10 µm

Fabricação de dispositivos semicondutores

10 µm – 1971 6 µm - 1974 3 µm - 1977 1,5 µm - 1982 1 µm - 1985 800 nm - 1989 600 nm - 1994 350 nm - 1995 250 nm - 1997 180 nm - 1999 130 nm - 2001 90 nm - 2004 65 nm - 2006 45 nm - 2008 32 nm - 2010 22 nm - 2012 14 nm - 2014 10 nm - 2016 7 nm - 2018 5 nm - 2020

O processo de 10 μm é o nível de tecnologia de processamento de semicondutor MOSFET que foi comercialmente atingiu cerca de 1971, por empresas de semicondutores principais tais como RCA e Intel.

Em 1960, o engenheiro egípcio Mohamed M. Atalla e o engenheiro coreano Dawon Kahng, enquanto trabalhavam na Bell Labs, demonstraram os primeiros transistores MOSFET com comprimentos de porta de 20 μm e, em seguida, 10 μm. Em 1969, a Intel lançou o chip 1101 MOS SRAM com um processo de 12 μm.

Referências

Precedido por: *

processos de fabricação CMOS

Sucedido por: 6 µm