Eletrônica

Analógica I
O diodo

p n
O diodo semicondutor, cujas aplicações são
numerosas, é criado pela simples junção de um
material tipo N com um material tipo P.
Formação do diodo
Junção PN
O diodo se constitui na junção de duas pastilhas de
material semicondutor, uma de material P e outra de
material N.

Zona de
Junção Fusão
PN
No instante em que os dois materiais são unidos, os
elétrons e as lacunas na região de junção se
combinam, resultando em uma falta de portadores
livres na região próxima à junção.
Formação do diodo
Após a junção das pastilhas que formam o diodo, ocorre
um processo de acomodamento químico entre os
cristais.

P N
Na região da junção alguns
elétron livres saem do
material N e passam para o
material P, recombinando - se
com as lacunas das
proximidades.
Formação do diodo

P N
O mesmo ocorre com
algumas lacunas que passam
do material P para o material
N e se recombinam com
elétrons livres.
Imediatamente após a formação da junção pn,
aparece uma barreira de potencial.
 Formação do diodo
P N

Forma - se na junção uma região

onde não existem portadores livres,
porque estão todos recombina - dos,
neutralizando - se. Esta região é
denominada de REGIÃO DE
DEPLEÇÃO.
Região de
Depleção
Formação do diodo
Como conseqüência da passagem de cargas de um
cristal para outro, cria - se um desequilíbrio elétrico na
região da junção. P N

Os elétrons que se
movimentaram do material
N para o P geram um
pequeno potencial elétrico Zona de
negativo. Potencial
Negativo
 Formação do diodo

As lacunas que se P N
movimentaram para o
material N geram um
pequeno potencial elétrico
positivo.

Zona de Potencial
Positivo
A tensão proporcionada pela barreira de potencial no
interior do diodo, depende do material utilizado na
sua fabricação. Valores aproximados para os diodos
de germânio e silício são 0,3 V e 0,7 V,
respectivamente (25 graus)
E [V/m] O valor de VT depende do
tipo de material
Cristal P - + semicondutor, dos níveis
Elétrons de dopagem e da
- + temperatura.
- + O valor de VT tem um
Lacunas coeficiente térmico
- + Cristal N negativo   -2 [mV/oC]
para o Si
W
Simbologia
O terminal da seta representa o material P, denominado
Anodo e o terminal da barra representa o material N,
denominado de Catodo.

Anodo Catodo A seta indica o sentido

convencional da corrente
elétrica.
 VD
Por ser um dispositivo de dois terminais permite três
possibilidades de polarização:
Nenhuma polarização (VD = 0V);
Polarização reversa (VD < 0V);
Polarização direta (VD > 0V).
O diodo sem polarização:

Essa região de íons positivos e negativos descobertos

é chamada região de depleção devido ao
esgotamento de portadores livres na região.

Na ausência de uma polarização aplicada a um diodo

semicondutor, o fluxo líquido de carga é zero.
O diodo sem polarização:
Condição de polarização reversa:

Se um potencial externo de V volts for aplicado à

junção P-N de modo que o terminal positivo seja
ligado ao material do tipo N e o terminal negativo
seja ligado ao material do tipo P, iremos verificar o
seguinte comportamento:
Condição de polarização reversa:
Polarização reversa
A polarização inversa de um diodo consiste na aplicação de
tensão positiva no Catodo e negativa no Anodo.
O número de íons positivos na região do material N
aumentará devido ao grande número de elétrons
livres atraídos para o terminal positivo da fonte.
O número de íons negativos na região do material P
aumentará devido ao grande número de cargas
positivas atraídas para o terminal negativo da fonte.
A região de depleção sofrerá um alargamento.
A corrente existente sob condição de polarização
reversa é chamada corrente de saturação. É
representada por IS.
IS raramente tem mais que alguns microampères e é
comum ser da ordem de nanoampères.
Região de
Depleção
Condição de polarização direta:

A condição de polarização direta é estabelecida

mediante a aplicação do potencial positivo ao
material tipo P e do potencial negativo ao material
tipo N.
Polarização direta
A tensão positiva é aplicada ao Anodo e a tensão negativa
ao Catodo.
Região de depleção
A aplicação de um potencial de polarização direta
“forçará” os elétrons no material tipo N e as lacunas
no material tipo P a se recombinarem com os íons
próximos à fronteira e reduzirem a largura da região
de depleção.
Um elétron no material do tipo N agora “enxerga”
uma barreira reduzida e de uma forte atração para o
potencial positivo da fonte.
A medida que a tensão aplicada aumenta a região de
depleção continua a diminuir.
A partir de um determinado valor de tensão direta,
ocorrerá uma “enxurrada” de elétrons através da
junção, resultando em um aumento exponencial da
corrente.
Junção PN
Terminal do catodo

Terminal do anodo
Junção PN
O diodo de junção PN se comporta como uma chave que
permite a condução de corrente em apenas um sentido

Esta é a resposta de uma junção PN ideal

O potencial máximo de polarização reversa que
pode ser aplicado antes da entrada na região de
ruptura é chamado de tensão de pico reversa (ou
PIV Peak Inverse Voltage).
O diodo semicondutor comporta-se de maneira
semelhante a uma chave mecânica na medida em
que se pode controlar se uma corrente fluirá entre
seus terminais.
O diodo semicondutor se difere de uma chave
mecânica porque quando o chaveamento for
fechado, permitirá que a corrente flua somente em
um sentido.
A resistência CC do diodo
À medida em que o ponto de operação de um diodo
se move de uma região para outra, a resistência do
diodo também mudará de uma forma não linear.

RD = VD / ID
De um modo geral, quanto maior a corrente que
passa através de um diodo, menor é o nível de
resistência CC.
Exercício 1: Determine os níveis de resistência CC do
diodo, cuja curva característica é representada a
seguir, nas seguintes condições:

a) ID = 2mA
b) ID = 20mA
c) VD = -10V (polarização reversa)
Teste estático do diodo
Avaliando um Diodo com Multímetro Digital
Os multímetros digitais
apresentam, dentro de
sua seção ohmímetro,
uma função especial
(normalmente identificada
pelo símbolo de um
diodo) que permite
avaliar a condição de
junções PN.
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multímetro Digital

Diodo sob Teste

1N4001 – Retificador

Polarizado Diretamente
Indicação da Barreira:
556 [mV]
Diodo Semicondutor
Avaliando um Diodo com Multímetro Digital

Polarizado Reversamente
Indicação de “infinito”
Não foi possível circular
corrente pelo diodo
Teste do diodo
Diodo em boas condições :

Baixa resistência ( + ou - 500 ohms )

Polarização direta
Teste do diodo
Diodo em boas condições :

Alta resistência

Polarização reversa
Teste do diodo
Diodo em curto-circuito (raridade)

Baixa resistência

Polarização direta
Teste do diodo
Diodo em curto-circuito (raridade)

Baixa resistência

Polarização reversa
Teste do diodo
Diodo aberto

Alta resistência

Polarização direta
Teste do diodo
Diodo aberto

Alta resistência

Polarização reversa
Teste do diodo
Identificação dos terminais
Catodo Anodo
As aproximações do diodo
Primeira aproximação (diodo ideal): Em qualquer
nível de corrente na linha vertical, a tensão através
do diodo ideal é de 0V e a resistência, 0Ω.
Diodo Semicondutor
Modelo Ideal
ID
VD = 0
+ - Idealmente, o diodo é
ID
modelado como uma
chave fechada
(polarização direta) e
como uma chave
VD
VR aberta (polarização
reversa). Também
- +
chamado de primeira
aproximação.
IR = 0
Segunda aproximação: Permite a passagem da
corrente elétrica em um só sentido e apresenta uma
queda de tensão constante.
Diodo Semicondutor
Modelo Simplificado
ID
VD = V T
+ - O diodo se torna
+ - uma chave fechada
VT
depois de vencido o
ID joelho da curva
VT
(consegue manipular
VD valores expressivos
VR de corrente).
- + Também chamado
de segunda
aproximação.
IR = 0
Terceira aproximação: Permite a passagem da
corrente elétrica em um só sentido e apresenta uma
queda de tensão que varia com a intensidade da
corrente direta sobre o diodo (ID). Possui uma
resistência que varia de diodo para diodo (RD). O
valor de (RD) varia com o ponto de operação do
diodo no circuito.
Folhas de dados do diodo
Os dados sobre dispositivos semicondutores específicos
normalmente são fornecidos pelo fabricante de duas
formas. Com maior frequência, os dados são apresentados
por meio de uma breve descrição, que não se estende a
mais de uma página. Ou então é feita uma análise completa
das características utilizando gráficos, desenhos, tabelas,
etc. Em ambos os casos, há partes específicas dos dados que
devem ser incluídas para que possamos especificar com
precisão e segurança os dispositivos.
Especificações do diodo
Tensão direta: VF (em corrente e temperatura
específicas).
Corrente direta máxima: IF (a uma temperatura
específica).
Corrente de saturação reversa: IR (a uma tensão e
temperatura específica).
Tensão reversa máxima: VR (a uma temperatura
específica.
Valor máximo de dissipação de potência: PDmax (a
uma determinada temperatura)
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148
Diodo Semicondutor
Exemplo de Folha de Dados – Diodo 1N4148

Características
Elétricas
Referências
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos.
Ed.8, Prentice-Hall, 2004.
MALVINO, A. P. Eletrônica. 4a ed. v.1. São Paulo: Erica, 1997.
ALBUQUERQUE, R. O.; SEABRA, A. C. Utilizando Eletrônica com AO, SCR, TRIAC,
UJT, PUT, CI 555, LDR, LED, FET e IGBT. 1. São Paulo: Editora Érica, 2ª ed 2012.
COSTA, Vander Menegoy da. Circuitos elétricos lineares: enfoque teórico e prático.
Rio de Janeiro: Interciência, 2013.
IDOETA, Ivan V; CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos de eletrônica digital. 40.
ed. São Paulo, SP: Erica, 2011.
MARKUS, O. Circuitos Elétricos: Corrente Contínua e Corrente Alternada - Teoria e
Exercícios. 8ª ed. São Paulo: Erica, 2007.
MARQUES, A. E.; NASHELSKY, L. Estude e Use Dispositivos Semicondutores
Diodos Transistores, Ed. 5, São Paulo: Erica, 2004.
NILSSON, James William; RIEDEL, Susan A. Circuitos elétricos. 8. ed. Rio de
Janeiro, RJ: Pearson Prentice Hall, 2009.
Obrigado!