Transistor de Efeito de Campo FET

FET - Aspectos gerais

O FET (Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo um dispositivo
unipolar (um tipo de portador - eltron ou lacuna), constitudo a partir de uma
barra de material do tipo "P" ou "N" denominado "Canal", nas extremidades da
barra contatos metlicos formando um terminal chamado dreno ou "drain" e
outro denominado fonte, supridouro ou "source", entre os contatos dreno-fonte
existem ainda duas regies "P" ou duas regies "N", interligadas, difundidas no
interior da barra chamadas de porta ou "gate".
Sua operao parte do princpio em que um campo eltrico perpendicular a um
fluxo de corrente controla a resistncia de um canal constitudo por portadores
do tipo "P" ou portadores do tipo "N" os quais constituem, respectivamente,
FET de canal P e FET de canal N.

Figura 1 - a) Transistor de efeito de campo de juno JFET. b) Analogia do fluxo

de gua para o mecanismo de controle do JFET.

FET de Juno ou JFET

Na ausncia de um potencial aplicado ao JFET restam duas junes P-N no
polarizadas. O resultado uma regio de depleo em cada juno. A regio de
depleo no possui portadores livres, e portanto, no permite a conduo
atravs da regio. Quando estas regies avanam at se tocarem no interior do
canal a passagem de corrente, da fonte ao dreno, cortada.

Figura 2 - Estrutura, smbolos e encapsulamentos dos JFETs simtrico e

assimtrico canal P e canal N.

Comparao do JFET ao Transistor de Juno Bipolar TJB

O JFET um dispositivo controlado por tenso enquanto o TJB controlado por
corrente. O JFET mais estvel, por outro lado, O TJB mais sensvel
principalmente s variaes de temperatura.
Vantagens em comparao ao transitor bipolar:

Impedncia de entrada extremamente elevada, da ordem de 100 M

Maior imunidade a rudo
Maior estabilidade trmica
Fabricao relativamente simples
Como desvantagens apresenta menor velocidade de resposta e menor
produto ganho x banda passante (PGL)

Basicamente dois Tipos:

O FET de juno ou JFET
O FET de metal xido semicondutor de porta isolada, MOSFET ou IG-FET
O MOSFET tambm chamado de IG-FET (Isolated Gate) porta isolada, porque
apresenta a porta internamente isolada por uma camada de silcio SiO2, O que
faz apresentar uma resistncia de entrada bem mais elevada que o JFET.
Principais aplicaes:
Amplificadores de tenso para pequenos sinais
Medidores de alta impedncia de entrada
Circuitos digitais, principalmente quando integrado
Funcionamento - O funcionamento de um JFET canal P, anlogo ao JFET
canal N, necessrio apenas inverter a polaridade das fontes de alimentao
dreno-supridouro (VDS) e gate-supridouro VGS. As figuras a seguir, iro
mostrar na sequncia, o princpio de funcionamento do JFET de juno canal N.

Funcionamento - Regio de Saturao

Polarizao dreno-supridouro com VGS = 0 Regio de Saturao - As
figuras A, B e C mostram na sequncia o efeito da polarizao
dreno-supridouro com VGS=0.

Figura 4 - Regio de saturao.

Funcionamento - Regio Ativa

Controle de ID exercido por VGS Regio ativa - As figuras D, E e F
mostram na sequncia o avano das zonas de depleo em direo a outra
extremidade do canal. A partir da figura F, tem incio regio ativa do JFET
onde o controle da corente ID passa a ser exercido por VGS..

Figura 5 - Regio Ativa.

Funcionamento - Regio de Corte

ID corta com -VGS Regio de Corte - As figuras G, H e I mostram na
sequncia o estreitamento do canal at alcanar o corte, onde ocorre o
pinamento e ID corta com -VGS ou VGSoff que neste JFET do exemplo -4
Volts.

Figura 6 - Regio de saturao.

Polarizao do JFET
Polarizar um dispositivo fixar um ponto de trabalho ou ponto quiescente por
meio de componentes perifricos, podendo esse ponto ser visualizado na
caracterstica de sada do dispositivo.
A figura abaixo, representa dois circutos de polarizao (tipo autopolarizao),
para os JFEs canal N e Canal P respectivamente.

Figura 7: a) Polarizao do JFET canal N - b) Polarizao do JFET canal P.

Caracterstica de transferencia (VGS x ID) - Parte I

A fsica por trs do funcionamento do JFET a mesma para todos os JFETs.
Apenas o tamanho das regies dopadas, o nvel de dopagem etc. mudam de
um JFET para outro.
Por isso todos os JFETs tem uma curva de transferncia (trancondutncia) que
o grfico de uma equao do tipo Y=ax2.
Vamos representar a caracterstica de transferncia de um determinado JFET
que apresenta: Vp = -4 v e IDSS = 12 mA.
Como ponto de partida, consideramos 5 pontos estratgicos tendo como
limites "0" e "VGSoff" e aplicaremos a formula de transferncia para encontrar
"ID" correspondente a cada ponto, conforme mostra a figura 6.
A partir da expresso ID = IDSS . (1-VGS/VP) ^2 (Equao de Shockley)
encontraremos os valores de ID mostrados na 3a coluna da tabela.

Figura 8: - a) Equao de transferncia - b) Tabela com resultados

Caracterstica de transferencia (VGS x ID) - Parte II

Utilizamos os dados da tabela anterior (tela 08) para representar graficamente
as caractersticas de transferncia (VGS x ID) do FET em questo. O resultado
o grfico representado na figura abaixo.

Figura 9 - Caracterstica de transferencia (VGS x ID).

Caracterstica de Sada
Tomando como base as caractersticas de entrada do FET anterior e
considerando o mximo valor da tenso de alimentao suportada por este
(VDS mx = 20 Volts), poderemos representar em um grfico as caracterstica
de sada (VDS x ID), tambm denominada "curvas de dreno".

Figura 10 - Reta de carga e ponto de trabalho na caracterstica de sada.

Definio da reta de carga e ponto de trabalho - ponto

quiescente "Q"
Com base no circuito de polarizao do FET, aplicando Kirchoff na malha de
dreno, temos:
VDD = RD.ID + VDS
que corresponde a equao de uma reta em um sistema (ID x VDS) e para
traa-la necessitamos dois pontos, a saber:
Primeiro ponto:
ID = 0 VDS = VDD
Segundo ponto:
VDS = 0 ID = VDD/RD
A partir destes dois pontos traaremos a reta de carga na caracterstica de
sada do dispositivo e localizaremos nesta, o ponto de trabalho ou ponto
quiescente, conforme visto na figura 10.

Figura 11 - Circuito de autopolarizao e reta de carga.

Autopolarizao do JFET - Parte I

Com um JFET autopolarizado, conforme mostrado na figura abaixo, a tenso da
fonte (supridouro) igual ao produto da corrente de dreno pela resistncia (rs)
de supridouro, assim temos:
VS = ID.RS
A tenso porta-supridouro o negativo dessa tenso, que igual a
VGS = -ID.RS
Essa a equao para encontrar o ponto de trabalho (ponto "Q") em um JFET
autopolarizado, conforme mostrado na figura abaixo.

Figura 15 - JFET autopolarizado.

Autopolarizao do JFET - Parte II - Conceito do Terra

Virtual
Analogia - Faremos a seguinte anlise: como no ha corrente no Gate VGS=0,
ento considera-se um curto-circuito virtual entre os terminais de gate e terra,
embora a resistncia do gate seja extremamente elevada, conceitualmente
nestas condies o terminal do gate torna-se um terra virtual, assim sendo:
VG=VGS+VRS 0=VGS+VRS -VGS=VRS
RS=VRS/ID RS = -VGS/ID e ID = -VGS/RS
Os dados desta equao permitem determinar a linha de autopolarizao, a
partir dos valores de VGS e ID quiescente. Com VRS=-VGS, podemos calcular o
resistor RS a partir da tenso gate supridouro dividida pela corrente do dreno,
conforme a expreso:
RS=-VGS/ID = -2v/4mA = 0,5 x 10^3 = 0,5 k ou 500
Os dados desta equao permitem determinar a linha de autopolarizao, a
partir dos valores de VGS e ID quiescente, mostrados na figura 10. Este
exemplo considera determinado JFET de VGSoff =-4V, e o ponto quiescente em
VGSq = -2V e IDq = 4 mA, o valor do resistor de supridouro Rs, ser:

Figura 13: a) Linha de autopolarizao - b) Deslocamento do ponto de

trabalho "Q" por diferentes valores de RS.

Aplicaes do JFET
A figura 14 mostra as seguintes aplicaes:
Em a), temos o JFET utilizado como chave eletrnica, que permite ou
bloqueia a passagem um sinal analgico a partir de uma tenso CC de
controle aplicada ao gate.
Em b), temos o JFET utilizado como fonte de corrente, fornece uma
corrente constante, para uma carga varivel.
Em C), temos o JFET utilizado como multiplexador analgico, capaz de
selecionar uma ou mais formas de ondas sem sobrecarregar as
respectivas fontes.

Figura 14: Aplicaes do JFET: a) Chave analgica - b) Limitador de corrente c) Multiplexador analgico .

Transistor de Efeito de Campo de Metal xido

semicondutor - MOSFET
MOSFET - Transistor de Efeito de Campo de Metal xido
semicondutor
Alm do FET discreto ou FET de juno - JFET, existe um outro tipo de transistor
de efeito de campo chamado MOSFET, que significa "transistor de efeito de
campo de metal xido semicondutor". Na Figura 20 temos, para o MOSFET, as
seguintes representaes:
Estrutura que representa MOSFET.
Encapsulameto do tipo, dispositivo para montagem em superfice - SMD
e outro para montagem em placa convencional.
Smbolo do MOSFET canal N. Para representar o canal P, s inverter o
sentido da seta no interior do canal.
Circuito chaveador, para controlar um motor a partir de uma porta
AND, que usa a lgica TTL.

Figura 15: MOSFET: a) Estrutura, encapsulamento, smbologia e circuito.

Quanto ao funcionamento, o MOSFET ainda divide-se em modo depleo ou
normalmente ligado, e modo intensificao ou enriquecimento.

MOSFET modo depleo ou modo normalmente ligado

MOSFET modo depleo - Tambm chamado normalmente ligado, porque
conduz quando VGS=0, seu funcionamento depende das regies de depleo.
A possiblidade do uso de uma tenso positiva na porta o que distingue o
MOSFET modo depleo de um JFET.

Figura 16 - MOSFET modo deplao: a) Smbolo, modelo e polarizao - b)

Curva de dreno e curva de transcondutncia.

MOSFET modo intensificao ou modo enriquecimento

MOSFET modo intensificao - No modo intensificao tem menor
capacitncia e impedncia de entrada mais elevada, seu funcionamento
depende da intensificao da condutividade do canal.

Figura 17 - MOSFET modo intensificao: a) Smbolo, modelo e polarizao b) Curva de dreno e curva de transcondutncia.

Aplicaes com MOSFET - Parte I

Nesta primeira dcada do sculo XXI, os MOSFETs esto sendo largamente
empregado na fabricao de monitores de vdeo, principalmente em circuitos
de proteo de sada horizontal e fonte de alimentao chaveadas para
monitores de diversas marcas conceituadas no Brasil.
A figura seguinte mostra alguns dos MOSFETs utilizados para esta finalidade.

Figura 18 - MOSFETs utilizados em monitores de vdeos para computadores.

Aplicaes com MOSFET - Parte II

Um outro tipo de aplicao, desta vez para o MOSFET de potncia,
representada por um circuito detector de nvel destes empregados na rea de
automao, conforme representa o diagrama esquemtico da figura 24.
B1 e B2 so os sensores de nvel.

Figura 19 - Circuito detector de nvel de liquido.

Referncias
ALMEIDA, Antonio Carlos; Notas de aulas de Eletrnica, Eletrotcnica e
Instalaes Eltricas. SENAI/CEFET-BA, 1978 - 2008
BOGART, Theodore F. J.; Dispositivos e Circuitos Eletrnicos. So Paulo - SP,
Makron Books
BOYLESTAD, Robert L, NASHELSKY - Traduo: Rafael Monteiro Simon;
Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. So Paulo - SP, Prentice Hall
BROPHY, James J.; Eletrnica Bsica. Rio de Janeiro - RJ, Editora Guanabara Dois
S.A.
COTRIM, Ademaro A. M. B.; Instalaes Eltricas. So Paulo - SP, Prentice Hall
CREDER, Hlio; Instalaes Eltricas. Rio de Janeiro - RJ, LTC - Livros Tcnicos e
Cientficos Editora S.A.
FIGINI, Gianfranco - traduo: Carlos Antonio Lauand; Eletrnica Industrial:
Circuitos e Aplicaes. So Paulo - SP, Hemus Editora Limitada
MALVINO, Albert Paul - traduo: Romeu Abdo; Eletrnica: volume 1. So Paulo
- SP, Makron Books
KAUFMAN, Milton & WILSON J. A.; Eletrnica Bsica. So Paulo - SP, McGraw-Hill
do Brasil