ROTEIRO EXPERIMENTAL

EXPERIMENTO COM MOSFET UTILIZANDO A MALETA

DIDÁTICA DE ELETRÔNICA GERAL
CONTEXTUALIZANDO
Antes de iniciar o experimento, aprofundaremos um pouco o seu conhecimento sobre
o tema aqui discutido.

MOSFET

O FET com óxido de semicondutor e metal, ou MOSFET, tem os terminais de fonte, porta e
dreno. O MOSFET difere de um JFET, porém, no caso do MOSFET, a porta é isolada do canal.
Por isso, a corrente na porta é ainda menor que em um JFET. Existem dois tipos de MOSFET:
o de modo de depleção e o de modo de crescimento (ou intensificação). O MOSFET modo
de crescimento é mais usado nos circuitos discretos e integrados (MALVINO; BATES, 2016).
A Figura 1 mostra um MOSFET-E (abreviação de MOSFET Modo Crescimento). O subs-
trato p se estende, agora, por todo o dióxido de silício. Como você pode ver, já não existe
um canal n entre a fonte e o dreno.

Figura 1 – MOSFET Modo Crescimento

Fonte: adaptada de Malvino e Bates (2016).

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 A Figura 2 mostra as polaridades normais para a polarização. Quando a tensão na porta
é zero, a corrente da fonte para o dreno é zero. Por essa razão, um MOSFET-E é, normal-
mente, em corte quando a tensão na porta é zero. O único modo de obter corrente é com
a tensão na porta positiva. Quando a porta é positiva, ela retira elétrons livres da região p.
Os elétrons livres se recombinam com as lacunas próximas do dióxido de silício. Quando
a tensão na porta é suficientemente positiva, todas as lacunas em contato com o dióxido
de silício são preenchidas, e os elétrons livres começam a circular da fonte para o dreno. O
efeito é semelhante a criar uma camada fina de material tipo n próximo do diodo de silício.
A camada fina de condução é chamada de camada de inversão tipo n. Quando ela existe,
os elétrons livres podem circular facilmente da fonte para o dreno (MALVINO; BATES, 2016).

Figura 2 – MOSFET-E polarizado

Fonte: adaptada de Malvino e Bates (2016).
O valor de tensão entre porta e fonte (VGS) mínimo que cria a camada de inversão tipo n
é chamado de tensão de limiar (threshold), simbolizado por VGS(th). Quando VGS é menor que
VGS(th), a corrente no dreno é zero. Quando VGS é maior que VGS(th), a camada de inversão tipo
n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno pode circular. Valores típicos de VGS(th) para
dispositivos de baixo sinal são entre 1 V e 3 V (MALVINO; BATES, 2016).
A Figura 3 mostra uma família de curvas do dreno para um MOSFET-E de pequeno sinal
típico. A curva mais baixa é a curva de VGS(th). Quando VGS for menor que VGS(th), entra em
condução, e a corrente no dreno é controlada pela tensão na porta. A parte quase vertical
do gráfico é a região ôhmica, e as partes quase horizontais são a região ativa. Quando
polarizado na região ôhmica, o MOSFET-E é equivalente a um resistor. Quando polarizado
na região ativa, ele é equivalente a uma fonte de corrente. Embora o MOSFET-E possa ser
operado na região ativa, o principal uso é na região ôhmica (MALVINO; BATES, 2016).

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 Figura 3 – Curvas do dreno do MOSFET-E
Fonte: adaptada de Malvino e Bates (2016).

A Figura 4 mostra uma curva de transcondutância típica. Não há corrente no dreno enquan-
to VGS não for igual a VGS(th). A corrente no dreno, então, aumenta rapidamente, até atingir a cor-
rente de saturação ID(saturação). Além desse ponto, o dispositivo fica polarizado na região ôhmica.
Portanto, ID não pode aumentar, mesmo que haja aumento em VGS. Para garantir a saturação
forte, é usada uma tensão na porta de VGS(lig) bem acima de VGS(th) (MALVINO; BATES, 2016).

Figura 4 – Curva de transcondutância do MOSFET-E

Fonte: adaptada de Malvino e Bates (2016).

Quando VGS é nula, o MOSFET-E está em corte porque não há um canal de condução
entre a fonte e o dreno. O símbolo esquemático na Figura 5 (a) tem uma linha tracejada para
o canal que indica a condição de normalmente em corte. Como você já sabe, a tensão na
porta maior que a tensão de limiar cria uma camada de inversão do tipo n, que conecta a
fonte ao dreno. A seta aponta para a camada de inversão, que age como um canal n quando
o dispositivo está conduzindo.

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 Existe, também, um MOSFET-E canal p. O MOSFET-E canal p também é um dispositivo
no modo de crescimento normalmente em corte. Para ligar um MOSFET-E canal p, a porta
tem que ser negativa em relação à fonte. O valor -VGS tem que alcançar, ou exceder, o valor
–VGS(th) para o MOSFET entrar em condução. Quando isso ocorre, uma camada de inversão
tipo p é formada com as lacunas sendo os portadores majoritários.
O MOSFET-E canal n usa elétrons como os portadores majoritários que têm maior mobi-
lidade que as lacunas no canal p. Isso resulta em RDS(lig) menor e velocidades de comutação
maiores para o MOSFET-E canal n. O símbolo esquemático do MOSFET-E canal p é similar
ao símbolo do MOSFET-E canal n, com a diferença de que a seta aponta para fora, como
mostra a Figura 5 (b) (MALVINO; BATES, 2016).

Figura 5 – Símbolos esquemáticos para MOSFET-E: (a) canal n; (b) canal p

Fonte: adaptada de Malvino e Bates (2016).

Os MOSFETs têm uma camada fina de dióxido de silício, um isolante que impede uma
circulação de corrente para tensões tanto positiva quanto negativa na porta. A camada
isolante é mantida a mais fina possível para permitir um melhor controle da porta sobre a
corrente no dreno. Pelo fato de a camada isolante ser tão fina, ela é facilmente danificada
por uma tensão porta-fonte (VGS) excessiva (MALVINO; BATES, 2016).

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EXPERIMENTO
Neste experimento, você observará, na prática, como funciona um MOSFET, entendendo
seu princípio operativo e levantando suas curvas características.
Preparado(a)? Então, mãos à obra!
Assista, agora, ao vídeo a seguir para entender mais sobre o experimento a ser executado.

MATERIAIS E MÉTODOS
Para realizar esse experimento, você precisará dos seguintes materiais:

■ Maleta didática de Eletrônica Geral com o módulo 4.

■ Cabo de alimentação da maleta.
■ Cabos do tipo pino banana para montagem dos circuitos.
■ Dois multímetros.
■ Materiais para anotações.

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AGORA É COM VOCÊ
A eletricidade é sempre acompanhada por risco de acidentes. Por causa disso, é ne-
cessário cuidado ao trabalhar com circuitos energizados. Os procedimentos experimentais
devem ser acompanhados do manual e de um instrutor. As sequências e operações dos
procedimentos devem receber cuidado especial. Antes de acionar a bancada, leia todo o
procedimento relacionado ao experimento. Antes de ligar a bancada, faça a verificação de
todas as conexões realizadas na montagem da experiência. Ao notar a necessidade de
correção da montagem do experimento, desligue a bancada.

Atenção:

1. A alimentação elétrica da maleta deve ser em rede elétrica de 220 volts. Verifique o
nível de tensão disponível antes de conectar o cabo de alimentação da maleta.
2. Realize a aula prática apenas com o acompanhamento de profissionais treinados.
3. Não toque no acrílico com força excessiva.
4. Não faça qualquer alteração na parte elétrica.
5. Evite deslocar o equipamento.
6. Não desconectar os cabos enquanto o sistema estiver ligado.
7. Em caso de emergência, desligue a chave na lateral.
8. Tenha cuidado na movimentação da maleta.

Para ligar a maleta:

1. Montar o experimento com a maleta desligada.

2. Conectar o cabo de alimentação da maleta em uma tomada.
3. Acionar a chave na lateral esquerda da maleta.

Para desligar a maleta:

1. Desativar a chave na lateral esquerda da maleta.

2. Remover o cabo de alimentação da maleta da tomada.
3. Remover os cabos utilizados durante o experimento.

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Experimento: curvas características do MOSFET

Componentes a utilizar:

a) Fonte fixa de corrente contínua de 5 Vcc, presente na maleta.

b) Fonte variável de corrente contínua de 20 Vcc, presente na maleta.
c) MOSFET 2SK982, presente no módulo 4.
d) Potenciômetro de 10 kΩ, presente na maleta.
e) Resistor R23, presente no módulo 4.
f) Dois multímetros.
g) Cabos do tipo banana.

1. Pesquisar o datasheet do MOSFET 2SK982 para completar a tabela de dados nomi-

nais a seguir:

Característica Valor máximo

VDS

VGSS

ID

PD

2. Encaixar o módulo 4 na maleta.

3. Montar o circuito conforme apresentado na Figura 6.

Figura 6 – Circuito para determinar a curva de saída do MOSFET

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 4. Configurar um multímetro para medir tensão em corrente contínua e colocá-lo para
medir a tensão entre porta e fonte (VGS), conforme apresentado no circuito da Figura 6.
5. Ligar a maleta.
6. Variar a tensão entre porta e fonte (VGS), por meio do potenciômetro de 10 kΩ, até
obter VGS = 1,8 V.
7. Remover o multímetro da posição VGS e colocá-lo para medir a tensão entre dreno e
fonte (VDS), conforme apresentado no circuito da Figura 6.
8. Configurar o outro multímetro para medir corrente em corrente contínua (na escala
de mA) e colocá-lo para medir a corrente de dreno (ID), conforme apresentado no
circuito da Figura 6.
9. Variar a tensão entre dreno e fonte (VDS), por meio do ajuste da fonte variável, de forma
a obter cada um dos valores de VDS apresentados na tabela de dados experimentais
apresentada a seguir. Para cada valor de VDS, anote o respectivo valor da corrente de
dreno (ID) obtido.
10. Repetir os passos de 6 a 9 para VGS = 1,5 V.

VGS = 1,8 V VGS = 1,5 V

VDS (V) ID (mA) VDS (V) ID (mA)

0,0 0,0

0,1 0,1

0,2 0,2

0,3 0,3

0,4 0,4

0,5 0,5

1,0 1,0

1,5 1,5

2,0 2,0

3,0 3,0

5,0 5,0

7,0 7,0

11. Desligar a maleta e os multímetros, desmontar o circuito e deixar tudo organizado

para o próximo experimento.

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Atividades
1. Utilizar os dados experimentais da tabela e construir o gráfico ID x VDS do MOSFET,
traçando uma curva característica para cada valor de VGS.

2. Com base nas curvas encontradas, o que se poderia comentar sobre o funciona-
mento do MOSFET?

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Resultados
1.
VGS = 1,8 V VGS = 1,5 V

VDS (V) ID (mA) VDS (V) ID (mA)

0,0 0,0 0,0 0,00

0,1 14,4 0,1 0,21

0,2 18,0 0,2 0,30

0,3 18,5 0,3 0,35

0,4 19,0 0,4 0,39

0,5 19,2 0,5 0,41

1,0 19,7 1,0 0,47

1,5 20,0 1,5 0,48

2,0 20,4 2,0 0,48

3,0 21,1 3,0 0,49

5,0 22,6 5,0 0,50

7,0 24,5 7,0 0,50

2. Nota-se que, partindo-se de VDS = 0, a corrente ID cresce rapidamente com peque-

nos aumentos na tensão VDS (região ôhmica). A partir de um certo valor de VDS, a
corrente ID passa a variar muito pouco, quase sendo constante (região ativa).

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BIBLIOGRAFIA
GENTILIN, F. A. Eletrônica Analógica. Maringá: UniCesumar, 2021.
MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 1.

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