000

-f(Hz)

FIG. 9

• • •
os elementos e no organização dos detalhes que le-
NOTíCIAS DO MUNDO varam ao notável triunfo de circunovegor o Lua e
transmitir os imagens de suo superfície o somente
(Cont. da pág. 350) 112 quilômetros de altura, para logo regressar à
Terra. Foram quase sete dias de expectativa mun -
dial que nunca diminuiu e que, pelo contrário, foi
em crescente suspense até culminar com a travessia
RCA DESENVOLVEU TR!S EQUIPAMENTOS ELE- da nossa atmosfera suportando temperaturas de
TRôNICOS QUE . FACILITARAM A FABULOSA mais de 3 .000°C, a uma velocidade de 12 quilôme-
t•os por segundo.
FAÇANHA DA "APOL0-8".
A RCA se sente orgulhoso de ter contribuído
em parte com o êxito desta proeza, graças aos seus
A câmara de televisão que transmitiu as ima- bens e manancial no campo eletrônico. A nave es-
gens da superfície lunar; os equipamentos de trans- pacial contou com três equ ipamentos RCA, funda-
missão e recepção desde o veículo espacial até a mentais para o bom desenvolvimento e segurança
terra e vice-versa; e o radar que permitiu o rastreio de vôo.
da nave em seu regresso desde a lua até o Oceano
Pacífico, foram criados pela RCA e contribuíram em Em primeiro lugar, a câmara miniaturo de te-
muito para o êxito do Projeta Apolo. levisão de apenas 2.500 gramas de pêso, foi fabri-
cado especialmente pela RCA para o Projeto Apolo,
Muitos milhares de engenheiros, técnicos, cien- e elo permitiu captar e transmitir à Terra as ima-
tistas, operários e empregados - calculam-se mais
de 300.000 - intervieram rto fabricação de todos (Cont. na pág. 411)

378 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 aestabilizacão
de
tensões
com . d t
sem1con u ores III

UTILIZAÇÃO DE TRANSISTORES PARA AMPLIAÇÃO DA

FAIXA DE ESTABILIZAÇÃO DO DIODO ZENER

Se a corrente máxima da car- mente é obtida por meio de um lada simplesmente pelo diodo
ga fôr maior do que o valor cor- diodo Zener e que por isso apa- Zener por escapar à sua faixa
respondente a 0,9 lz ~... a esta- rece na fig. 1 como Vz. de contrôle.
bilização de tensão não poderá
mais ser feita exclusivamente Quanto menos a tensão de refe- A queda de tensão entre a
através de um só diodo Zener. rência variar e quanto menor fôr base e o emissor é pequena e
Nesse caso utilizamos o circuito a variação da tensão V sE tanto em geral da ordem O, 1 a 0,3 V,
apresentado na fig. 1 no qual o mais estável será a tensão de para o transistor de germânio. A
transistor funciona como uma saída Vs. resistênsia dinâmica do coletor
resistência variável em série com sendo muito grande, faz com
A corrente de carga IL se cons- que a variação da corrente de
a resistência de carga RL. A ten- titui na corrente de emissor do
são entre o coletor e o emissor emissor e portanto da corrent(!
transistor. Uma pequena parte de carga seja bem pequena. Se
(Vc•) representa exatamente a dessa corrente (Is) flue pela base
diferença entre a tensão de saí· a tensão de entrada diminui, a
e pelo elemento que dá a ten- corrente diminui só um pouco.
da (V s) e a tensão de entrada são de referência (Vz), o restan-
(VE). Com uma variação da ten- te flue pelo coletor (corrente de Vamos introduzir alguns con-
são de entrada, o ponto de tra- coletor lc) em direção à entra- ceitos antes de examinarmos o
balho do transistor s~ desloca de da. O diodo Zener serve para projeto de um circuito estabili-
tal maneira que a resistência compensar as variações da cor- zador dêsse tipo.
apresentada pelo mesmo varia o rente de base, que se situa den-
suficiente para manter a tensão tro da faixa de 0,9 lz ma.· Assim a) resistência interna diferen-
na carga (V s) constante. Para conseguimos, através do contrô- cial do circuito: é definida como
êsse tipo de estabilização é ne- le de uma corrente pequena pelo sendo
cessário que se utilize uma ten- diodo Zener, controlar uma cor-
são de referência (de baixa re- rente dezenas de vêzes maior
sistência interna) que normal- (ld que não poderia ser contro-
onde
TENSÃO NÃO
ESTABILIZADA /::,.V sE = variação da tensão
,----- base-emissor
/::,.Vz =variação da tensão
Zener
FIG. 1 /::,. IL = variação da cor·rente
t de carga
Estas vanaçoes ocorrem devi-
I do à variação da tensão de en-
I trada não estabilizada (V d ou da
I_____ I
t resistência de carga (Rd.

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 379

 Em geral, em primeira aproxi- lembrar sempre que é o diodo O valor máximo da tensão
mação, Zener com a maior tensão de em vazio é dado por:
0,2 a 0,3V Zener que determina a máxima
r;=----- corrente de Zener (lz ..,..) que po-
h de fluir pela associação. onde
K
b) a medida da qualidade da
estabilização é dada pelo chama- -b
do fator de estabilização que re- TENSÃO DE ENTRADA K =
sulta da relação (B) entre duas
Devi~o a considerações relati-
1 +a
quantidades, uma das quais sem-
pre é relativa à tensão que se vas a potência dissipada no tran- sendo a o valor da tolerância pa-
deseja manter constante (V s) e a sistor a tensão de entrada não ra mais da tensão de entrada e
outra à grandeza que varia (ten- deve ser muito grande. A ten- b o da tolerância para menos. A
são de entrada ou resistência de são VE>, que alimenta o diodo tensão de zumbido deve ser in-
carga). Zener, pode ser maior do que o cluída na tolerância.
valor VE, o que faz com que ge-
Essa quantidade (B) é definida ralmente cada uma das tensões A tensão EE, ,..,. é a máxima
como a variação porcentual da de entrada possua seu próprio tensão que surge sôbre o con-
grandeza considerada. circuito retificador. densador C, quando IL = O
(fig. 2). Ela corresponde pràti-
Assim, para a tensão de en- Para determinar a tensão de .camente ao valor de pico de
trada temos entrada VE, devemos considerar tensão no secundário do trans-
as tolerâncias permitidas relati- formador (corresponde a VE 1)
vas à tensão <k ~ntrada, ao que menos a queda de tensão nos
~e deve somar o valor de pico retificadores cêrca de IV por re-
de eventuais tensões de zumbi- tificador de silício..
que exprime a variação porcen- do existentes.
tual da tensão de entrada. O valor necessário da tensão
Da mesma forma para a ten- Admite-se 2 volts como valor de alimentação do diodo Zener
são de saída temos: mínimo da tensão entre coletor é:
e emissor, em condições de má- z- 1
'Bs = xima corrente de carga (IL...,.) e Vnmax = Vz - - - - -
mínima tensão de entrada (VE,). YZ- 1
Vs Daí decorre:
Comparando com equação se-
A relação entre Bs e BE nos VElmin = Vsmu + 2 (volts) melhante dada em artigo ante-
dá o fator de estabilização Sv rior (Rev. Eletrônica n.0 28) vê-
!!,. Vs/Vs
A tensão em vazio da fonte de ·se que a grandeza K do deno-
alimentação (EE,,.,.) correspon- minador foi substituída por ou-
Sv = dente a VElmin obtida somando- tra Y. A razão é que K expri-
!!,. VEIVE
-se à tenSãO V El min a queda de me apenas a relação entre as
Conhecida a vanaçao porcen- tensão devida à resistência in- tensões de entrada em vazio. Na
tual da tensão de entrada e mul- terna da fonte de alimentação prática no entanto, somos obri-
tiplicando-se-a pelo fator de es- (R,). Assim: gados a considerar na determi-
tabilização Sv obtém-se a varia- nação de V E> também, por eXem-
ção porcentual da tensão de saí- plo, em fontes de alimentação
da. Quanto menor Sv, eviden- que possuem um só transforma-
temente tanto mais estável será Se a fonte de alimentação fôr dor para VE, e VE>, o efeito das
a tensão Vs. contínua k' é igual a 1. Se fôr variações de carga sôbre R,.
alternada o valor de k' pode as- Portanto aí obtemos para a
Se no entanto desejamos saber sumir os seguintes valôres: mínima tensão de entrada em
qual a influência da variação da k' E!l 2,5 a 3 para retificação vazio o valor:
carga, convém utilizar o fator de de onda completa.
estabilização SR definido como se
segue: k' E!l 5 a 6 para retificação
de meia onda. 2

onde = BRL

DIMENSIONAMENTO DO
CIRCUITO DE
ESTABILIZAÇÃO
Com o circuito da fig. 1 po-
demos estabilizar tensões de até
80V e alguns amperes de carga.
As altas tensões de referência
necessárias podem ser obtidas --~--._---4----~~--~--4---•+
pela associação em série de vá-
rios diodos Zener. Devemos nos FIG. 2

380 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

e Y é definido como sendo a pregado é necessário que se de- Quando tratamos de fontes de
termine a potência dissipada pe- alimentação contínua, essa ex-
E*Etmin lo transistor em funcionamento. pressão é válida sem restrições.
relação
Para a menor tensão de entra- Porém, com fontes de alimen-
da (VEt .,,.) e a maior tensão de tação de corrente alternada em
A relação Y é menor do que saída (Vs ...,.) deve-s! garantir que se faz necessária uma reti-
K e acarreta portanto um valor uma estabilização perfeita quan- ficação vimos que se devia intro-
para VE2max maior do que aquê- do a corrente de carga atinge seu duzir um fator k que dependia
le obtido se tivéssemos simples- valor nominal ILmax· do circuito retificador utilizado.
mente usado a fórmula reco-
mendada no artigo anterior. O mínimo valor da tensão em Portanto:
vazio E., mtn é:
(E EI mu ·- V S mln) 2
O DIODO ZENER
EF.tmin = Vsnux + Ytran~i stor + Pomaa =
+ k · ILO,.. · R, 4 · k ·R,
A tensão de Zener é pràtica-
mente igual à tensão de saída Onde V,.••,, ..., é a tensão mí-
v•. nima entre coletor e emissor. ESCOLHA DO TRANSISTOR
O Zener deve compensar as Daí decorre o valor máximo Na maioria dos casos empre-
variações da corrente de base da tensão em vazio: ga-se um transistor de potência.
Ia e da tensão de entrada V.,.
O valor máximo da corrente de A max1ma temperatura de
base é obtido pela divisão do junção (T1), permitida (75° até
valor máximo da corrente de K 900 para transistores de Germâ-
carga pelo menor valor que se nio, por exemplo) consta do ma-
pode esperar para o coeficiente Além disso a maior corrente nual para qualquer tipo de tran-
de amplificação da corrente con- de carga possível em condições sistor. A temperatura ambiente
tínua do transistor escolhido de sobretensão (na. entrada) e so- T. é da ordem de 45 a 600C.
(hFEmin) brecarga é dada então pela se-
guinte expressão: A máxima potência dissipada
permitida se obtém da expressão
Iamn = EEtmas - Vsmin
hFEmin T;- T.
Se o circuito deve trabalhar k · R, P1o1 =
também em vazio a faixa de va- Ora, a potência dissipada é
riação da corrente de b<~se vai máxima quando a resistência onde Rcc é a resistência térmica
de O até Ia ...., entretanto se a apresentada pelo transistor (Rr) é entre a junção base coletor e o
corrente de carga não puder ser igual à resistência interna da fon- envólucro do transistor.
menor do qu! um certo valor, a te (R 1).
variação da corrente de base se- Para o transistor escolhido ês-
rá apenas, Nesse caso a corrente que flui se valor deve ser maior do que
ILA o da máxima potência dissipada
pela carga é igual a h = --. calculada no item anterior.
Substituindo nas fórmulas de- 2
duzidas no artigo anterior h por
Ia obtemos: Portanto a potência dissipada ASSOCIAÇÃO EM CASCATA
máxima ocorre para uma corren-
Iam;n + Izmox te de carga que é igual a meta- Se a corrente IL. fôr muito
z = de da corrente de carga máxima grande, a máxima corrente de
Iamax + O, llzmax possível. base Ia .... poderá ultrapassar o
Já que vamos utilizar um con- valor 0,9 Iz .... e então será ne-
densador (C,) para "alisar" ainda A tensão sôbre o transistor cessário associarem-se dois ou
mais a tensão contínua, a resis- (Vr VcE) é igual a mais transistores em cascata
tência em série será dividida em (fig. 3).
Eetmu- Ysmin
duas resistências de igual valor:
VE2mu - Vz 2
R,=
2 Iamin + Izmax pois a tensão total E., .... - V sm;n
se divide igualmente pelo tran-
Daí decorre para VE2mu sistor e pela resistência interna
R,.
VE2mu = Vz + 2R, (lamin +
+ Izmul Sendo a potência dissipada no
transistor dada por
O TRANSISTOR DE Po = Vr · IL
POTtNCIA
Obtemos como expressão da
Detenninação da máxima potên- potência máxima dissipada: FIG. 3
cia dissipada pelo transistor
EEima:r. Vsmin
Para se escolher o tipo mais Pomn =
correto de transistor a ser em- 2 2 4R,

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 381

 A amplificação total de cor- cia, uma tensão bem pequena o onde
rente devida à associação de que garante a estabilização da IL em mA
dois transistores somente é igual tensão. Deve ser usada necessà-
a hrs =0,9' · hFE, · h,u onde riarnente quando IL pode assu- C em J,LF
hFE, e hFE2 são os coeficientes de mir o valor zero. V, em Volt
amplificação de corrente contí-
nua dos transistores T, e T, res- Vs Se impomos a condição de
pectivamente. R, ~ - - - - - - onde leso que o valor de pico da tensão
leso (9QOC)
de zumbido não deve ser maior
Para o cálculo da máxima do que 5% da tensão de saída
corrente de base Is.... da asso- (9QOC) é obtido dos manuais.
Vs, obtemos:
ciação em cascata de dois tran- Resistência R,
sistores usamos para hFE, e hFEZ v2 1,87 I,
os seus valôres mínimos de on- Ela é incluída no circuito c,
de resulta então b,,m,n· quando pelo mesmo circula em = 0,05
=
Vs
quaisquer condições urna corren-
ILmax te de carga mínima (ILmln). ILmu
Ia,...=---
A máxima corrente que passa
= 5 2v.
--
hFEmin
então por R, não deve de mo- onde
Evidentemente deve ser obe· do algum ser maior do que ILml••
porque senão a estabilização de IL em mA
decida a relação:
tensão só se iniciará para valô- Vs em Volt
Ia,... ~ 0,9 • lzmu res de corrente de carga rnai.:>-
A resistência Ra tem seu va- res do que ILmln· C, em J,LF
lor determinado através da Para o cálculo de R, devemos Condensador C2
f 6 r rn u 1 a obtida experimental- sornar à tensão máxima para
mente: uma carga nominal VE ...., a que- O condensador é necessano
da de tensão causada pela resis- quando podem ocorrer variações
10Vn (T1) 10 · 0,3 tência interna da fonte. de carga muito rápidas que fa-
Ra = =
R,=
sendo que Ra serve para assegu- 0,9 JLmin
rar o corte de T,.
A estabilização de tensão co- çarn com que a corrente de car-
Portanto por Ra flui no máxi- meça a funcionar dependendo da ga ultrapasse o valor ILmax·
mo uma corrente igual a O, 1 da tensão de entrada, entre O e 0,9
corrente máxima de base do IL"''" sendo que êstes valôres va- Embora cada caso merecesse
transistor T 1• lem para a mínima tensão de um estudo em particular, pode-
entrada e a máxima respectiva- mos adotar para C, o valor ob-
Podemos associar mais de dois mente. tido empiricamente:
transistores, mas a prática reco-
Assim a resistência em para-
C, = 100 · ILm"' onde
menda que não se use mais do
que três já que a resistência di- lelo R, deve ser usada principal- ILmax em A
ferencial r, se torna muito gran- mente quando tivermos de com- C em J,LF
de o que diminui a precisão do pensar quase que somente varia-
contrôle da estabilização de ten- ções da carga, permanecendo a Com êsse valor, a corrente na
são. tensão de entrada pràticamente carga pode ser igual a 1,5 ILm••
constante. durante 1 rnílisegundo
Aproximadamente: Condensador C,
n · Vn n · 0,2 DIMENSIONAMENTO Para diminuir a tensão de
r, = = DOS CONDENSADORES "ripple" no diodo Zener pode-
mos utilizar o condensador C,.
Condeusador C,
onde n é o número de transisto· A impedância capacitiva para
res associados em cascata. O condensador C, serve para uma freqüência de 120 Hz (re-
"alisar" a tensão de entrada, pois tificação de onda completa) não
corno já dissemos anteriormente
Dimensionamento das resistên- 6 conveniente que essa tensão 1
cias seja a mais isenta de "ripple" deve ser superior a - - do va-
possível. 20
Resistêoeia R, Evidentemente que é obtida lor da resistência R,.
através de um retificador de on- R,
A expressão que nos dá R, já da completa ou de um circuito
foi examinada no item "o diodo ---~
Zener".
ponte. A tensão eficaz de zum- w. c, 20
bido sôbre o condensador, para
uma freqüência de rêde de 60Hz 26,5
e retificação de onda completa ou c, = --, onde

Serve para fazer com que IL c, em J,LF

exista em vazio, entre o emissor v. = 1,87 .
e a base do transistor de potên- c R, em k!l

382 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 Separação Estudo de circuitos de separação
de sincronismo em receptores de

de
TV transistorizados. Descrição
das características e funciona-
mento dos diferentes circuitos.
Estão incluídos exemplos típicos
• •
s1ncron1smo
de realização prática.

em reef(JÚJreJ de lf/lrtJMifloriZodM
OS SINAIS DE Na figt.Lra 2 e~tão representa- dro. Para tanto, é necessário se-
SINCRONISMO dos os limites da imagem resul- parar os sinais de sincronismo
tante sôbre a tela do receptor. vertical do horizontal. Na trans-
l<'uoção dos Sinais de Durante o intervalo de t1 a t2 o missão, êstes sinais se diferen-
Sincronismo feixe de elétrons do tubo de ima- ciam por sua duração, o que per-
gem é modulado pelo sinal de mite que na recepção se transfor-
Os circuitos que produzem a luminância, e entre tz e t6 por me essa diferença de tempo em
varredura do feixe no tubo da uma tensão compreendida entre uma diferença de amplitude, co-
câmera do transmissor e no tu- o nível de referência e o de su- mo veremos mais adiante.
bo de imagem do receptor devem pressão. O intervalo de tempo
estar, perfeitamente sincronizados. compreendido entre t, e t, cor- Se bem que a forma dos si-
Esta sincronização se obtém responde ao período de retômo. nais de sincronismo horizontal é
controlando o disparo dêsses cir- pràticamente igual para todos os
cuitos mediante sinais de sincro- A duração e a amplitude rela- sistemas, não ocorre o mesmo
nismo aplicados simultâneamen- tiva dos sinais de sincronismo de- com os de sincronismo vertical.
te no transmissor e no receptor. pendem do sistema empregado. As diferenças consistem, princi-
palmente, na duração do sinal de
~stes sinais devem atuar os sincronismo vertical.
circuitos que produzem as varre- Sincronismo Vertical
duras vertical e horizontal. As- Existe sistema em que a dura-
sim, ao final de cada linha deve- ção do sinal de sincronismo de
rá haver um sinal de sincronis- A função do sinal de sincronis- quadro é menor que o tempo ne-
mo horizontal e ao final de ca- mo vertical consiste em disparar cessário para explorar meia li-
da quadro um sinal de sincronis- o circuito de varredura de qua- nha. ~ste sinal consta de um só
mo vertical (ou sincronismo de
quadro).

Sincronismo Horizontal FIG. 1

NÍVEL DE
A figura I apresenta o sinal SUPRESSÃO
de vídeo que corresponde a uma , NÍVEL DE
linha de varredura horizontal: ~~ - :~~~ 15~ ~ 6 - RiFERENCtA
I I I I
- De t. a tz temos o sinal de I I I I I
__ __ _ L L 1- _ r 1- - - - -
luminância, cujas variações 1
121 H3~4 16's,
de amplitude estão compre-
I I 1!
endidas entre os níveis de
branco e de prêto.
2 De tz a t, e de t, a t. en-
contramos os dois pedestais
situados a um nível bem
próximo ao do prêto. Têm FIG. 2
por objetivo evitar que o
sinal de luminância pertur- I

be o de sincronismo. T
I

3 - De h a t. temos o sinal de '

sincronismo destinado a
Flp. 1 e 2
disparar o circuito de var-
redura horizontal. Sinal de sincronismo horizontal.

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 383

 QUADRO PAR
I h
I
I
I
h h l h •: h '• ~ I h 1 h
h
~
j h I

I I ~
I
I
I l FIG. 3
I
I

: i
'
,SINAL DE 1SINAL DE I SINAL DE
•PRÉ- 'SINCRONISMO :PÓS- 1
~QUALIZAÇÃO ~VERTICAL : EQUALIZAÇÃ~ QUADRO IMPAR

[ hr---.lr-lfl}- FIG. 4
' '
Flgs. 3 e 4
Sinal de vídeo completo.

pulso. Nos outros sistemas, a du- treitos, um de cada lado do si- As características do sinal,
ração é superior à de uma linha. nal de sincronismo de quadro. uma vez separado, serão:
Neste caso, o sinal é mais com- Os pulsos se repetem a interva-
plexo, já que ao mesmo tempo los de meia linha e sua largura a) supressão total do sinal de
tem que assegurar o disparo da equivale à metade da largura do luminância na informação
varredura vertical e da var- sinal de sincronismo horizontal. de sincronismo; se depois da
redura horizontal, concomitan- separação surgir uma parte
temente. ~stes pulsos equalizadores per- do sinal de luminância, ain-
mitem ao circuito discriminador da que pequena, o disparo
Um sinal de sincronismo de adotar um estado elétrico idên- do circuito de varredura se-·
quadro de duração maior que a tico para cada quadro, antes e ria afetado pelo conteúdo da
de uma linha, daria lugar duran- depois dos pulsos de sincronis- imagem; e
te o transcurso do mesmo a uma mo vertical.
supressão dos sinais de sincronis- b) amplitude dos sinais de sin-
mo das primeiras linhas, o que cronismo à saída do separa-
provocaria uma perturbação de SEPARAÇÃO DA INFORMA- dor independente do sinal de
sincronismo na parte superior da ÇÃO DE SINCRONISMO entrada.
imagem (efeito bandeira). Para
solucionar tal problema, o sinal Se se disparassem os gerado-
de sincronismo de quadro é res de varredura com o sinal de Restauração da Componente
constituído de forma que tenha vídeo completo, o sinal de lumi- Contínua
a intervalos de uma linha, bordo nância poderia afetar o sincro-
vertical que se apresente pareci- nismo. Em face a isto, deve-se Para efetuar uma correta se-
do com o do sinal de sincronis- separar a informação de sincro- paração, é necessário que os si-
mo horizontal (figuras 3 e 4). nismo da de luminância.
n~~:is de sincronismo estejam per-
Os circuitos separadores são feitamente alinhados sôbre o
Para assegurar o entrelaça- mesmo nível de referência.
mento, sabemos que o sinal de constituídos por elementos ativos,
sincronismo de quadro seguirá que deixam passar os sinais apli-
cados unicamente dentro de cer- ~ste alinhamento é perdido
um de sincronismo de linha, com quando se aplica o sinal de vídeo
um intervalo de uma linha ou tos limites de amplitude. ~stes
limites de funcionamento devem por meio de um circuito de aco-
meia linha, segundo se trate de plamento que compreenda um
um quadro par ou ímpar. Po- estabelecer-se de forma que pos-
sa passar só a informação de sin- capacitor. A saída dêste circuito,
rém, o estado elétrico do siste- os sinais de sincronismo já não
ma que na recepção separa o si- cronismo compreendida entre o
nível de supressão e o nível de têm mais o mesmo nível de refe-
nal vertical do sinal de sincro- rência: êste depende do conteú-
nismo horizontal, pode ser distin- referência (figura 5).
do da imagem, dado que o sinal
to, segundo se trate de um ou Para que essa separação seja de vídeo se equilibra de um e de
outro quadro, como veremos correta, é necessário que o poten- outro lado do potencial zero
adiante. Disto resultará uma im- cial de referência dos sinais de (massa) segundo se pode ver pela
precisão no disparo do circuito sincronismo seja constante. figura 6.
de varredura vertical; as linhas
de um quadro não ficam exala-
mente intercaladas com as do an- BRANCO
-r------- -
terior e inclusive chegam a con-
fundir-se. :-ORMAÇÃO;
LUMINÂNCIA :
Para afastar êste inconvenien-
te empregam-se os sinais deno- Ní_VEL,. DE SUPRESSÃO
minados "equalizadores" (figuras !NFORMAÇÃO
DE ,
l-
3 e 4). ~stes sinais estão forma- FIG. 5 SINCRONISM~i_ __

dos por dois grupos de pulsos es-

384 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 diminuição do nível de saída .
Anàlogamente ocorre com sinais

.Ulr.& ..lc-R -iflr-A=~~L_DE

NIVEL DE REFERENCIA
de vídeo de polaridade negativa;
apenas deve-se inverter as pola-
ridades do díodo e da pilha E.

FIG. 6 Separação por diodo em série:

c Aqui o díodo não conduz pa-

ra amplitudes correspondentes ao

.JluL}r NÍVEL DE -REF. - --

][
' ' J:1_fi_ NIVEL DE REF.
sinal de l.uminância, isto é, não
se transmtte o sinal de luminân-
c.ia (figura 12). O divisor capaci-
ttvo constituído pela capacitância
entre catodo e anodo do díodo e
FIG. 7 a capacitância distribuída entre
Para restaurar o nível de refe- do. Porém, apresenta dois incon- anodo e massa permite a passa-
rência (alinhamento) usa-se um· venientes: gem de uma parte do sinal de
circuito grampeador chamado vídeo (figura 13). O mesmo
restaurador C.C. apresentado na a) depois da separação subsiste acontece com o sinal d·e polari-
nos sinais de sincronismo dade negativa, para o qual de-
figura 7. vem-se inverter as polaridades
uma parte do sinal de lumi-
nância, e do díodo e da pilha E.
Polaridade do Sinal de Vídeo b) é necessário ajustar o nível
de separação em função da Separação por Transistor
Por definição, se denomina po- amplitude do sinal de vídeo.
laridade positiva aquela de um
sinal de vídeo cuja parte de lu- A separação por díodo pode Como vimos, a separação por
minância é positiva com respeito ser efetuada de duas maneiras: díodo apresenta vários inconve-
ao nível de prêto (figura 8). em série e em paralelo. nientes, além do que o corte se
produz só de um lado. Com
Pode-se observar que os si- transistor corta-se o sinal por
nais de sincronismo estão abaixo Separação por diodo em paralelo: ambos os lados. O corte e a sa-
do nível de prêto; portanto, nes- turação são os estados caracte-
te caso são negativos com res- Vejamos com sinal de polari- rísticos do transistor.
peito ao nível de prêto. Inver- dade positiva (figura 10).
samente ocorre com os sinais Com transistor NPN (ou PNP)
de vídeo de polaridade negativa A separação obtida com êste tem-se que aplicar na base um
(figura 9). circuito não é perfeita. Com efei- sinal de vídeo de polaridade ne-
to, a resistência interna do díodo gativa (ou positiva). Com efeito,
na condução não é nula, e se consideremos o circuito da figu-
aplica uma parte do sinal de ví- ra 14. Para que os picos do si-
deo nas etapas seguintes através nal de sincronismo provoquem
uma corrente na base, o sinal de
p entrada deve ser negativo. Tal
do divisor resistivo (fi- provocará uma corrente de cole-
tor: ter-se-á a informação de sin-

Fig. 8
Sinal de vídeo de polaridade positiva.
R1

A
A

ANODO
--- LIMITE . D~ CATODO
SEPARAÇAO

- · N;'IEL. CÍE- REFE RÉNÓA

E=ª::
R2 liJI..
NÍVEL DE REF.

Fig. 10

Separação por diodo em paralelo.

Fig. 9
FIG. 11
Sinal de vídeo de polaridade negativa.

gura 11 ). A primeira vista, pa-

Separação por Diodo rece que aumentando R 1 poder-
-se-ia diminuir êsse inconvenien-
O procedimento mais simples te. Entretanto, essa operação é r
para separar a informação de limitada pelo efeito de integra-
sincronismo da de luminância é ção exercido sôbre os sinais de
a separação por meio de um dio- sincronismo horizontal e pela

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 385

 Slf·J.<L DE ENTRADA . ~~c--~----~

~:r~AÇ~ T
C•CAPACITANCIA ENTRE
ANODO E CATODO
DO 01000
c'
SINAL DE SAlDA C'•CAPACITÃNCIA PARASITA

---/----'-
v
··-NI.VEL...DE. REFERENCIA
-.-.. •
E-:-
y • lilL·_ ENTRE ANODO E MASSA

NÍVEL DE RE~
FIG. 13
Fig. lZ
Separaçio por diOJlo em série. +150

~R1
·---·
r'1
UR2
PARA O
SEPARADOR •

•
I

PARA O SEPARADOR
Fig • . 15
Fig. 14
Amplificador de vldeo e posslveill saldas para o
Separação por transistor PNP, separador.

cronismo separada da de lumi- b) O sinal de vídeo aplicado à Discriminação de um Sinal de

nância entre os extremos do re- base do transistor pode alcan- Sincronismo Completo
sistor R. com polaridade negati- çar até várias dezenas de
va. volts de pico a pico. Portan-
to, é necessário escolher um a) Por integração
transistor capaz de admitir
Escolha do Transistor estas tensões entre emissor e A figura 18 representa a for-
base (transistor de alto "bre- ma do sinal na saída do circuito
akdown" emissor-base). integrador. A carga do conden-
a) o tipo de transistor NPN ou sador é pequena durante os pul-
PNP a utilizar depende da c) A capacitância entre a entra- sos de sincronismo horizontal e
polaridade do sinal de vídeo da e a saída, isto é, capaci- de equalização. Durante o tempo
aplicado à base do mesmo: tância base-coletor, deverá que corresponde aos cinco pul-
PNP para sinal de vídeo ser a menor possível, para sos do sinal de sincronismo ver-
positivo evitar que parte do sinal pas- tical, os períodos de carga do
se diretamente ao coletor. condensador são mais largos que
NPN para sinal de víd-::o os de descarga e a tensão entre
negativo d) A frequência de corte do seus extremos vai aumentando, e
transistor f deve ser superior
s chega ao máximo para o flanco
A resistência de entrada de a 2MHz. Com efeito, a cor- anterior do último pulso vertical.
um transistor em emissor comum reta transmissão dos bordos Depois, a duração dos períodos
está compreendida entre 500 e anteriores dos sinais de sin- de descarga se faz bastante
1.000 ohms, o que toma necessá- cronismo requer uma banda maior que de carga, diminuindo
rio tomar precauções especiais de frequência relativamente a tensão entre os extremos do
para não carregar demasiado o ampla. condensador. Note-se que, no
circuito do qual se obtém o si- momento de aplicar o sinal de
nal de vídeo. sincronismo vertical, o estado
DISCRIMINAÇÃO DOS elétrico do circuito integrador é
~ste sinal se obtém na saída
SINAIS DE SINCRONISMO pràticamente igual para os dois
do amplificador de vídeo; por
exemplo, do catodo do tubo de quadros.
Como foi dito, ao final de ca-
imagem (sinal negativo). Um di- da linha é necessário enviar um
visor resistivo evita que a ten- sinal de sincronismo horizontal e b) Por diferenciação
são de entrada aplicada à base ao final de cada quadro um si-
do transistor separador seja de- nal de sincronismo vertical. As- A figura 19 representa a for-
masiado alta. Outra solução con- sim, pois, será necessário sepa- ma de sinal na saída do circuito
siste em obter o sinal de vídeo à rar os sinais de sincronismo. diferenciador. Enquanto se pro-
entrada do amplificador de ví- duzem os 5 pulsos de sincronismo
deo. Nos amplificadores transis- Para efetuar essa separação, vertical o sinal entre os extre-
torizados é necessário, geralmen- utilizar-se-á a diferença de dura- mos do resistor aumenta expo-
te, intercalar entre o detetor e o ção que caracteriza cada uma nencialmente e alcança o valor
amplificador de vídeo um tran- das classes de sinais de sincronis- para o flanco posterior do últi-
sistor montado em coletor co- mo. Transformar-se-á esta dife- mo pulso de quadro. Aplicando
mum (casador de impedância); o rença de amplitude com a ajuda o raciocínio empregado para a
sinal poderá então ser obtido no de um circuito diferenciador (fi- diferenciação de um pulso de lar-
coletor ou no emissor desta eta- gura 16) ou integrador (figura ga duração, podemos ver que a
pa (figura 15). 17). cada pulso de quadro, o bordo

386 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 CIRCUITO DIFERENCIAOOR
CIRCUITO INTEGRADOR

kL. irLL.
1n-r··~ -·
SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAÍDA
ln-~~
SINAL DF ENTRADA SINAL DE SAÍnA

Fig. 16 Fig. 17

Circuito diterencJador. Circuito Integrador.

QUADRO PAR
QUADRO IMPAR

FIG. 18 FIG. 19

posterior estará a um nível supe- a) Tramistor Cortado para o transistor NPN ou nega-
rior, chegando ao máximo para o tiva para o PNP. Se se ataca o
último pulso. Em ausência de sinal o tran- emissor ao invés da base (liga-
sistor está polarizado de forma ção base comum), ter-se-á que
que sua corrente de coletor seja inverter a polaridade do sinal
DISCRIMINAÇÃO POR nula (ponto 8 da figura 20). Pa- para obter o mesmo resultado.
ra provocar o aparecimento da
TRANSISTOR corrente de coletor, deve-se apli-
car na base uma tensão positiva b) Tnmsistor Saturado
Na saída do circuito integra-
dor ou diferenciador, o sinal de Em ausência de sinal o transis-
sincronismo vertical se caracteri- tor está saturado (ponto S da fi-
za por uma amplitude mais ele- gura 20). Para levar o transistor
vada que a do sinal de sincronis- ao corte, tem-se que aplicar à
mo horizontal. Podemos aprovei- base (ligação emissor comum)
tar esta diferença de amplitude uma tensão positiva para o tran-
para eliminar completamente os sistor PNP ou negativa para o
sinais de sincronismo horizontal, NPN.
mediante o emprêgo de um tran-
sistor convenientemente polariza- Se o transistor está montado
do. em conexão de base comum, a
polaridade do sinal aplicado ao
asse transistor será um ampli- emissor deverá ser negativa para
ficador cujo ponto de funciona- um transistor PNP e positiva pa-
mento ter-se-á elegido de forma ra um NPN, para obter os mes-
que unicamente o sinal de sin- mos resultados.
cronismo vertical interromperá
ou restabelecerá a corrente de Na tabela I se resumem as di-
coletor, segundo seja a polarida- ferentes possibilidades de emprê-
de do dito sinal e o tipo do go em função da polaridade do
transistor utilizado. FIG. 20 sinal de entrada.

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 387

 TABELA I

Tipo de Modo de
Processo de Selesão Tl'lllàstor Funciona- Coafiguração Fig.
mento

Diferenciação PNP Corte base comum 27

Integração NPN Saturação emissor comum 30
Integração PNP Corte emissor comum 23
Diferenciação NPN Corte emissor comum 24
Jntegração PNP Saturação base comum 32
Integração NPN Corte base comum 28
Diferenciação PNP Corte emissor comum 21
Integração PNP Corte base comum 26
Integração NPN Saturação base comum 31
Diferenciação NPN Corte bas:: comum 25
Integração PNP Saturação emissor comum 29
Integração NPN Corte emissor comum 22

Exemplos
Figura 21:
Em ausência de sinal, o tran-
sistor PNP está polarizado no
corte pela tensão aplicada ao
emissor através do divisor de
SINAL DE SA(DA
tensão formado por R, e R.. SINAL DE ENTRADA _ _ _ __.,__..__..12V
O sinal de sincronismo (A) se JLfl_
aplica na base do transistor, de- A
pois de atravessar o circuito di-
ferenciador RC; o flanco poste-
rior do pulso vertical tira do cor-
te o transistor e o leva à satura-
ção.
O sinal de sincronismo verti-
cal de polaridade positiva se ob-
tém nos extremos de R) (o con-
densador C, serve para curtocir-
cuitar R, para tensões alternadas).

Figura 22:
O princípio de funcionamento SINAL DE SAÍDA
SINAL DE ENTRADA - - - - - - - - . - - + - H 2 V
é idêntico ao do caso anterior.
Como o transistor é do tipo ~A
NPN, será necessário aplicar-se
à base uma tensão positiva para
saturá-lo. Esta tensão se obtém
aplicando o sinal de sincronis-
mo (A) a um circuito integrador
R1Ct (B). O sinal de sincronismo
vertical de polaridade negativa se
obtém entre os extremos do re-
sistor R).
Figura 23:
SINAL DE SAÍDA
O transistor PNP está pola- SINAL DE ENTRADA - - - - - - - - . -.......-·12V
rizado no corte entre o divisor
de tensão formado por R, e Rs. lJLf A
Sendo o sinal de sincronismo de
polaridade negativa, a tensão ne-
cessária para tirar do corte o
transistor só se pode obter de-
pois de passar por um circuito
integrador R,C, (B). O sinal de
sincronismo vertical disponível à
saída do ~ransistor será de po-
laridade positiva.

388 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

Figura 14:
SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAlDA

Tendo em vista que o tipo de

Ln_f - - - - - - - · + 12V
transistor utilizado nêste circui- A
to é o NPN, a tensão positiva VIIRIAÇÃO PE TEN SÃO
00 COLETOH
necessária para tirá-lo do corte
obter-se-á diferenciando o sinal
de sincronismo de polaridade ne-
gativa aplicado à entrada (A). O
sinal de sincronismo vertical que
se obterá na saída será de pola-
ridade negativa.

Figura 15:

Do mesmo modo que nos cir-

cuitos anteriores, o transistor é
bloqueado pela tensão de pola-
rização aplicada no emissor atra-
vés do divisor de tensão formado
por R1 e R2. O transistor é do
tipo NPN em conexão de base
comum, pelo que a tensão ne-
cessária para o · desbloqueio de-
verá ser de polaridade negativa.
Esta tensão se obtém trocando
o sinal de sincronismo de pola-
ridade positiva pelo circuito for-
mado por C, e os resistores R1 e
R2 em paralelo.

Figura 16:
SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAÍDA
n n -------....---4-12v
A separação do pulso de sin- _j L...J L R4
A
cronismo vertical se obtém com
um transistor PNP em circuito
de base comum. O pulso positi-
vo aplicado no emissor dá lugar
ao aparecimento da corrente de
coletor. O sinal de sincronismo
vertical de polaridade positiva se
obtém dos extremos de R..

Figura 17:

O transistor PNP, em conexão SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAÍDA

de base comum, é cortado pela .., r i r --~--....-- .... -12v
polarização aplicada no emissor
mediante o divisor de tensão R,
R2. O flanco posterior do pulso
vertical de polaridade positiva,
U

,~-~---f
L_j

f C

:. _c.?:~JOR
VARIAÇÃO DE TENSA-O

Roo
uma vez diferenciado, desblo-
queia o transistor. O sinal dispo-
nível na saída é de polaridade
u l) !v'
........._._.....___....!
1
1
·- -- -12V
B
positiva.

Figura 18:
SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAÍDA
A figura 28 mostra que o sinal ·' 1 1 r ----....-----•+12v
U

v-:'"
de sincronismo (A), uma vez in- L_j VARIACÃO DE TENSÃO
DO COLETOR
tegrado, faz aparecer um pulso A

~.:·.·_c_,. __.____.~--··
negativo (B), correspondente ao
sinal de sincronismo vertical, que
permitirá desbloquear o transistor
NPN em circuito de base co-
mum; o sinal no coletor tem po-
laridade negativa. e

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 389

 DISCRIMINAÇÃO POR TRANSISTOR SATURADO

Figura 29:

Na ausência de sinal, o tran-

sistor PNP está polarizado de
forma que a sua corrente de co-
letor se mantém em saturação
mediante o resistor Rz. Para le- lLil_ ---....---......
SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAÍDA
-e-12

var-se o transistor ao estado de A

corte é necessário aplicar uma
tensão positiva na bas:. Esta se
obtém integrando os sinais de
sincronismo. Como nos circuitos
anteriores, temos o sinal de saí-
da no coletor do transistor (po-
laridade negativa).

Figura 30:
SINAL DE ENTRADA SINAL DE SAÍDA
-----1~-----41 t12V
Neste caso, o princípio de fun-
cionamento é idêntico ao do cir-
lJL_f
A
cuito anterior. O transistor é do
tipo NPN; portanto, para cortar
a sua corrente de coletor (B) ter-
-se-á que aplicar na base uma
tensão negativa. O sinal de sin-
cronismo vertical que se obtém ~::
na saída é de polaridade positiva. B

Figura 31:

O transistor, mantido em satu-

ração pela corrente de base, se
leva ao corte por meio de um
pulso positivo aplicado no emis-
sor. Nos extremos do resistor R1
se obtém o sinal de polaridade
positiva que servirá para disparar
o oscilador vertical.

Figura 32:

Do mesmo modo que no cir-

cuito anterior, o transistor PNP
é mantido em saturação através
da sua corrente de base. SOmen-
te poderá ser bloqueado pelo si-
nal negativo obtido pela integra-
ção do sinal de sincronismo verti-
cal. O sinal obtido na saída será
de polaridade negativa.

390 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 ~[!ffi[!&j~@ffi~&j
®m &prur®lh@~ ®!®tr@d@m®~ti((}@~
Mullard Entertainm!nt Markets Division':'

Tradicionalmente, os dispositivos de contrôle de utilidades domésticas têm

sido eletro-mecânicos. Agora, os tiristores estão se consolidando em mais êst:
campo de aplicações.

Inúmeros são os exemplos de como um dispo- O instante de disparo pode ser variado de tal
sitivo capaz de variar a potência elétrica entregue modo que o tempo de condução do tiristor, e por-
aos aparelhos domésticos é essencial ou pelo menos tanto, a potência entregue à carga, pode ser con-
vantajoso. Um fogão elétrico, por exemplo, necessi- trolado.
ta de algo mais do que uma simples chave liga-des-
liga. Um cobertor elétrico fica mais versátil S:! pos- O contrôle também pode ser realizado manten-
suir um contrôle variável. do-se o tiristor em estado de condução durante
alguns ciclos. ~ste processo é conhecido como bunt
Quando a potência elétrica é usada para acio- triggering e apresenta o inconveniente dos trancos
nar motores, o contrôle variável passa a ser pràti- já que a alimentação é conectada e desconectada
carnente imprescindível. Lavadeiras automáticas ne- por períodos relativamente longos. Não é indicado
cessitam de pelo menos duas - e de preferência para dimmen e pequenos motores.
mais que duas - velocidades de tambor. Máquinas
de costura e liquidificadores também requerem di- Por outro lado, o contrôle de fase fornece pul-
versas velocidades de operação. O mesmo acontece sos na freqüência da rêde (ou dôbro - contrôle de
com máquinas de furar. onda completa), o que permite uma operação mais
suave.
Tradicionalmente, o contrôle tem sido feito por
processos eletro-mecânicos. Um dos grandes incon- O método de contrôle do disparo do tiristor va-
venientes reside no fato de que normalmente o con- ria conforme a aplicação. Em certos casos a reali-
trôle é feito em degráus e numa faixa relativamen- mentação é necessária dependendo a quantidade da
te pequena pois os reostatos que permitem uma lar- aplicação específica.
ga faixa de contrôle contínuo apresentam problemas De um modo geral, ao contrário dos contrôles
de dissipação de calor. Dêste modo, o contrôle é de aquecimento e iluminação, os de velocidade de
feito aos trancos, a alimentação do circuito sendo motores requerem realimentação. Sem esta, as redu-
alternadamente ligada e desligada por períodos re- ções de velocidade são acompanhadas de indesejá-
lativamente longos e os componentes de contrôle -- veis diminuições do Iorque disponível.
especialmente no caso de contrôle de velocidade -
são geralmente de grandes dimensões e estão sujei- A maneira mais simples de se efetuar esta rea-
tos a consideráveis desgastes mecânicos. limentação consiste na utilização da fcem do motor.
A melhoria assim obtida pode chegar a ser bastante
O uso de tiristores resolve êstes problemas, per- substancial, dependendo do circuito e do motor. Se-
mitindo um contrôle contínuo e suave dentro de rão descritos a seguir dois sistemas de contrôle dês-
uma faixa operacional mais larga e bem definida. te tipo, destinados à furadeiras e batedeiras.
Além disso o circuito é simples e sua montagem é
bastante compacta. Um outro método consiste no uso de um tacô-
rnetro, que permite isolarmos o motor do circuito
de contrôle. Circuitos transistorizados podem ser
UTILIZANDO O TIRISTOR
usados para obtermos excelentes características tor-
O circuito básico para contrôle eletrônico de que x velocidade dentro de faixas de valôres de ve-
aparêlhos domésticos consiste na ligação série da locidade bastante largas. Um exemplo será apresen-
carga a ser controlada com tiristor e a rêde local. tado neste artigo, sendo destinado a lavadeiras au-
tomáticas.
A técnica de contrôle mais comumente empregada
é aquela denominada contrôle de fase. O tiristor é
disparado no mesmo ponto durante cada semi-ciclo
positivo da tensão da rêde. • Mullard Limited - Londres - Inglaterra.

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 391

SISTEMA DE CONTRóLE DE VELOCIDADE havendo uma antecipação, instante em que, duran-
COM REALIMENTAÇÃO DA TENSÃO DE te o semi-ciclo positivo, o potencial da porta é maior
ARMADlJRA do que o de catado. O motor consumirá mais potên-
cia e sua velocidade retomará ao valor pré-fixado.
São apresentados dois círculos, destinados a fu-
radeiras e batedeiras (núxers) portáteis. Dêste modo, a realimentação tende a stabilizar
a velocidade do motor contra variações de torque.
A figura 2 ilustra as curvas velocidade x torque, as
Versão simples irregularidades das curvas são resultantes da sim-
plicidade do circuito. Contudo, o desemp;:nho é bas-
O esquema está ilustrado na figura 1. A fôrça tante satisfatório para aplicação em máquinas de
contra-eletromotriz residual da armadura é realimen- furar. A relação entre as velocidades máxima e mí-
tada, o que melhora a estabilidade de velocidade nima é da ordem de três para um.
contra vari:.çê\es de carga.

RI Versão elaborada
10kQ
5W O circuito anteriormente descrito apresenta o
inconveniente do disparo do tiristor ser intermitente
quando a velocidade do motor é baixa. A causa re-
side no fato de que, naquele circuito, a forma de
onda da tensão de porta durante o semi-ciclo posi-
240V"-'
FIG. 1 tivo é aproximadamente igual a uma meia senoide.
O disparo não pode ser atrasado para além do pico
MOTOR '
da forma de onda da tensão de porta, ante a impos-
sibilidade da tensão porta-catado ser aumentada após
aquêle instante. Portanto, o disparo não pode ser
atrasado mais do que um quarto de ciclo, o que as-
sim representa o limite de baixa velocidade do cir-
cuito para ~sparo suave.

O disparo é efetuado através de um divisor de

tensão ao qual é aplicada a tensão da rêde. Quan-
do o motor gira e o tiristor está cortado, o poten-
cial no catado dêste último está positivo em rela- 2500
ção ao neutro determinado pela fcem desenvolvida
na armadura do motor. O valor desta tensão de ar-
madura dep:mde do fluxo magnético residual e é
proporcional à velocidade do motor.
A partir do início do semi-ciclo positivo seguin- g1500
te, a tensão no cursor de Rz - e portanto no ano- ...J
1ol
do de 0 1 - aumenta juntamente com a da rêde. >
Conseqüentemente, a tensão no terminal de dispa-
ro do tiristor também aumenta, até que, num de-
!tooo
terminado instante (ainda no mesmo ciclo), o ter-
minal de disparo fique mais positivo que o catado 500
do tiristor. Ocorre então o disparo do tiristor e o
motor é energizado.
Terminado o meio ciclo positivo, o tiristor é 1!5 20
cortado pelo potencial negativo então presente no
anodo e o motor deixa de ser alimentado.
FIG. 2
Completado o ciclo, o potencial de catodo pas-
sa a ser novamente determinado pela tensão de ar-
madura do motor. Velocidades mais baixas podem realmente ser
obtidas, mas a potência enviada ao motor só pode
A variação de velocidade é realizada por inter- ser reduzida mediante o corte do tiristor durante
médio do potenciômetro Rz. Movendo-se o cursor no um período superior a um ciclo completo. O tiris-
sentido da junção Rz - Rh a tensão de anodo de tor só poderá ser disparado quando a velocidade do
D 1 será aumentada, e o instante de disparo do tiris- motor - e, portanto, a tensão de armadura - cair
tor será antecipado. Dêste modo, pulsos de corrente o suficiente para tomar o potencial de porta mais
com maior amplitude serão enviados ao motor e a positivo que o de catado, durante a primeira meta-
velocidade será aumentada. Movendo-se o cursor em de de um semi-ciclo positivo. Assim, o disparo fica
sentido contrário, o instante de disparo será atra- intermitente em baixas velocidades.
sado, o que resultará na diminuição da velocidade
do motor. A função do resistor R, é a de contraba- ~ necessário um atraso da ordem de 1400 para
lançar possíveis variações de sensibilidade da porta que seja possível um disparo suave quando em bai-
do tiristor. xas velocidades de operação. O solução consiste na
inclusão de um capacitar no circuito divisor de ten-
Qualquer aumento da carga resultará numa di- são (figura 3), o que resulta num desvio de fase.
minuição da velocidade e, conseqüentemente, tam-
bém da fcem gerada na armadura. Assim, o poten- A forma de onda está ilustrada na figura 4.
cial (positivo) do catado do tiristor será diminuído, Para um determinado valor de Rz, a forma de onda

392 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 *vAL.ÔRES _DEPENDENTES DAS ESPEQFICAQÕE$
OE TENSAO OE ARMAOUAA E OE MINIMA vtL.OCIDAOE

FIG. 3
-TOROUE (k~·cm)

FIG. 5

da tensão de porta apresenta um nível CC no iní-

cio do semi-ciclo positivo com um inclinação posi-
tiva até 140°. Alterando-se R,, o nível CC varia
proporcionalmente e a inclinação permanece constan-
240V--. te. A inclinação positiva até 140° permite um dis-
TENSAÕ DE
PORTA
paro estável neste ponto e, assim, suavisa a operação
em baixas velocidades. A suavidade da inclinação,
em tôdas as velocidades, resulta em valôres altos
de ângulos de condução, a queda de velocidade sen-
do desprezível. Dêste modo, as características velo-
cidade x torque se apresentam mais constantes.
As curvas estão ilustradas na figura 5. Com-
parando com os do circuito anterior, vemos que em
baixas freqüências os desempenhos são mais ou
menos similares. Mas na região de valôres elevados
de velocidade e de torque o circuito da figura 3 se
apresenta superior ao da figura 1. Em velocidades
baixas o disparo é suave, tendo sido eliminado o
problema da intermitência: a velocidade é mais está-
vel em presença de variações da tensão de rêde. O
circuito da figura 3 é também indicado para bate-
deiras já que não apresenta o inconveniente da ope-
ração ruidosa, inaceitável neste tipo de equipamen-
FIG. 4 to doméstico.

0,03fi ~--

I
I 04
I BYZ18
I (
I
I I
I I
R7
240V'\J 330fi I I
I I
I_ _ _ _I

BZY94 01
C12 R4
39kfi

FIG. 6
6,8kfi-8W

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 393

SISTEMA DE CONTRóLE DE VELOCIDADE diodo garante um melhor fator de forma de cor-
UTILIZANDO TACóMETRO rente, aumentando a eficiência e reduzindo o ruído
do motor.
O circuito está ilustrado na figura 6, sendo des-
tinado a lavadeiras automáticas. O circuito de con- A estabilidade contra variações de carga é ob-
trôle de disparo está isolado do tiristor por inter- tida da seguinte maneira: o sinal do tacômetro é in-
médio de um transformador, o que permite o uso jetado no circuito de polarização de base de T.,
de um circuito limitador de corrente mais eficient>!. sendo então comparado com a tensão de referên-
Dêste modo, é especialmente indicado para aparelhos cia. Quaisquer diferenças provocam alterações na
cuja operação não é acompanhada contínuamente pe- condução de T, e do tiristor. Dêste modo, é contro-
lo usuário, como no caso de lavadeiras automáticas. lada a potência entregue ao motor no sentido de
contrabalançar quaisquer variações de velocidade
A estabilização contra variações de carga é provocadas por alterações na carga.
obtida por meio de uma realimentação provida por
um tacômetro. O disparo é efetuado com -o auxílio A velocidade do motor é escolhida variando-se
de um oscilador de bloqueio, cujo transformador é o sinal de saída do tacôrnetro, o qual, corno já vis-
o responsável pela isolação mencionada no parágra- to, é injetado no circuito de base de T,.
fo anterior.
Em condições normais de operação, a tensão
O oscilador de bloqueio fornece o pulso de dis- em R, é menor que a desenvolvida em C, pelo si-
paro à porta do tiristor quando a tensão no emis- nal do tacômetro. Portanto, o diodo 0 2 está inversa-
sor do transistor T, se toma mais positiva que a de mente polarizado. Um súbito aumento da corrente
base. do motor torna o diodo condutor, o suficiente para
contrabalançar o tacôrnetro. O transistor T 1 é então
O diodo zener D, é utilizado com vistas a urna levado ao corte, de tal modo que o máximo ângu-
boa estabilidade de operação enquanto que D, tem lo de condução do tiristor é limitado a um certo va-
por função manter a corrente do motor durante os lor.
períodos de não condução do tiristor. Para tanto, se
utiliza da energia armazenada no motor. O uso do A figura 7 ilustra as características torque x
velocidade do circuito . As variações de velocidade
em função de diferentes valôres de tensão de rêde
estão apresentadas na tabela I. É possível, assim, a
obtenção de urna faixa de velocidades cuja relação
máxima/ mínima seja da ordem de 30: l. Graças às
suas características de desempenho, o circuito pode
ser utilizado em aparelhos eletro-domésticos gran-
des, tais como lavadeiras automáticas.
O sistema de contrôle pode ser bastante explo-
rado em máquinas para lavar do tipo com tambor
horizontal. Além da lavagem normal (50 rprn), uma
velocidade de lavagem mais lenta (35 rprn) também
pode ser obtida.

FIG. 7

-TORQUE (kQ•Cm)

TABELA I - Variação da vt'locidade em função da tensão da rêde

TENSÃO
VELOC. BAIXA I 200V
520
220V
530
240V
530
250V
530
VELOC. MÉDIA
I 3.600 3.650 3.700 3.750
VELOC. GRANDE
I 9.800 9.900
I 10.000 10.100

394 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 Fotômetro
eletrônico
transistorizado
Todo fotógrafo amador certa- dendo-se desde a forte luz do dia lâmpada L não se acende ao se
mente tem orgulho de possuir até a escuridão relativa. T,, T, e pressionar a chave S. Por outro
muitas fotografit.s dos seus as- T, compõem um amplificador lado, S<: a resistência total dos
suntos favoritos :' natureza, coisas, C.C., em cuja <:ntrada R, e os LDRs diminui (mais luz os atin-
acontecimentos, pessoas impor- LDRs formam um divisor de ge), a tensão de entrada na base
tantes. Nas mais diversas circuns- tensão. de T, cai, cortando êste transis-
tâncias, quando a luz se apresen- tor; T, acompanha T., T, passa
ta insuficiente ou quando a mar- A relação entre a resistência do a conduzir e a lâmpada L pode
gem de sensibilidade do filme potenciómetro R, e a resistência agora brilhar se S é premida.
não é larga, faz falta um fotó- total dos LDRs dita a tensão de
metro. entrada do amplificador. Se esta Naturalmente, é possível ajus-
tensão é alta o suficiente para tar R, de tal modo que, para
Os fotómetros disponíveis co- por T, em condução, a corrente qualquer valor da resistência to-
mercialmente, para funcionar nu- de coletor de T, põe T, também tal dos dois LDRs, T, seja leva-
ma ampla gama, ser sensível, pe- em condução. A tensão de cok- do à condução (lâmpada L seja
queno, leve e confiável, são bas- tor de T, diminui, acarretando a acêsa). A posição do potencióme-
tante caros. Aquêles conveniente- queda simultânea da tensão de tro R, será então uma medida
mente valorizados (por exemplo. base de T,. Como T, é PNP, da iluminação sôbre os dois
os tipos com uma célula de selê- entra em corte. Dêsse modo, a LDRs.
nio e um medidor CC.), não são
sensíveis o suficiente, além de
fàcilmente danificáveis.
O fotômetro eletrónico que se
descreverá adiante funciona de
modo a preencher o desejo do
amador. É alimentado a pilha
que deverá ser substituída de vez
em quando para que as leituras
sejam sempre confiáveis. O ins-
trumento fornece leituras claras
para valores de luz entre 2 e 17
(os fotómetros comerciais menos
caros não conseguem ler bem
valores abaixo de 5). O dêste ar-
tigo é com LDRs.

Princípio de Funcionamento

Na figura 1 encontra-se o cir-

cuito completo onde se distin-
guem LDR, e LDR 2, os quais são
os "olhos" do instrumento. Na
figura 2 pode-se observar a cur-
va característica da resistência
versus iluminação do LDR. É
graças à linearidade dessa curva
característica que os LDRs se tor-
nam convenientes para medidas
de intensidade luminosa sob as
mais diferentes condições, esten-

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 395

 r---------~-----.----~~----+

---- 5V FIG. 1

----

Com o circuito descrito é pos- 10.000

sível fazer um ajuste preciso de
R, pela realimentação positiva da
saída do amplificador, através do
capacitor C, para a entrada
(emissor de T,). Devido ao alto 1.000
ganho que ocorre quando T, es-
tá em condução, oscilações são c
iniciadas; a frequência, determi-
nada principalmente por C e R., FIG. 2
I
é mantida em pqucos Hertz. 100

A pilha é tipo lapiseira de

1,5V. Deve-se notar que peque-
nas variações na tensão da pilha,
assim como os efeitos do enve-
lhecimento dos LDRs ocasionam 100 1000 10000
mudanças nas leituras do instru-
mento. R, torna possível a reca- -LUX
libração quando essas mudanças
ocorrem. A lâmpada L é tipo mi-
niatura com lente. A ligação sé-
rie dos dois LDRs, merece algu- do a resistência do WR, desco- tarefa é cumprida por LDR,.
ma explanação. Vimos que um berto é pràticamente desprezível, Usando êste arranjo e com um
LDR pode apresentar resistência LDR, terá um valor mínimo de potenciômetro R, logarítmico
desde algumas centenas de milha- cêrca de 500 ohms. Se, por outro conseguimos uma escala perto
res de ohms na escuridão relativa lado, a intensidade de ilumina- da linear de 2 a 17.
até poucos ohms na luz do dia. ção é muito baixa, então as re-
sistências de LDR, e LDR, serão
Quando nós queremos cobrir máximas. Pode ocorrer que nestas Valores de Luminosidade
uma ampla extensão de valore~ condições não seja possível con-
de luz com um simples contrôle seguir calibração no fim de es- A escala do fotômetro sob des-
potenciométrico, nós temos que cala (valores baixos de lumino- crição é calibrada em valores de
fixar o limite da resistência infe· sidade); bastará nesse caso colo- luminosidade. ~sses valores pos-
rior em aproximadamente 500 car um resistor de várias centenas sibilitam determinar a abertura e
Ohms e o limite superior em, di- de kn (na figura 1 o resistor R,) a velocidade do obturador para
gamos, 1.000K. Em nosso proje- em paralelo com LDR,. filmes padrões 21/10 DIN (100
to nós conseguimos isto cobrin- ASA) sob diferentes condições
do LDR 2 com material opaco Em outras palavras, com luz de iluminação.
perfurado no centro (aproxi- intensa LDR, faz o trabalho de
madamente 1mm de diâm:tro). medida de luz, enquanto que sob A tabela I dá os tempos de ex-
Mesmo sob uma luz forte, quan- baixa intensidade luminosa essa posição para várias aberturas e

396 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 Tabela I - Exposição em segundos (filmes 21/10 DIN, = 100 ASA)

luminosidade + 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

Abertura EXPOSIÇÃO (SEGUNDOS)

2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30

'
1/60 1/n5 1/250 1/500 1/1000 1/2000 1/4000

2 .8 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60 1/125 1/250 1/500 1/1000 1/2000 1/4000

4 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60 1/125 1/250 1/500 1/1000 1/2000

5.6 8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60 1/125 1/250 1/500 1/1000

8 15 8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60 1/125 1/250 1/500

11 30 15 8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60 1/125 1/250

16 30 15 8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60 1/125

22 30 15 8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30 1/60

32 30 15 8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/15 1/30

Tabela II - Fatores de conversão da exposição

10 34 10
•
ASA
I DIN
I FATOR ~-
3,5 C:
ft·
3,5

12 12/10 8 X
25 15/10 4 X
50 18/10 2 X
100 21/10 1 X
200 24/10 1/2 X
400 27/10 1/4 X
800
1600
3200
30/10
33/10
36/10
'l/8 X
1/16 X
1/32 X
-~- on
G)

8 7
f, 10 \ I I
vários valores de luminosidade. /6
Então podemos ver que para
abertura dois e exposição de um ' ' ...... 5
·12- I

- -@-
segundo dá valor de luminosida-
de 2. Para abertura de 2,8 e ex-
posição de 1/32 de segundo, ob-
- -4

tém-se valor de luminosidade 8.

E assim por diante. ~te último
co
~
15 ......
......
I -3
.
exemplo quer dizer o seguinte: a 17/ '2
lu:G que atinge a lente provenien-
te de um objeto tendo 8 como A tabela II apresenta os fato- FIG. 3
valor de luminosidade tem de ser res de conversãQ com os quais a
atenuada pela câmera de um fa· exposição ..encontrada na tabela
tor de 2' para se obter um nega- I tem de ser multiplicada quan-
tivo adequado com o filme pa- do se usam filmes de sensibili-
drão 21/10 DIN. dade diferente de 21/10 DIN.

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 397

 A chave S, por questões de
conveniência, deve possuir con-
tato de prata, porque a resistên-
cia do contato pode prejudicar a
precisão das indicações.
Coloque pequenos cilindros
pretos em volta da lâmpada e
dos LDRs, evitando assim que
outras luzes que qão aquelas que
vêm da direção do objeto pos-
sam alcançar os LDRs. Os me-
lhores resultados são alcançados
com o cilindro esquematizado na
figura 5. A parte traseira do
LDR deve ser pintada de prêto.
R, deve ser montado numa po-
sição tal que se possa fàcilmente
ajustá-lo, por exemplo, com
uma chave de parafuso, sem ter
que abrir o estojo de plástico
que contém o instrumento com-
pleto.

Calibração
FIG. 4
Aponte o instrumento na dire-
ção de vários objetos que estejam
sob diferentes condições de ilu-
minação. Ajuste o botão cuida-
dosamente da esquerda para a-
direita até que a lâmpada bri-
lhe intermitentemente. Tome um
bom fotômetro para usar como
referência: aponte-o para o mes-
mo objeto e anote o valor da lu·
minosidade. Assinale na escala
êsse valor lido~ Repita êsse pro-
cedimento para outros valores de
luz preenchendo a escala em di-
visão de 2 a 17.

LISTA DE MATERIAIS

LDR" LDR2 = B8.731.03.02

(Philips)
R, potenciômetro, 1M, log
R2 veja texto
FIG. 5 R, = trim-pot, 1 k!l log
R. = 100 n. t/4W
R, = 22011, l/4W
R, = 47011, l/4W
Construção Coloque um botão no qual C = 100 IJ.F; 6,4 V
uma escala de luminosidade (di- L Lâmpada 1,5 V/0,2 A
Os componentes são mon- visões de 2 a 17) pode ser prêsa T, = BC108
tados sôbre uma placa de mate- no eixo do potenciômetro R,; T2 = AC128
rail isolante de aproximadamen- diâmetro de aproximadamente T, AC128
te 5 x 7,5cm. 5cm. S = Chave de pressão

O GERADOR DE RF
(Cont. da pág. 368) rádio mais o valor da F.l. (455 Todavia se o defeito persistir
o osctlador local é substituí-lo kHz). Por exemplo: se estamos o culpado provável será a etapa
pelo próprio gerador de RF e ve- sintonizando a Rádio Eldorado, de antena ou amplificadora de
rificar se o rádio passa agora a 700 kHz, deveremos ter no ge- RF.
sintonizar as estações. rador de RF 700kHz + 455 Para finalizar, lembramos que
Para tal liga-se o gerador de kHz = 1155kHz. para têrmos um bom resultado
RF sem modulação à grade osci- Procederemos assim com vá- com um gerador de RF, é neces-
ladora e ajusta-se êste sempre de rias estações. Se conseguirmos sário que êle possua uma preci-
forma que tenhamos a sua fre- sintonizá-las, isto indica que o são razoável pois caso contrá-
qüência igual ao valor da fre- oscilador local não está funcio- rio, ao invés de calibrarmos o
qüência indicada no "dia!" do nando. rádio, o desajustaremos.

398 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 Os ATENUADORES
RAUL L. C. GUERREIRO
f: uma ocorrência corriqueira a nece~sidade de atenuação de sinais
quaisquer, sejam êles de alto ou baixo nível, sejam êles de alta ou baixa
freqüência. Nem sempre a finalidade é abaixar o nível do sinal, porém
muitas vêzes a idéia principal é a de casar impedâncias. Os atenuadores
podem ser resistivos, capacitivos ou indutivos. São utilizados em amplifi-
cadores e geradores de um modo geral, em seletores de canais, etc. Neste
artigo trataremos só de atenuadores adaptados, isto é, aquêles que apre-
sentam impedância de entrada e de saída iguais.

Rêde do tipo "r'

~ste atenuador (assim chamado devido à disposição dos seus ele·

mentos em forma de "T"), compõe-se de três resistores, cujos valores
são calculados em função da atenuação e da impedância desejadas (Fig.
1). Conhecendo-se a atenuação de que precisamos e a impedância Z de
entrada e de saída que se faz necessária, podemos calcular R, e R, pelas
fórmulas seguintes:

Z . (A - I)
R,
A+1
2.Z . A
R,
A'- I

FIG. 1 onde A representa a atenuação expressa sob a forma de uma relação de

vaJor superior a 1. Todavia, A pode se apresentar em dB ou relação
de valor inferior à unidade. Por isso temos a tabela 1 onde indicamos a
equivalência entre as três maneiras de se exprimir a atenuação A que
é a relação entre a tensão de entrada (V,) e a de saícia (V,) indicadas
na fig. 1. A coluna decibéis está em valor absoluto, isto é, sem sinal,
v, v,
pois - - em dB são números positivos e - - em dB são números ne-
V, V,
gativos.
Para estabelecer qualquer outra correspondência entre as relações
e os decibéis, lembremo-nos de que o produto das relações é igual à
soma dos decíbeis e vice-versa. Por outras palavras, a relação igual ao
produto 2,51 x 7,94 =
20 (aproximadamente) será exprimida em dB
pela soma 8 + 18 = 26 dB. Da mesma maneira, uma atenuação de
45 dB (20 + 20 + 5) pode ser traduzida por uma relação de tensões
de 10 X 10 X 1,78 = 178.

Exemplo

Calcular as resistências R, e R, para uma rêde em "T", destinada a

trabalhar com uma impedância de 75ohms (Z = 75), e da qual se pede
uma atenuação de 8dB. O cálculo será feito segundo a seguinte ordem:
1. 0 - Traduzir em relação superior a 1 a atenuação de 8dB: a
tabela nos dá A =
2,51.
2. 0
- Formar as quantidades A - 1 e A + 1:
A 1,51 e
A+ 3,51

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 399

 3.o - Efetuar a relação A IIA + 1:
(A - I) I (A + 1) = 1,51 I 3,51 = 0,43.
4. 0 - Para. encontrar o valor de R., multiplicar Z por esta relação:
R, = Z. (A - 1) / (A + I)
R, = 75 x 0,43 e32,3ohms.
5.0 - Calcular o quadrado de A:
N = 2,51 X 2,51 = 6,3.
6. 0 - Fazer a relação:
2.A I (N - 1) = 5,02 I 5,3 = 0,95.
1.0 - Para encontrar o valor de R1 multiplicar Z por esta relação
obtida anteriormente:
R, Z.(2.A / N - I)
R, 75 x 0,95 e 71ohms.
Para a realização prática de tal atenuador, adotaremos resistências
de valores normalizados os mais próximos. Assim, tomaremos R, 33 =
ohms e R, =' 68 ohms.

Rêcles em série

Quando exigimos uma certa prec1sao para os valores de atenuação

superiores a 1O ou 12dB, não há problemas se usamos uma única rêde
tipo "T', desde que o sinal seja de baixa freqüência. ~ fácil compre-
ender que, em altas freqüências, as capacitâncias distribuídas estabele-
cem certo acoplamento entre a entrada e a saída, diminuindo a atenua-
ção calculada. Portanto, é aconselhável, nestes casos, construir rêdes de
baixa atenuação e montá-las em série, a fim de obter atenuações mais
elevadas, porém relativamente precisas.
Em VHF é interessante não atenuar mais que lOdB por rêde. Se
necessitar, por exemplo, de 16dB, utilizar duas rêdes de 8dB em série é
o mais indicado.

Realização prática

Seria útil lembrar que em alta freqüência um atenuador resistivo

não pode conter resistores do tipo indutivo, por exemplo, os de carvão
depositado. Deverão ser de carvão compactado tomando-se o cuidado
adicional de trabalhar com terminais de ligações tão curtos quanto pos-
TUBO METÁLICO
sível para reduzir as indutâncias espúrias.
Na figura 2 temos um exemplo de realização de uma rêde em "T"
FIG. 2 dentro de um pequeno tubo metálico, munido de tomadas coaxiais (ma·
cho e fêmea) nas duas extr·emidades. Tais atenuadores podem. ser mon-
tados fàcilmente em série, o que nos permite, quando temos diversos
à mão, obter ràpidamente diversos valores de atenuação desejados.
Na figura 3 temos um outro exemplo de realização prática, em
1(FI 2(MI 3(F) uma caixa metálic~ fechada, de três rêdes em "T". Nas extremidades,
r- :;;@--- - TE -:;{;)- - - - r: ;;.(f)--- -l tomadas coaxiais macho e fêmea alternadas permitem, com cabos de
I 3dB l6dB l9dB I
I 12,8.1 2S I ~.7 I
conexão coaxiais, reunir em série duas ou três rêdes c assim obter as
I I I I seguintes atenuações:
214 I 61 I
I
I 3dB - Rêde 1-4 apenas.
iI 12,8 i 25 I
I 35,7
I
I
6dB T Rêde 2-5 apenas.
1 I
I 1 I I
'----(!}-------L-®-----L - ·--J 9dB ...:.: Rêde 3-6 apenas, ou ainda, rêdes 1-4 e 2-5 em série.
4(M) 5(F) 6(M) 12dB - Rêdes 1-4 e 3-6 em série.
15dB - Rêdes 2-5 e 3-6 em série.
FIG. 3 18dB - As três rêdes em série.
Os valores indicados para a montagem da figura 3 referem-se a
uma impedância de entrada e de saída de 75ohms.

400 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 Rêcle em 'T' com ponte
l 1 Na figura 4 indicamos outra rêde de atenuação, chamada de "T"
R1 R1
com ponte. Sua particularidade reside no fato de o valor das resistên-
z___ v1 Rz v2 - z cias R. ser sempre igual à impedância Z para a qual o atenuador é pre-
visto. Quanto ao valor das resistências R2 e ~. êle é calculado mul-
tiplicando-se Z pelos coeficientes que dependem da atenuação procura-
da, os quais constam da Tabela II. Quando as quatro resistências são
iguais a Z, obtém-se uma rêde cuja atenuação é de 6dB. Comutando
FIG. 4 simultâneamente R2 e R,, podemos com extrema facilidade realizar um
atenuador de rela4ão variável, com duas ou três posições.
Por exemplo, para Z =
75 ohms, se adotarmos três valores de
atenuação 9, 6 e 3 dB, devemos ter para R, os três valores seguintes:
75 x 1,82 =137 ohms; 75 x 0,99 = 74 ohms; 75 x 0,41 =
30,7 ohms.
Podemos adotar a solução de três resistências comutáveis com aquele
valor, ou então, a de três resistências em série, cuja soma será 137
ohms, e d~s quais curto-circuitaremos uma ou duas. Faremos exata-
mente a mesma coisa para R2, cujo valor deverá ser de 182 ohms
para 3dB, de 75ohms para 6dB e de 41,3ohms para 9dB.

V2/V,
I
v,;v, I EM dB
I V2/V 1
I v,;vl I EM dB

0,89 1,12 1 0,28 3,55 11

0,79 1,26 2 0,25 3,98 12
. 0,71 1,41 3 0,22 4,47 13
0,63 1,58 4 0,20 5,01 14
0,56 1,78 5 0,18 5,62 15
TABELA I
0,50 1,99 6 0,16 6,31 16
0,47 2,24 7 0,14 7,08 17
0,40 2,51 8 0,13 7,94 18
0,35 2,82 9 0,11 8,91 19
0,32 3,16 10 0,10 10,00 20

Co:ficientes a Coeficientes a
-\tenuação Multiplicar por Z Atenuação Multiplicar por Z

(dB) R2
\
R, (dB) R,
l R,

1 8,20 0.12 li 0,39 2,55

2 3,86 0,26 12 0,34 2,98
3 2,42 0,41 13 0,29 3,47
4 1,71 0,58 14 0,25 4,01
TABELA II
5 1,29 0,78 15 0,22 4,62
6 1,01 0,99 16 0,19 5,31
7 0,81 1,24 17 0,16 6,08
8 0,66 1,51 18 0,14 6,94
I
9 0,55 1,82 19 0,13 7,91
10 0,46 2,16 20 0,11 9,00

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 401

 ... ,.
.... ,
~
$
• "'. ,.e.
::: :::~
:.~~ ,. *

ANTONIO P. MIGUEL
SERGIO A. BOGGIO

ZUMBIDO
Quando um rádio apresenta zumbido, isto indica ~ambém a de reduzir a resposta em alta freqüência,
que por algum ponto do aparelho estão penetrando se estiver em curto-circuito drenará a corrente CC
sinais in<Jesejáveis de frequência igual ou múltipla à que deveria passar pela válvula, além de elevar o
da rede. O primeiro passo a ser dado para a iden- consumo da corrente de + B, evitando, assim que se
tificação da etapa defeituosa é o de reduzir ao minimo processe a total filtragem no eletrolítico da fonte.
o contrôle de volume e verificar o que acontece com
o zumbido no altofalante. Se êle variar teremos que Se após alguns testes a fonte de alimentação
o defeito se localiza em estágio anterior ao contrôle ficar fora de suspeitas, deveremos verificar o estado
de volume, estando nesse caso excluídos os eletro- das válvulas no que diz respeito à isolação entre os
líticos de filtragem de +B Em caso de o contrôle de eletrodos em referência ao filamento. Um dos casos
volume não atuar sôbre o zumbido, teremos que que pode ocorrer com válvulas é um curto-circuito
êste tem lugar após tal contrôle. Nesta última hipó- entre catodo e filamento da válvula de saída. Desta
tese, poderemos ter o eletrolítico da fonte com defeito. maneira, o catodo fica a um potencial alternado de
Para identificarmos tal causa, nos ultilizaremos de cêrca de 6,3 V que, após amplificado pela válvula
um voltímetro CA e um condensador de O, 1 IJ.F em produz um zumbido enorme no altofalante. O pri-
série. O motivo da existência dêste componente é meiro fato que nos leva a suspeitar dêsse defeito é
bloquear a tensão contínua do + B permitindo a pas- que ao medirmos a componente alternada em catodo
sagem só das componentes alternadas. Medimos então encontramos um valor constante de cêrca de 6 V e
a tensão de 'ripple' sôbre o capacitor eletrolítico ime- não uma componente alternada que segue o rítmo da
diatamente após aquêle que vai ao catodo da válvula música ou da voz reproduzida no altofalante como
(ou diodo) retificadora. Se o valor lido ultrapassar é normal. Para comprovar o defeito retiramos a
1 ou 2 volts, provàvelmente estaremos com problemas válvula em questão e medimos a isolação entre catodo
de filtragem da fonte. Caso oposto, tudo normal. e filamento com um ohmímetro.
Um outro defeito não muito comum é um curto
Constatado o problema na fonte, poderemos ter entre a grade de contrôle e o filamento. Particular-
um ou mais capacitores eletrolíticos de filtragem mente já nos aconteceu com uma HL 92 a qual
abertos, ou com baixa capacitância, ou ainda com abrimos cuidadosamente e deparamos com uma pelí-
sua ligação ao chassis interrompida. Convém lembar cula condutora entre os pinos 3 (filamento) e 2
que é mais ou menos comum ocorrer a formação de (grade de contrôle). Esta película, segundo concluí-
uma película de óxido entre esse componente e o
chassis quando são dotados de rôsca e porca para
atarrachamento e fixação mecânica ao mesmo tempo
que permite o terra elétrico.
Além dos capacitores poderemos ter o choque
d.e filtro com o seu enrolamento em curto. Poderá
amda ocorrer de a válvula retificadora entrar em cur-
to (placa ou catodo), porém normalmente nêsse cas~
os eletrolíticos estouram pelo fato de receberem ·
excesso de tensão alternada sem componente contínua.
Pode acontecer de a fonte apresentar seus compo-
nentes em perfeito estado e, no entanto, exibir ex-
cesso de "ripple". O capacitor C da fig. 1 pode ser o
I I
"culpado". ~sse componente, cuja finalidade é FIG. 1

402 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

mos, era proveniente daquela película espelhada
(condutora) que existe em tôdas as válvulas. Ora, se
a tensão alternada de filamento alcança uma grade de
contrôle, esta tensão será amplificada, prodUzindo
zumbido no altofalante.
Poderemos ter ainda um curto-circuito no próprio RÊDE
soquete, como ocorreu com uma EBC 91 onde tí-
nhamos pino 4 (filamento) e pino 5 (placa detetora)
em curto. Além de curto-circuitos entre elementos
e ligações de filamento, poderá ocorrer a interrupção
de uma ligação terra de algum fio blindadÕ ou do
potenciômetro de controle de volume. No caso do fio
blindado, bastará ligá-lo ao chassis, por meio de
uma chave de fenda Se o defeito desaparecer é óbvio FIG. 2
que a ligação terra está interrompida por qualquer ronco; quando êle inexiste ou está em aberto o chas-
razão, por exemplo, oxidação. sis fica a um potencial flutuante em relação à
Quando a ligação terra do contrôle de volume terra, o que provoca um zumbido na sintonia. Ao
interrompe, poderemos ter zumbido no altofalarite, substituí-lo por um nôvo o zumbido desapareceu
mas além disto notaremos que tal controle não con- totalmente.
segue variar o volume do rádio, o que é uma evidên- Para finalizar, lembramos ainda do caso em que
cia de defeito nesta peça. o zumbido não é produzido no rádio, mas sim pela
Um caso diferente é o de um receptor que interferencia externa de tampadas fluorescentes. Neste
apresentava zumbido de fundo o qual aumentava ao caso, aconselhamos mudar o receptor de local ou
se sintonizar uma estação. Tudo levava a crer que a tentar pôr filtros tanto no receptor como nas
peça defeituosa estava no estágio de RF. Todavia, tampadas.
após alguns testes esta hipótese foi eliminada. O
capacitor C da figura 2 é utilizado para evitar tal SERGIO A. BOGGIO

HORIZONTAL NÃO SINCRONIZA

Diz-se corriqueiramente que a imagem "tomba" algum componente das etapas osciladora horizontal
ou "corre horizontalmente" quando o oscilador hori- ou comparadora de fase, com esta calibração podemos
zontal não consegue sincronizar com o sinal recebido. saber em qual delas estará a causa do defeito.
Apesar de sincronizada verticalmente a imagem se O circuito oscilador horizontal pode apresentar
apresenta múltipla, formando várias lado a lado incli- um ou dois contrôles, ou seja, o de frequência hor-
nadas ou para a direita ou para a esquerda. O si- zontal colocado no painel de contrôles do televisor,
bilo proveniente do "fly-back" toma-se mais intenso ou ainda o contrôle auxiliar de frequência horizontal,
e característico quando a frequência do horizontal colocado na parte traseira do aparêlho. Caso exista
foge daquela de sincronização. ~te defeito poderá êste último devemos:
ser provocado pela etapa osciladora horizontal e/ou a) Colocar o contrôle de frequência horizontal
comparadora de fase. r.o centro do seu curso;
Nêste tipo de defeito não devemos fazer subs- b) eliminar o pulso do sincronismo, retirando
tituição de componente ou procurarmos componentes uma das válvulas de separação de sincronismo ou de
defeituosos antes de localizarmos a etapa defeituosa. comparação de fase. Desligar componentes tais que
Partimos então para a calibração da frequência hori- tirem de funcionamento a etapa comparadora de
zontal, pois o defeito talvez seja sanável apenas com fase se o aparêlho tiver as válvulas com filamentos
éste ajuste. Se o defeito é realmente provocado por ligados em série;

+B

SEPARADORA OE
SINCRONISMO

cllc
2 3

FIG. 3

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 403

 c) colocar em curto os bornes da bobina esta Se fôr constatado o defeito na comparadora de
bilizadora horizontal; fase devemos pocurar componente defeituoso par-
d) ajustar o contrôle auxiliar de frequência tindo do local de onde é obtido o pulso para a com-
horizontal, até que a imagem fique "em pe". A ima- paração de fase (no transformador de saída horizontal
gem não ficará fixa, pois estará sem sincronismo; ou nas bobinas defletoras horiZontais). Depois de
e) tirar o curto da bobina estabilizadora e ajus- substituída a válvula usada como comparadora de
tar o seu núcleo até que a imagem fique em pé; e fase devemos fazer os seguintes testes:
f) restabelecer o pulso do sincronismo. 1.0 ) Medir continuidade no enrolamento do
comparador de fase. Normalmente está localizado
Em não havendo o contrôle auxiliar de frequên- na parte inferior do "fly-back";
cia horizontal devemos:
a) Colocar o contrôle de frequência horizontal 2.0 ) verificar os capacito'res e resistores que
no centro do seu curso; apareçam entre o enrolamento e a válvula compara-
b) eliminar o pulso de sincronismo; dora de fase; C, e R, poderão aparecer em maior
número;
c) ajustar o núcleo da bobina estabilizadora
horizontal até que a imagem fique em pé; e 3.0 ) verificar os condensadores de acoplamento
· d) restabelecer o pulso de sincronismo. C, e C,, ligados entre a separadora de sincronismo
e a comparadora de fase. Nos casos de dúvidas quan-
Feita a calibração da frequência horizontal e se to à capacidade devemos fazer a substituição. Para
ao recolocar o sincronismo a frequência horizontal medir a fuga nêles devemos desligar os terminais
sair fora novamente, o defeito será provocado pela ligados a R, e R, e medir tensão entre êstes terminais
comparadora de fase. Estará o defeito na osciladora e chassis; se apresentar t-::nsão CC indica que o con-
horizontal se não conseguirmos a calibração da densador está com fuga. Isto é possível porque êstes
frequência. condensadores estariam ligados ao catodo e placa da
Supondo ser a osciladora horizontal a causadora válvula de sincronismo que atua como inversora de
do defeito: procuraremos o componente defeituoso fase.
nesta etapa tomando-se o máximo de cuidado com os
testes dos componentes. Depois da troca em vão da 4. 0 ) se o aparêlho utilizar diodos de germânio,
válvula osciladora horizontal faremos os testes: no lugar de válvulas comparadoras de fase, devemos
testa-los. O teste dos diodos se faz medindo-se conti-
1.0 ) Verificar os valores dos resistores de carga nuidade nos dois sentidos: haverá num sentido resis-
R,. e Ru; tência elevada e em sentido oposto resistência baixa.
2. 0 ) verificar o valor do resistor de catodo R,; No caso de necessidade de substituição de um dêles,
seria interessante colocarmos um outro com as mes-
3.0 )verificar os valores dos resitores Rs, R,, R, mas resistências;
e R";
5.0) verificar os valores de R, e R, que deverão
4. 0 ) verificar se os contrôles de frequência ser idênticos, sendo normalmente utilizados resistores
R6 e R 12 estão atuando. Em caso negativo, poderá de 5% de tolerância. ~stes resistores com valores
haver algum curto com as suas ligações e chassis, ou diferentes entre si poderão provocar, como nos casos
ainda o interrompimento da ligação de R,. Isto seria de diodos também desiguais, se não o horizontal fora
possível devido a ligações extensas e às vêzes feitas de frequência, a instabilidade da frequência horizon-
com fio blindado e passando de um chassis para ou-
tro, como no caso de R, colocadQ no painel de con- tal; e
tlôles do televisor; 6.0 ) verificar o condensador C..
5.o verificar se na calibração da bobina es- N. B. - Nos casos de substituição de condensadores
tabilizadora horizontal "L" não há atuação alguma, do circuito de sincronismo e oscilador horizontal
pois o condensador C, ligado em paralelo com ela devemos observar sempre os valores corretos e dentro
poderia estar em curto. A própria bobina pod-eria da tolerância indicada pelo fabricante e ainda o tipo
também estar em curto, normalmente em curto par- original utilizado como também a isolação. A não
cial; observância dêstes itens poderá implicar em apareci-
6. 0 ) verificar se o condensador de acoplamento mento de defeitos intermitentes ·no futuro que são
C, está com o escape, desligando o terminal ligado à realmente os mais trabalhosos. Portanto, se se encon-
grade de contrôle do segundo triodo, neste termi- trarem componentes que não correspondam aos valo-
nal medir tensão em relação ao chassis. No caso de res do esquema e que tenham sido substituídos
dúvidas quanto à variação de capacitância dêste con- partiremos para sua substituição independente do
densador devemos faz-er a sua substituição; e consêrto.
7.0 ) verificar o condensador C, que poderá tam-
bém estar em curto ou com passag-em. ANTONIO P. MIGUEL

404 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 íNDICE GERAL
1968
ÁUDIO REV. PAG. REV. PAG.

Amplificadores Contrôle auditivo de transmis-

sores .................... 25 40
Amplificadores classe D 26 84 Curvas características das válvu-
las e suas aplicações . . . . . . . 27 137
Amplifi~ador estereofônic:o tran-
sJstonzado ............... 25 7 Demoduladores de FM 27 173
Amplificador. para fone de cristal 30 357 Distorsor para guitarra elétrica 27 144
Amplificador telefônico . . . . . . . 29 313 Fotômetro ................. 30 395
Pré-amplificador estereofônico . . 28 207 "Jôgo da verdade" eletrônico. .. 26 82
Pré-amplificador este r e o f ô nico Padrão secundário de freqüência 25 13
transistorizado ............ 26 99 Pesquisador de áudio e RF . . . . 28 227
Pré-amplificador para microfone Presente e futuro das nossas tel-e-
e cápsula magnética de toca- comunicações . . . . . . . . . . . . . . 29 292
discos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 167 Projeto de uma fonte regulada . . 27 156
Pré-amplificador universal 25 18 Receptores superheterodinos - a
Pré-amplificando com silício . . . 30 375 etapa de RF . . . . . . . . . . . . . . 26 102
Seletor de canais . . . . . . . . . . . . 27 159
Separadores de sincronismo tran-
Diversos sistorizados . . . . . . . . . . . . . . . . 30 383
Serviços de um LDR . . . . . . . . 30 370
Tacômetro eletrônico . . . . . . . . 29 285
Distorsor para guitarra elétrica 27 144
Tensão CC para os filamentos do
Ge~ado~ de audiofreqüência tran- televisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 243
SJstonzado . . . . . . . . . . . . . . . 26 65
Pesquisador de áudio e RF . . . 28 227 Utilização de tiristores em eletro-
domésticos . . . . . . . . . . . . . . . . 30 391

COMPONENTES
DOCUMENTAÇÃO TtCNICA
Antena cúbica de quadro . . . . 28 221!
Atenuadores . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 399 Gravadon:s
Circuitos integrados lineares . . 28 236
Conversor de UHF transistoriza- Phillips - EL 3302 25 38
do . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 310
Díodo de junção em osciladores 29 305 Rádio-Receptores
Estabilização de tensões com se-
micondutores .... ......... 27 169
Germânio, Silício ou Arseneto Empire - Três Poderes CRJ 61 28 257
de Gálio . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 360 Semp - mod. AC546/C -
Memórias magnéticas . . . . . . . . 26 106 AC431/BF . ....... . .. . .. . . 27 185
Pilhas de Papel . . . . . . . . . . . . . . 29 290 Zilomag - mod. ART-94 (6
Seletor de canais . . . . . . . . . . . . 27 159 volts) .. . . . .. ....· . .. . .... . 29 328
Serviços de um LDR . . . . . . . . 30 370 Zilomag - mod. SE-848 . . . .. . 26 92
Transformador simétrico de fai-
xa larga "Balun" . . . . . . . . . . 26 94
Válvulas de catodo frio 25 20 INSTRUMENTAL DE TESTE

Contrôle auditivo de transmis-

DIVERSOS sores . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . 25 40
Gerador de audiofreqüências tran-
Amplificador/limitador de FI de sistorizado . . . . . . . . . . . . . . . . 26 65
som ..................... 28 209 Gerador de RF . . . . . . . . . . . . . . 29 307
Antena cúbica de quadro . . . . . . 28 228 Medidor de fase . . . . . . . . . . . 26 86
Atenuadores ................ 30 399 Multitester . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 72
Cálculo da impedância de ante- Padrão secundário de freqüência 25 13
nas dipolo ............... 26 79 Pesquisador de áudio e RF . . . . 28 227
Circuitos integrados lineares . . 28 236 Projeto de um circuito multipli-
Computador na engenharia elé- cador de Q utilizando transis-
trica .................... 25 30 tores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 234
Comunicações terrestres via sa- Simulador de duplo feixe para
télites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 217 osciloscópio . . . . . . . . . . . . . . . 27 131

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 405

 REV. PA.G. REV. PA.G.

MONTAGENS DIVERSAS Rádio-receptor Zilomag - mod.

ART-94 (6 volts) . . . . . . . . . . 29 328
Amplificador para fone de -cristal 30 357
Amplificador telefônico 29 313
Antena cúbica de quadro . . . . . . 27 228 PULSOS
Construção de uma antena cúbica
de quadro ............... 29 297 Amplificadores classe D . . . . . . 26 84
Contrôle auditivo de transmis· Distorsor para guitarra elétrica 27 144
sores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 40 Simulador de duplo feixe para
Distorsor para guitarra elétrica 27 144 osciloscópio . . . . . . . . . . . . . . . 27 131
Fotômetro ................. 30 395 Tacômetro eletrônico . . . . . . . . . 29 285
Gerador de áudio freqüências Utilização de tiristores em eletro-
transistorizado . . . . . . . . . . . . . 26 65 domésticos . . . . . . . . . . . . . . . . 30 391
"Jôgo da verdade" eletrônico . . 26 82
Medidor de fase . . . . . . . . . . . . . 26 86
Padrão secundário de freqüência 25 13 SEMICONDUTORES
Simulador de duplo feixe para
osciloscópio .............. 27 131
Tacômetro eletrônico . . . . . . . . 29 285 Aplicações práticas
Transceptor para 28 MHz . . . . 25 34
Amplificador estereofônico tran-
sistorizado . . . . . . . . . . . . . . . . 25 7
OFICINA Amplificador· para fone de cristal 30 357
Amplificador telefônico 29 313
Consertos Circuitos integrados lineares . . . 28 236
Conversor de UHF transistori-
Amplificador de saída inoperante 29 325 zado .................... 29 310
D!feito de alimentação 27 183 Diodo de junção em osciladores 29 305
H;orizontal não sincroniza 30 403 Distorsor para guitarra elétrica 27 144
Rádio-receptor com baixo volume 28 254 Estabilização de tensões com se-
Televisor sem brilho e s!m som 28 255 micondutores ............. 27 169
Televisor sem brilho . . . . . . . . 29 323 Fotômetro ................. 30 395
Televisor sem deflexão vertical 27 181 Gerador de áuuiofreqüências tran-
Zumbido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 402 sistorizado . . . . . . . ... . . . . . . 26 40
"Jôgo da verdade" eletrônico . . 26 82
Padrão secundário de freqüência 25 13
Diversos Pré-amplificador estereofônico 28 207
Pré-amplificador estereofônico
transistorizado ............ 26 99
Contrôle auditivo de transmis- Pré-amplificador para microfone
sores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 40 e cápsula magnética para toca-
Estabilização de tensões com s~­ discos ................... 27 167
micondutores . . . . . . . . . . . . . . 27 169 Pré-amplificador universal . . . . . 25 18
Gerador de áudiofreqüências tran- Pré-amplificando com silício 30 375
sistorizado . . . . . . . . . . . . . . . . 26 65 Projeto de multiplicador de Q
Gerador dé R F . . . . . . . . . . . . . 29 307 utilizando transistores 28 234
Medidor de fase . . . . . . . . . . . . 26 86 Seletor de canais . . . . . . . . . . . . 27 159
Multitester . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 72 Simulador de duplo feixe para
Oscilador RC por deslocamento osciloscópio . . . . . . . . . . . . . . . 27 131
de fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 369 Tacômetro eletrônico . . . . . . . . 29 285
Padrão secundário de freqüência 25 13 Tensão CC para os filamentos
Pesquisador de áudio e RF . . . . 28 227 do televisor .............. 28 243
Projeto de um circuito multipli· Utilização de tiristores em eletro-
cador de Q utilizando transis- domésticos ............... 30 391
tores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 234
Simulador de duplo feixe para
osciloscópio . . . . . . . . . . . . . . 27 131 Teoria
Tensão CC para os. filamentos do 77
televisor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 243 Enciclopédia dos semicondutores 26
Estabilização de tensões com se-
micondutores ............. 27 169
Germânio, Silício ou Arseneto de
Esquemas de aparelhos comerciais Gálio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 360

Gravador portátil transistorizado

- Philips EL 3302 . . . . . . . 25 TELEVISÃO
Radiofone Zilomag - modêlo
SE-848 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 92
Reparações
Rádio-receptor Empire Três Po-
deres CJR 61 . . . . . . . . . . . . . . 28 257
Rádio-receptor Semp - mod. Simulador de duplo feixe para
AC546/C - AC 431/BF . . 27 185 osciloscópio .............. 27 131

406 NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968

 REV. PAG. REV. PAG.

Teoria Projeto de um circuito multipli-

cador de Q utilizando transis-
S~paradores de sincronismo tran- tores ..... ............... 28 234
sistorizados . . . . . . . . . . . . . . . 3O 383 Projeto de uma fonte regulada 27 156
Televisão a côres . . . . . . . . . . . . 25 44 Receptores superheterodinos -
a etapa de RF .......... 26 102
Receptores superheterodinos -
TEORIA projeto de uma etapa RF e os-
ciladora de OM . . . . . . . . . . . 28 246
Seletor de canais . . . . . . . . . . . . 27 159
Amplificadores classe D . . . . . 26 84 Separadores de sincronismo tran-
Amplificador /limitador de FI de sistorizados .............. 30 383
som ..................... 28 209 Televisão a côres . . . . . . . . . . . 25 44
Antena cúbica de quadro . . . . . . 28 228 Tensão CC para os filamentos
Atenuadores ................ 30 399 do televisor . . . . . . . . . . . . . . 28 243
Transformador simétrico de faixa
Cálculo da impedância de ante- larga "balun" ............ 26 94
nas dipolo .............. 26 79 Válvulas de catodo frio 25 20
Circuitos integrados lineares . . 28 236
Curvas características das válvu-
las e suas aplicações 27 137 TELECOMUNICAÇÕES
Demoduladores de FM 27 173
Estabilização de tensões com se- Antena cúbica de quadro 28 228
micondutores ............. 27 169 Comunicações terrestres via saté-
Germânio, Silício ou Arseneto de lites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 223
Gálio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 360 Contrôle auditivo de transmissores 25 40
Construção de uma antena cúbi-
Memórias magnéticas . . . . . . . . 26 106 ca de quadro . . . . . . . . . . . . 29 297
Oscilador RC por deslocamento Presente e futuro das nossas tele-
de fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 369 comunicações . . . . . . . . . . . . . 29 292
Pilhas de papel . . . . . . . . . . . . . 29 290 Transceptor para 28 MHz . . . . 25 34

MOTOR PARA
CORRENTE CONTíNUA
DM "2000"
Consumo: 9 Volts- 30 mA.
Rotação: 2000. r.p.m.
Rotação constante de 6 a 12 Volts.
Motor projetado para consuma minimo, , torque
alto e rotação uniforme, resultando o aproveita-
mento máximo das pilhas.
Dimensões: Altura: 36 mm.
Diâmetro: 39 mm.

S. I. INDÚSTRII E COMtRCIO
Av. Prof. Francisco Morato, 5291 (BR-2)
C. P, 11.026 - Fone: 282-3890 - S. Paulo

NOVEMBRO/DEZEMBRO, 1968 407