UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL - UFRGS

CAMPUS LITORAL NORTE

BACHARELADO EM ENGENHARIA DE GESTÃO DE ENERGIA

HERBERT ANDREWS FRAGOSO DE BARROS

HIURY RAULINO JUNGES

LEVANTAMENTO DE CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE TRANSISTORES

BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)

Tramandaí, 2024

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 HERBERT ANDREWS FRAGOSO DE BARROS

HIURY RAULINO JUNGES

LEVANTAMENTO DE CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE TRANSISTORES

BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)

Relatório técnico apresentado como requisito

parcial para obtenção de aprovação na

disciplina Laboratório de Eletrônica Básica,

no Curso de Bacharelado em Engenharia de

Gestão de Energia, na Universidade Federal

do Rio Grande do Sul.

Prof. Fernando Soares dos Reis

Tramandaí, 2024

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 RESUMO

O transistor bipolar de junção (TBJ) é um dispositivo essencial na

eletrônica por trazer funções essenciais para circuitos integrados modernos. O

TBJ é um dispositivo que é analisado por meio de diversas considerações, desde

seu funcionamento físico em relação com diodos, ou até mesmo a relação entre as

suas correntes por meio das variáveis alfa e beta, sendo a última de suma

importância, denominada ganho de corrente. A presente experiência busca

esclarecer condições de funcionamento entre as regiões do diodo, compreender

essas características do TBJ por meio de variações em um circuito de

polarização de emissor com fonte dupla, permitindo observar a alteração da

corrente de base em função do resistor da base ou das tensões das fontes.

Também é analisado um dos métodos de determinação da curva características

do TBJ por meio da relação entre a curva do coletor, definida pela corrente de

base, e a tensão coletor emissor.

Palavras-chave: Transistores. Ganho. Eletrônica-Básica.

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 SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO................................................................................
2 DESENVOLVIMENTO........................................................................
2.1 OBJETIVO GERAL.........................................................................
2.1.1 Objetivos específicos..........................................................................................................................
2.2 METODOLOGIA............................................................................
2.3 PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL.......................................................
2.4 RESULTADOS.............................................................................
3 CONCLUSÕES E RECOMENDAÇÕES.......................................................
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS............................................................

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1 INTRODUÇÃO

Após a introdução dos diodos como um salto tecnológico proporcionado

pela eletrônica, um segundo marco tecnológico surgiu a partir das experiências

de William Shockley no ano de 1951 pela Bell Telephone. William e seu grupo de

pesquisa inventaram um dispositivo semicondutor capaz de amplificar sinais

elétricos para a televisão e rádio, por exemplo, o chamado transistor de junção

(MALVINO, 2016).

O transistor de junção foi o dispositivo essencial para a elaboração de

circuitos integrados (CIs), que dão origem a equipamentos como o computador e

no geral melhorias em aparelhos que envolvem qualidade de áudio.

Seus tipos são diversos, temos o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) - no

qual é o escopo do presente relatório -, Transistores de Efeito de Campo (FET) e

sua derivação com os Transistores de Efeito de Campo de Metal Óxido

Semicondutores (MOSFET), no qual seguem um princípio de funcionamento

similar, mas com diferenciações funcionais e de custo de produção.

Enfim, os transistores podem fornecer uma vasta flexibilidade quanto aos

seus usos, desde ganhos no sinal elétrico, ou seja uso para amplificação, para até

mesmo funções específicas em circuitos, atuando como comutadores, osciladores

ou fontes de corrente (MANUAL DA ELETRÔNICA, s.d.).

De uso dessas características, o presente relatório abordará o teste do

transistor e a determinação da curva característica, verificando as relações de

tensão e corrente do componente. Além disso, o relatório busca exemplificar as

peculiares e comportamento amplificador do transistor na configuração do

emissor polarizado com fonte dupla.

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2 DESENVOLVIMENTO

O transistor bipolar de junção (TBJ) é um componente com três regiões

dopadas, uma região chamada de emissor em uma das extremidades, uma região
central chamada base e a região na outra extremidade chamada de coletor.
Dependendo da configuração do transistor, essas regiões se alteram em uma
configuração NPN (elétrons livres, lacunas, elétrons livres) ou PNP (lacunas,
elétrons livres, lacunas). Com o foco de estudos no modelo NPN, o encontro entre
a base e os dois terminais da extremidade pode ser compreendido como diodos,
um fato verificável se polarizarmos diretamente essas junções Base-Coletor ou
Base-Emissor, obtendo o valor por volta de 0,7 V em ambas (MALVINO, 2016).

Figura 1 - Regiões do transistor. (a) Camadas de depleção. (b) Equivalente com diodos

Para compreendermos o funcionamento desse dispositivo, é válido

analisarmos as relações entre as correntes existentes em cada uma das regiões.

Figura 2 - Relações da corrente do transistor

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 O fluxo convencional é dado acima. No qual o terminal de coletor tem uma
polarização reversa (se pensarmos no modelo com diodos), o terminal da base
entra no sentido da esquerda para a direita e o terminal de emissor está
polarizado diretamente. Disso, e imaginando o coletor como um nó somente,
teremos a seguinte relação da expressão (1):

I E =I C + I B (1)

Porém, comumente a corrente da base é comumente um valor muito baixo,

o que leva a convenção de que a corrente do coletor é basicamente igual à
corrente do emissor, conforme expresso em (2):

IE≃ IC (2)

Outras duas expressões conhecidas para o transistor é a relação entre a

corrente do coletor e a corrente do emissor, denominada αCC (3), geralmente
entre 0,95 e com limite até 1. Enquanto a outra, relaciona a corrente da base com
a corrente do coletor, sendo comumente chamada de ganho CC de corrente,
denominada βCC (4).

IC
α CC= (3)
IE

IC
β CC= (4)
IB

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 Da expressão (4) nós temos uma equação derivada, muito importante para
entendermos a relação direta entre a corrente da base e do coletor, sendo dada
em (5):

I C =β CC ⋅ I B (5)

2.1 OBJETIVO GERAL

Observar, calcular e analisar os resultados de testes em circuitos com os

transistores bipolares de junção do tipo NPN para a amplificação em emissor

comum.

2.1.1 Objetivos específicos

Determinar a curva característica dos TBJs. Observar o ganho e teste de

defeitos do TBJ. Compreender as relações de emissor, base e corrente do TBJ.

Determinar as regiões de operação do transistor.

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2.2 METODOLOGIA

A partir de uma pesquisa experimental, apoiada pelo professor ministrante

e pelos técnicos do laboratório, busca-se atingir uma análise quali-quantitativa de

natureza básica para a compreensão das variáveis envolvidas em um circuito

elétrico com a presença de transistores bipolares de junção.

2.3 PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Inicialmente, para o seguimento da verificação das características de um

TBJ, utilizamos, utilizamos um circuito que utiliza os seguintes componentes e

equipamentos: 2 multímetros, 2 pares de sondas vermelhas e pretas, 1 par de

cabo banana-jacaré, 1 matriz de contato ( protoboard), 1 trimpot de 1 MΩ, 2

fontes de tensão CC, 1 resistor de 100 kΩ, 2 resistores de 1 kΩ, 1 resistor de

4k7Ω, 1 transistor BC547 (NPN) e 1 transistor BC557 (PNP).

Inicialmente os transistores foram verificados se apresentavam algum

problema funcional. Para a realização do teste, o transistor foi polarizado

diretamente entre base e emissor, seguindo para um teste polarizado

diretamente entre base e coletor, que seguiu para a verificação da polarização

reversa da base e emissor, e, por fim, a verificação da polarização base coletor

reversa. Os resultados foram dispostos na Tabela 1.

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 Tabela 1 - Teste de defeito com o transistor

PBEdireta PBCdireta PBEreversa PBCreversa

686 mV 623 mV OL OL

Após isso, o circuito a ser montado consistia em um circuito de polarização

do emissor com fonte dupla, de forma a replicar o circuito na Figura Z.

Figura 3 - Circuito com transistor de junção bipolar e polarização por fontes simétricas

Com o circuito montado, ocorreram três análises distintas modificando um

valor de um dos componentes do circuito.

A primeira análise mantinha fixa o resistor de base, enquanto modificava

as amplitudes da tensão V EE e/ou VCC para valores específicos, no qual suas

medições foram postas na Tabela 4, 7 e 10

10
 A segunda análise mantinha fixadas as tensões V EE e VCC em -10 V e 10 V,

respectivamente, alterando a resistência R B para 500 kΩ. As medições foram

postas na Tabela 13.

A terceira análise mantinha fixadas as tensões V EE e VCC em -10 V e 10 V,

respectivamente, alterando a resistência R B para 1 MΩ. As medições foram

postas na Tabela 16.

E, por fim, verificamos a influência da resistência de base a partir de um

reostato para a tensão coletor-emissor.

2.4 RESULTADOS

Figura 4 - Circuito com transistor de junção bipolar e polarização por fontes simétricas

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 Tabela 2 - Medidas simuladas para fontes com V EE = -10 V e VCC = 10 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-2,346 3,060 -3,037 0,691 6,963 6,940 23,456 0,997 295,873

Tabela 3 - Medidas teóricas para fontes com V EE = -10 V e VCC = 10 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-3,736 4,396 -4,396 0,660 5,604 5,604 37,36 1 150

Tabela 4 - Medidas experimentais para fontes com V EE = -10 V e VCC = 10 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-2,17 2,87 -2,86 0,66 -7,21 10,15 22 1,41 461,36

Tabela 5 - Medidas simuladas para fontes com Vee = - 5 V e Vcc = 10 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-1,044 6,723 -1,712 0,668 6,963 6,940 10,439 0,997 664,815

Tabela 6 - Medidas teóricas para fontes com Vee = -5 V e Vcc = 10 V

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 VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-1,736 7,396 -2,396 0,660 2,604 2,604 17,36 1 150

Tabela 7 - Medidas experimentais para fontes com Vee = -5 V e Vcc = 10 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-1,02 6,68 -1,68 0,66 -3,4 3,42 10 1,01 342

Tabela 8 - Medidas simuladas para fontes com Vee = - 5 V e Vcc = 5 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-1,103 1,784 -1,773 0,670 3,227 3,216 11,032 0,997 291,516

Tabela 9 - Medidas teóricas para fontes com Vee = - 5 V e Vcc = 5 V

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-1,736 2,396 -2,396 0,660 2,604 2,604 17,36 1 150

Tabela 10 - Medidas experimentais para fontes com Vee = - 5 V e Vcc = 5 V

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 VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-1,05 1,74 -1,72 0,663 -3,37 3,40 10 1,01 340

Tabela 11 - Medidas simuladas para fontes com Vee = - 10 V, Vcc = 10 V

e RB = 500 kΩ

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-5,599 6,281 -6,270 0,670 3,730 3,719 11,199 0,997 332,083

Tabela 12 - Medidas teóricas para fontes com Vee = - 10 V e Vcc = 10 V

e RB = 500 kΩ

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-7,1846 7,8446 7,8446 0,660 2,1554 2,1554 14,3692 1 150

Tabela 13 - Medidas experimentais para fontes com Vee = - 10 V e Vcc = 10 V

e RB = 4,47 kΩ

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-5,47 6,22 -6,21 0,64 -3,87 3,87 11 1 351,82

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 Tabela 14 - Medidas simuladas para fontes com Vee = - 10 V, Vcc = 10 V

e RB = 1 MΩ

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-6,932 7,596 -7,589 0,657 2,411 2,404 6,932 0,997 346,798

Tabela 15 - Medidas teóricas para fontes com Vee = - 5 V e Vcc = 5 V

e RB = 1 MΩ

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-8,1217 8,7817 -8,7817 0,660 1,2183 1,2183 8,1217 1 150

Tabela 16 - Medidas experimentais para fontes com Vee = - 10 V e Vcc = 10 V

e RB = 1 MΩ

VB VC VE VBE IE IC IB α β
[V] [V] [V] [V] [mA] [mA] [μA]

-7,15 7,96 -7,96 0,64 -3,16 3,17 5 1 634

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3 CONCLUSÕES E RECOMENDAÇÕES

No geral, independente da modificação da fonte, verificamos que a maior

modificação das variáveis do circuito vem por conta de alterações na corrente

base, influenciando diretamente o ganho existente no circuito.

O uso do tripot no terminal de base esboça a relação entre a corrente de

coletor e a tensão coletor-emissor, de forma a verificar uma corrente crescente,

seguida de uma tendência de uma corrente constante. Dessa forma, esse ensaio

específico auxiliou a entender as curvas características dos transistores. No qual

quanto menor a resistência de base, maior a corrente de coletor, aumentando a

queda de tensão no resistor do coletor, que consequentemente estabelece uma

baixa tensão entre coletor e emissor.

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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

MALVINO, Albert. P. & BATES, D. Eletrônica. Volume I. 8ª Ed., Editora Mc Graw

Hill, Bookman, 2016.

ALVES, Pedro. Transistor, o que é? Funcionamento e aplicações! Manual da

Eletrônica. Belo Horizonte, MG, s.d. Disponível em:

https://www.manualdaeletronica.com.br/transistor-o-que-e-funcionamento-

aplicacoes/. Acesso em: 28 abr. 2024.

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