Dr.

Dung Trinh HCMUT / 2017

Electronic Circuits
Chapter 3: Frequency Response

1
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Outline
Introduction

Low frequency and high frequency models

Low frequency response of CS and CE Amplifier

High frequency model of MOSFET and BJT

Miller’s Theorem and Exact Analysis

HF Response of CG, Source and Emitter Followers

2
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Introduction

At lower frequencies, the magnitude of the amplifier gain falls off. This occurs
because the coupling and bypass capacitors no longer have low impedances.
The gain of the amplifier falls off at the high-frequency end. This is due to
internal capacitive effects in the BJT and in the MOSFET.

3
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Introduction: Low-pass Circuit

𝑉𝑖 1 𝑉𝑖
In frequency domain: 𝑉𝑜 = ∙ =
1 𝑗𝜔𝐶 1 + 𝑗𝜔𝑅𝐶
𝑅+
𝑗𝜔𝐶
𝑉𝑜 1 1
→ 𝐴𝑣 = = =
𝑉𝑖 1 + 𝑗𝜔𝑅𝐶 1 + 𝑗 𝑓ൗ
𝒇 𝟎
𝟏 𝟏
𝒇𝟎 = = 𝝉 = 𝟐𝝅𝑹𝑪
𝟐𝝅𝑹𝑪 𝝉
4
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Introduction: High-pass Circuit

𝑉𝑖 𝑅 𝑉𝑖
In frequency domain: 𝑉𝑜 = =
1 1
𝑅+ 1+
𝑗𝜔𝐶 𝑗𝜔𝑅𝐶
𝑓
𝑉𝑜 1 1 𝑗 ൗ𝑓
𝑜
→ 𝐴𝑣 = = = =
𝑉𝑖 1 − 𝑗 1 𝑓 𝑓
1 − 𝑗 𝑜ൗ𝑓 1 + 𝑗 ൗ𝑓
𝜔𝑅𝐶 𝑜
𝟏 𝟏
𝒇𝟎 = = 𝝉 = 𝟐𝝅𝑹𝑪
𝟐𝝅𝑹𝑪 𝝉
5
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Introduction: Octave vs. Decade

If f2 = 2f1, then f2 is one octave above f1.

If f2 = 10f1, then f2 is one decade above f1

𝑓2 𝑓2
# 𝑜𝑓 𝑜𝑐𝑡𝑎𝑣𝑒 = 𝑙𝑜𝑔2 = 3.32𝑙𝑜𝑔10
𝑓1 𝑓1
𝑓2
# 𝑜𝑓 𝑑𝑒𝑐𝑎𝑑𝑒 = 𝑙𝑜𝑔10
𝑓1

Example:
2 GHz is one octave above 1 GHz
10 GHz is one decade above 1 GHz

6
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Introduction: 3dB definition

𝟏
3dB points are points at which the magnitude is that at mid-band
𝟐
frequency.

Power is halved. Voltage is scaled as:

𝑉𝑜 𝑉𝑜
=
1+𝑗 2

From which:
𝐴𝑑𝐵 = 20𝑙𝑜𝑔10 2 = 3𝑑𝐵

7
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Introduction: Gain
Amplifier has intrinsic gain: 𝑨𝟎

𝟏
Low-pass characteristics:
𝟏+𝒋𝒇ൗ𝒇
𝒉𝒊

𝒋𝒇ൗ𝒇
𝒍𝒐
High-pass characteristics: 𝒇
𝟏+𝒋 ൗ𝒇
𝒍𝒐

𝒇
𝟏 𝒋 ൗ𝒇
𝒍𝒐
Overall gain: 𝑨 𝒇 = 𝑨𝟎 𝒇 𝒇
𝟏+𝒋 ൗ𝒇 𝟏+𝒋 ൗ𝒇
𝒉𝒊 𝒍𝒐

At very high frequency, the gain becomes:

𝟐
𝑮 = −𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈𝟏𝟎 𝟏 + 𝝎ൗ𝝎𝟎 ≈ −𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈𝟏𝟎 𝝎ൗ𝝎𝟎

Slope of curve is -20dB/decade -6dB/octave

8
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Model for general amplifying element

CC1 and CC2 are coupling capacitors (large): 𝜇𝐹.

Cin and Cout are parasitic capacitors (small): 𝑝𝐹.

Mid-band frequency: - Coupling capacitors are short circuits

- Parasitic capacitors are open circuits

𝒗𝒐𝒖𝒕
𝑨𝑴𝑩 =
𝒗𝒊𝒏
𝑹𝒊𝒏 𝑹𝑳
= 𝑨
𝑹𝒊𝒏 + 𝑹𝒈 𝑹𝑳 + 𝑹𝒐𝒖𝒕
9
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Low frequency model

Low frequency model: - Coupling capacitors are present.
- Parasitic capacitors are open circuits.

𝑅𝑖𝑛 𝑗𝜔𝑅𝑖𝑛 𝐶𝑐1

𝑣𝑎𝑏 = 𝒗𝒊𝒏 = 𝒗𝒊𝒏
1 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑐1 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔
𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 + 𝑗𝜔𝐶
𝑐1

𝑅𝑖𝑛 𝑗𝜔𝐶𝑐1 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔

= 𝒗𝒊𝒏
𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑐1 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔
10
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Low frequency model

1 1
Define: 𝑓𝑙1 = 𝑓𝑙2 =
2𝜋 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 𝐶𝑐1 2𝜋 𝑅𝑜𝑢𝑡 + 𝑅𝐿 𝐶𝑐2

𝑓
𝑅𝑖𝑛 𝑗𝜔𝐶𝑐1 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 𝑅𝑖𝑛 𝑗 ൗ𝑓
𝑙1
𝑣𝑎𝑏 = 𝒗𝒊𝒏 = 𝒗𝒊𝒏
𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑐1 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 1 + 𝑗 𝑓ൗ
𝑓𝑙1
𝑓
𝑅𝐿 𝑗𝜔𝐶𝑐2 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐿 𝑗 ൗ𝑓
𝑙2
𝑣𝑜𝑢𝑡 = 𝑨𝒗𝒂𝒃 = 𝑨𝒗𝒂𝒃
𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑐2 𝑅𝐿 + 𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 1 + 𝑗 𝑓ൗ
𝑓𝑙2

11
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Low frequency model

𝑓 𝑓
𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑅𝑖𝑛 𝑅𝐿 𝑗 ൗ𝑓𝑙1 𝑗 ൗ𝑓
𝑙2
Overall gain: =𝐴
𝑣𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 1 + 𝑗 𝑓ൗ 1 + 𝑗 𝑓ൗ
𝑓𝑙1 𝑓𝑙2
𝑓 𝑓
𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑗 ൗ𝑓 𝑗 ൗ𝑓
𝑙1 𝑙2
= 𝑨𝑴𝑩
𝑣𝑖𝑛 𝑓 𝑓
1 + 𝑗 ൗ𝑓 1 + 𝑗 ൗ𝑓
𝑙1 𝑙2

12
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier

13
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier

14
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier

15
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier

16
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

17
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier
Considering the Effect of Each of the Three Capacitors Separately

Case 1: Consider 𝑪𝑪𝟏 , short circuit 𝑪𝑬 and 𝑪𝑪𝟐

𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋
𝑉𝜋 = 𝑽𝒔𝒊𝒈
1
𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 + 𝒔𝐶
𝑐1
𝒔 = 𝒋𝝎
𝑉𝑜 = −𝒈𝒎 𝑽𝝅 𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳

𝑉𝑜 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋
=− 𝒈 𝑹 ∥ 𝑹𝑳
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝒎 𝑪
𝑠
×
1
𝑠+
𝐶𝑐1 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔

1 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋
𝑓𝑃1 = 𝑨𝑴𝑩 = − 𝒈𝒎 𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳
2𝜋𝐶𝑐1 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔
18
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier
Considering the Effect of Each of the Three Capacitors Separately

Case 2: Consider 𝑪𝑬 , short circuit 𝑪𝑪𝟏 and 𝑪𝑪𝟐

𝑅𝐵 1
𝐼𝑏 = 𝑽𝒔𝒊𝒈
𝑅𝐵 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑅 ∥ 𝑅 1
𝐵 𝑠𝑖𝑔 + 𝛽 + 1 𝑟𝑒 + 𝒔𝐶
𝐸
𝒔 = 𝒋𝝎
𝑉𝑜 = −𝜷𝑰𝒃 𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳

𝑉𝑜 𝑅𝐵 𝜷 𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳
=−
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐵 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐵 ∥ 𝑅𝑠𝑖𝑔 + 𝛽 + 1 𝑟𝑒
𝑠
×
1
𝑠+ 𝑅 ∥ 𝑅𝑠𝑖𝑔
𝐶𝐸 𝑟𝑒 + 𝐵 ൘𝛽 + 1
1
𝑓𝑃2 =
𝑅 ∥ 𝑅𝑠𝑖𝑔
2𝜋𝐶𝐸 𝑟𝑒 + 𝐵 ൘𝛽 + 1
19
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier
Considering the Effect of Each of the Three Capacitors Separately

Case 3: Consider 𝑪𝑪𝟐 , short circuit 𝑪𝑬 and 𝑪𝑪𝟏

𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋
𝑉𝜋 = 𝑽𝒔𝒊𝒈
𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔

𝒔 = 𝒋𝝎 𝑹𝑪
𝑉𝑜 = −𝒈𝒎 𝑽𝝅 𝑹𝑳
𝟏
𝑹𝑪 + 𝒔𝑪 + 𝑹𝑳
𝟐
𝑉𝑜 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋
=− 𝒈 𝑹 ∥ 𝑹𝑳
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐵 ∥ 𝑟𝜋 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝒎 𝑪
𝑠
×
1
𝑠+
𝐶𝑐2 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿

1
𝑓𝑃3 =
2𝜋𝐶𝑐2 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
20
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier
Case 1 Case 2

Case 3

21
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CE Amplifier

𝑉𝑜 𝑠 𝑠 𝑠
= −𝐴𝑀
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑠 + 𝜔𝑃1 𝑠 + 𝜔𝑃2 𝑠 + 𝜔𝑃3

If fP1, fP2 and fP3 are widely separated: 𝑓𝐿 = max(𝑓𝑃1 , 𝑓𝑃2 , 𝑓𝑃3 )

1 1 1 1
If fP1, fP2 and fP3 are close together: 𝑓𝐿 ≈ + + = 𝑓𝑃1 + 𝑓𝑃2 + 𝑓𝑃3
2𝜋 𝑅𝑐1 𝐶𝑐1 𝑅𝐸 𝐶𝐸 𝑅𝑐3 𝐶𝑐3

Example 2: Select appropriate values for 𝐶𝑐1 , 𝐶𝑐2 and 𝐶𝐸 for the CE amplifier which has
𝑅𝐵 = 100𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 8𝑘Ω, 𝑅𝐿 = 5𝑘Ω, 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 5𝑘Ω, 𝛽 = 100, 𝑔𝑚 = 4𝑚𝐴/𝑉 and 𝑟𝜋 =
2.5𝑘Ω. It is required 𝑓𝐿 = 100𝐻𝑧.

22
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CS Amplifier

23
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CS Amplifier

24
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

26
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CS Amplifier
𝑅𝐺
𝑉𝑔 = 𝑽𝒔𝒊𝒈
1
𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 + 𝒔𝐶
𝑐1

𝑅𝐺 𝑠
𝑉𝑔 = 𝑽𝒔𝒊𝒈
𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑠 + 1
𝐶𝑐1 𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔

𝑉𝑔 𝑠
𝐼𝑑 = = 𝑔𝑚 𝑉𝑔 𝑔
1 1 𝑠+𝐶
1 +
𝑔𝑚 𝑠𝐶𝑠 𝑠
𝑓𝑃1 =
2𝜋𝐶𝑐1 𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷
𝑔𝑚 𝐼𝑜 = −𝐼𝑑
𝑓𝑃2 = 1
𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 + 𝒔𝐶
2𝜋𝐶𝑠 𝑐2
1 𝑅𝐷 𝑅𝐿 𝑠
𝑓𝑃3 = 𝑉𝑜 = −𝐼𝑑
2𝜋𝐶𝑐2 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 𝑠 + 1
𝐶𝑐2 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿
27
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

LF Response of CS Amplifier

𝑉𝑜 𝑅𝐺 𝑠 𝑠 𝑠
=− 𝒈 𝑅 ∥ 𝑅𝐿
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝒎 𝐷 𝑠 + 𝜛𝑃1 𝑠 + 𝜛𝑃2 𝑠 + 𝜛𝑃3
𝑉𝑜 𝑠 𝑠 𝑠
= 𝑨𝑴𝑩
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑠 + 𝜛𝑃1 𝑠 + 𝜛𝑃2 𝑠 + 𝜛𝑃3

𝑅𝐺
where: 𝑨𝑴𝑩 = − 𝒈 𝑅 ∥ 𝑅𝐿
𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝒎 𝐷
28
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

High frequency model

Low frequency model: - Coupling capacitors are short.
- Parasitic capacitors are present.

𝑹𝒊𝒏
𝑽𝒕𝒉𝟏 = 𝒗𝒊𝒏
𝑹𝒊𝒏 + 𝑹𝒈
Equivalent Thevenin Circuit
𝑹𝒕𝒉𝟏 = 𝑹𝒊𝒏 ∥ 𝑹𝒈

29
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

High frequency model

𝑅𝑖𝑛 1
𝑣𝑎𝑏 = 𝒗𝒊𝒏
𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 1 + 𝑗𝜔 𝑅𝑖𝑛 ∥ 𝑅𝑔 𝐶𝑖𝑛

𝑅𝑖𝑛 1 1
= 𝒗𝒊𝒏 where: 𝑓ℎ1 =
𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 1 + 𝑗 𝑓ൗ 2𝜋 𝑅𝑖𝑛 ∥ 𝑅𝑔 𝐶𝑖𝑛
𝑓ℎ1
𝑅𝐿 1 𝑅𝐿 1
𝑣𝑜𝑢𝑡 = 𝑨𝒗𝒂𝒃 = 𝑨𝒗𝒂𝒃
𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 1 + 𝑗𝜔𝐶𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝑜𝑢𝑡 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 1 + 𝑗 𝑓ൗ
𝑓ℎ2
1
where: 𝑓ℎ2 =
2𝜋 𝑅𝑜𝑢𝑡 ∥ 𝑅𝐿 𝐶𝑜𝑢𝑡
30
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

High frequency model

𝑣𝑜𝑢𝑡 𝑅𝑖𝑛 𝑅𝐿 1 1
Overall gain: = 𝑨𝒗𝒂𝒃
𝑣𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑛 + 𝑅𝑔 𝑅𝐿 + 𝑅𝑜𝑢𝑡 1 + 𝑗 𝑓ൗ 1 + 𝑗 𝑓ൗ
𝑓ℎ1 𝑓ℎ2

𝑣𝑜𝑢𝑡 1 1
= 𝑨𝑴𝑩
𝑣𝑖𝑛 𝑓 𝑓
1 + 𝑗 ൗ𝑓 1 + 𝑗 ൗ𝑓
ℎ1 ℎ2

31
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

BJT High Frequency model

Emitter-base capacitance 𝐶𝜋 is in the range of a few picofarads.

Collector-base capacitance 𝐶𝜇 is in the range of a fraction of pF to a few pF.

𝑟𝑥 is added to model the resistance of the silicon material of the base

region between the base terminal B and a fictitious internal, or intrinsic,
base terminal that is right under the emitter region.

33
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CE Amplifier

34
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CE Amplifier

𝑉𝑜 𝑅𝐵 𝑟𝜋
Midband gain: 𝐴𝑀𝐵 = =− 𝑔𝑚 𝑅𝐿′
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐵 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑟𝜋 + 𝑟𝑥 + 𝑅𝐵 ∥ 𝑅𝑠𝑖𝑔

𝑉𝑜 1
And: = 𝐴𝑀𝐵
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑗𝑓
1+
𝑓0
35
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CE Amplifier

𝟏
the 3dB frequency: 𝒇𝟎 =
𝟐𝝅𝑪𝒊𝒏 𝑹′𝒔𝒊𝒈 Miller effect
′
𝐶𝑖𝑛 = 𝐶𝜋 + 𝐶𝑒𝑞 = 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 𝑅𝑠𝑖𝑔 ∥ 𝑅𝐺

36
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CE Amplifier
Example 4: It is required to find the mid-band gain and the upper 3-dB
frequency of the common-emitter amplifier. Given: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐸𝐸 = 10𝑉, 𝐼 =
1𝑚𝐴, 𝑅𝐵 = 100𝑘Ω, 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 5𝑘Ω, 𝑅𝐿 = 5𝑘Ω, 𝛽0 = 100, 𝑉𝐴 = 100𝑉, 𝐶𝜇 =
1𝑝𝐹, 𝐶𝜋 = 7𝑝𝐹 and 𝑟𝑥 = 50Ω.

37
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CE Amplifier
Example 4: It is required to find the mid-band gain and the upper 3-dB
frequency of the common-emitter amplifier. Given: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐸𝐸 = 10𝑉, 𝐼 =
1𝑚𝐴, 𝑅𝐵 = 100𝑘Ω, 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 5𝑘Ω, 𝑅𝐿 = 5𝑘Ω, 𝛽0 = 100, 𝑉𝐴 = 100𝑉, 𝐶𝜇 =
1𝑝𝐹, 𝐶𝜋 = 7𝑝𝐹 and 𝑟𝑥 = 50Ω.

38
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Miller’s Theorem
In the analysis of HF response of CE and CS amplifiers, a technique for
replacing the bridging capacitance by an equivalent input capacitance.

This technique is based on a general theorem known as Miller’s

theorem.

Assume that 𝑽𝟐 = 𝑲𝑽𝟏 . Miller’s theorem states that impedance Z can be

replaced by two impedances:
𝒁 𝒁
𝒁𝟏 = 𝒁𝟐 =
𝟏−𝑲 𝟏 − 𝟏ൗ𝑲

39
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Analyzing using Miller’s theorem

The value of and can be determined
using Miller’s theorem:
𝐶1 = 𝐶𝑔𝑑 1 − 𝐾

𝐶2 = 𝐶𝑔𝑑 1 − 1ൗ𝐾
Generalized HF equivalent
𝑉
where: 𝐾 = 𝑜൘𝑉 = −𝑔𝑚 𝑅𝐿′ circuit for the CS amplifier
𝑔𝑠

HF equivalent circuit model of the CS amplifier

after the application of Miller’s theorem
41
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Analyzing using Miller’s theorem

𝑪𝟏 and 𝑪𝟐 will be used to determine the overall transfer function.

𝐶1 = 𝐶𝑔𝑑 1 − 𝐾 = 𝐶𝑔𝑑 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝐶2 = 𝐶𝑔𝑑 1 − 1ൗ𝐾 = 𝐶𝑔𝑑 1 + 1ൗ𝑔 𝑅′

𝑚 𝐿
1
At the input side: 𝑓ℎ𝑖 = ′
2𝜋 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶1 𝑅𝑠𝑖𝑔
1
At the output side: 𝑓ℎ𝑜 =
2𝜋 𝐶𝐿 + 𝐶2 𝑅𝐿′
𝑉𝑜 −𝑔𝑚 𝑅𝐿′
The approximated transfer function: ′ =
𝑉𝑠𝑖𝑔 𝑠 𝑠
1+ 1+
𝜔ℎ𝑖 𝜔ℎ𝑜

1
𝑓𝐻 =
1 1
+
𝑓ℎ𝑖2 𝑓ℎ𝑜
2
HF equivalent circuit model of the CS amplifier
after the application of Miller’s theorem
42
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Gate Capacitive Effect

The gate capacitive effect can be modeled by the capacitances Cgs, Cgd.

1
❖ Triode region: 𝐶𝑔𝑠 = 𝐶𝑔𝑑 = 𝑊𝐿𝐶𝑜𝑥
2
2
❖ Saturation region: 𝐶𝑔𝑠 = 𝑊𝐿𝐶𝑜𝑥 𝐶𝑔𝑑 = 0
3

❖ Cutoff region: 𝐶𝑔𝑠 = 0 𝐶𝑔𝑑 = 0

Equivalent circuit for the case in which Equivalent circuit with 𝐶𝑑𝑏 neglected (to
the source is connected to the substrate simplify analysis)
43
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CS Amplifier

CS Amplifier HF Equivalent circuit

Simplified HF Equivalent circuit

44
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CS Amplifier

𝑉𝑜 ≃ −𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑉𝑔𝑠

Simplified HF Equivalent circuit

𝑉 𝑅𝐺
Midband gain: 𝐴𝑀𝐵 = 𝑉 𝑜 = − 𝑅 𝑔𝑚 𝑅𝐿′
𝑠𝑖𝑔 𝐺 +𝑅𝑠𝑖𝑔

Load current: 𝐼𝐿′ = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 − 𝐼𝑔𝑑

At frequencies in the vicinity of 𝑓𝐻 : 𝐼𝐿′ ≈ 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 → 𝑉𝑜 ≃ −𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑉𝑔𝑠

The current 𝐼𝑔𝑑 can now be found as: 𝐼𝑔𝑑 = 𝑠𝐶𝑔𝑑 𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑜 = 𝑠𝐶𝑔𝑑 𝑉𝑔𝑠 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑉𝑔𝑠
= 𝑠𝐶𝑔𝑑 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑉𝑔𝑠
45
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CS Amplifier
❖ Therefore, the left-hand side of XX’ could be replaced by 𝐶𝑒𝑞, where

𝑠𝐶𝑒𝑞 𝑉𝑔𝑠 = 𝑠𝐶𝑔𝑑 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑉𝑔𝑠 or 𝑪𝒆𝒒 = 𝑪𝒈𝒅 𝟏 + 𝒈𝒎 𝑹′𝑳

Miller effect

𝐶𝑖𝑛 = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑒𝑞 = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′

′
𝑅𝑠𝑖𝑔 = 𝑅𝑠𝑖𝑔 ∥ 𝑅𝐺
46
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CS Amplifier
𝑉𝑔𝑠 can be written as:
𝑅𝐺 1 𝑅𝐺 1
𝑉𝑔𝑠 = 𝑉 = 𝑉
𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑠𝑖𝑔 𝑗𝑓 𝑅𝐺 + 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝑠𝑖𝑔 1 + 𝑠
1+ 𝜔0
𝑓0
𝟏
where 𝑓0 is the 3dB frequency: 𝒇𝟎 =
𝟐𝝅𝑪𝒊𝒏 𝑹′𝒔𝒊𝒈
′
𝐶𝑖𝑛 = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑒𝑞 = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑔𝑑 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 𝑅𝑠𝑖𝑔 ∥ 𝑅𝐺

47
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CS Amplifier
Example 3: Find the mid-band gain 𝐴𝑀𝐵 and the upper 3-dB frequency 𝑓𝐻 of a CS
amplifier fed with a signal source having an internal resistance 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 100𝑘Ω. The
amplifier has 𝑅𝐺 = 4.7𝑀Ω, 𝑅𝐷 = 𝑅𝐿 = 15𝑘Ω, 𝑔𝑚 = 1𝑚𝐴/𝑉, 𝑟𝑜 = 150𝑘Ω, 𝐶𝑔𝑠 =
1𝑝𝐹, 𝐶𝑔𝑑 = 0.4𝑝𝐹.

48
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HF Response of CS Amplifier
Example 3: Find the mid-band gain 𝐴𝑀𝐵 and the upper 3-dB frequency 𝑓𝐻 of a CS
amplifier fed with a signal source having an internal resistance 𝑅𝑠𝑖𝑔 = 100𝑘Ω. The
amplifier has 𝑅𝐺 = 4.7𝑀Ω, 𝑅𝐷 = 𝑅𝐿 = 15𝑘Ω, 𝑔𝑚 = 1𝑚𝐴/𝑉, 𝑟𝑜 = 150𝑘Ω, 𝐶𝑔𝑠 =
1𝑝𝐹, 𝐶𝑔𝑑 = 0.4𝑝𝐹.

49
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

The HF Gain Function

The amplifier gain can be expressed in the general form: 𝑨 𝒔 = 𝑨𝑴 𝑭𝑯 (𝒔)
1 + 𝑠Τ𝜔𝑧1 1 + 𝑠Τ𝜔𝑧2 … 1 + 𝑠Τ𝜔𝑧𝑛
where: 𝑭𝑯 𝒔 =
1 + 𝑠Τ𝜔𝑃1 1 + 𝑠Τ𝜔𝑃2 … 1 + 𝑠Τ𝜔𝑃𝑛

The designer needs to estimate the value of the upper 3-dB frequency 𝑓𝐻
→ particularly interested in the part of the HF band close to the midband.

1
If the dominant pole exists: 𝑭𝑯 𝒔 ≈
1 + 𝑠Τ𝜔𝑃1

If the dominant pole does not exist: For simplicity, consider the following case:

1 + 𝑠Τ𝜔𝑧1 1 + 𝑠Τ𝜔𝑧2
𝑭𝑯 𝒔 =
1 + 𝑠Τ𝜔𝑃1 1 + 𝑠Τ𝜔𝑃2

50
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Biểu đồ Bode

63
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Q&A

64
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HW 3.1
RG =100k, Rsig= RL =1k, RS =
0.5k và RD = 2k.
Các tụ ghép và bypass đều có
giá trị là 1 uF.
Các thông số của transistor
sau khi được phân cực như
sau: gm = 5 mA/V, Cgs = 4 pF
và Cgd = 0.2 pF

a. Ước lượng tần số cắt thấp

của mạch fL.
b. Ước lượng tần số cắt cao
của mạch fH.
c. Vẽ phác thảo đáp ứng tần
số của mạch.

Mạch điện tử Th.S. Nguyễn Thanh Tuấn 65

Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HW 3.2
Cho mạch PMOS có
gm = 4mA/V, rds = , ở tần
số cao có các tụ ký sinh Cgs
= 15pF, Cgd = 3pF.
1) Tính độ lợi dãy giữa.
2) Tính tần số cắt thấp fL.
3) Tính tần số cắt cao fH.
4) Từ 3 kết quả trên, vẽ phát
thảo đồ thị Bode biên độ
của G(s) = Vo(s)/Vi(s).

Mạch điện tử Th.S. Nguyễn Thanh Tuấn 66

Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HW 3.3

Cho BJT có β = 100, phân cực rπ = 1KΩ.

a) Trong trường hợp C1 = 10µF và C2 có giá trị rất lớn, xác định biểu thức và vẽ
biên độ của độ lợi áp xoay chiều |Av = vo/vi |theo tần số (dựa trên phương
pháp tiệm cận gần đúng).
b) Xác định giá trị của C1 và C2 (0.1 < C1, C2 < 100) để mạch có tần số cắt thấp
(-3dB) fL = 300Hz.

67
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HW 3.4
Cho BJT có β = 100, phân
cực rπ = 1KΩ
a. Giải thích ngắn gọn
vai trò và ảnh hưởng
của các tụ điện C1 và
C2?
b. Vẽ sơ đồ mạch tương
đương tín hiệu nhỏ tần
số thấp (có tụ C1 và
C2)?

c. Trong trường hợp tụ C2 có giá trị rất lớn, xác định giá trị của tụ C1 để
mạch có tần số cắt thấp là 20Hz? Tính biên độ của độ lợi dòng Ai = io/ii
tại các tần số 2Hz, 20Hz và 200Hz?
d. Tìm giá trị thích hợp của C1 và C2 (0 < C1, C2 < ) để mạch có tần số
cắt thấp là 20Hz?
68
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

HW 3.5
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

TỰ ÔN TẬP

70
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 1
RG =100k, Rsig= RL =1k, RS
= 0.5k và RD = 2k,
Các tụ ghép và bypass đều
có giá trị là 1 uF.
Các thông số của transistor
sau khi được phân cực như
sau: gm = 5 mA/V, Cgs = 4
pF và Cgd = 0.2 pF
1) Ước lượng tần số cắt
thấp của mạch fL.
2) Ước lượng tần số cắt
cao của mạch fH.

Mạch điện tử Th.S. Nguyễn Thanh Tuấn 71

Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 2

Mạch điện tử Th.S. Nguyễn Thanh Tuấn 72

Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 3
• gm = 5mA/V
• Tìm tần số
cắt thấp?

73
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 4
• BJT (hfe = 100, hie = 1KΩ)

74
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 4 (tt)

a) Trong trường hợp C1 = 1@µF và C2 có giá trị rất
lớn, xác định biểu thức và vẽ biên độ của độ lợi áp
xoay chiều |Av = vo/vi |theo tần số (dựa trên phương
pháp tiệm cận gần đúng).
b) Trong trường hợp C1 có giá trị rất lớn và C2 =
1@µF, tìm tần số cắt thấp (-3dB) của mạch trên.
c) Xác định giá trị của C1 và C2 (0.1 < C1, C2 < 100)
để mạch có tần số cắt thấp (-3dB) fL = 300Hz.

75
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 5
• FET (gm = 5.10-3 mho, rds = 2@KΩ, Cgs = 100pF)

76
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 5 (tt)

a) Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ tần số cao của
mạch trên.
b) Xác định biểu thức của độ lợi áp xoay chiều Av =
vo/vi và tìm tần số cắt cao (-3dB) của mạch trên.
c) Tìm lại tần số cắt cao (-3dB) của mạch trên trong
trường hợp FET có thêm tụ ký sinh Cgd = 10pF.

77
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 6
Cho các thông số:
Vcc=20v, R1=10k,
R2=100k, ri=10k,
Re=0.1k, RC=1k,
RL=1k, Ce=10 μF ,
Cc=20 μF, hfe=50.

a) Vẽ sơ đồ bé tín hiệu
tương đương ở tần số
thấp.
b) Xác định độ lợi Ai.
c) Vẽ biểu đồ Bode.

78
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 7
a) Tính độ lợi dãy giữa Aim
b) Tìm tần số 3dB fh

◼ Các thông số của mạch:

Vcc= 20v
ωT=109 rad/s
hfe= 100
Cbc= 5 pF
ICQ= 10 mA

79
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 8
• hfe = 100
• hie = 1KΩ

80
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 8 (tt)

a) Giải thích ngắn gọn vai trò và ảnh hưởng của các tụ điện C1
và C2?
b) Vẽ sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ (có tụ C1 và C2)?
c) Trong trường hợp tụ C2 có giá trị rất lớn, xác định giá trị của
tụ C1 để mạch có tần số cắt thấp là 2@Hz? Tính biên độ của
độ lợi dòng Ai = io/ii tại các tần số 2.@Hz, 2@Hz và 2@0Hz?
d) Trong trường hợp tụ C1 có giá trị rất lớn và tụ C2 = 1@uF,
xác định biểu thức và vẽ (theo phương pháp tiệm cận) đáp
ứng biên độ tần số của độ lợi dòng Ai = io/ii? Tìm tần số cắt
thấp (theo Hz) của mạch?
e) Tìm giá trị thích hợp của C1 và C2 (0 < C1, C2 < ) để mạch có
tần số cắt thấp là 2@Hz?

81
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 9
• Với C = 1@ uF, tìm R để đảm bảo mạch hoạt
động đạt yêu cầu với tín hiệu âm thanh [20Hz
– 20KHz]?

82
Dr. Dung Trinh HCMUT / 2017

Bài tập 10
Cho mạch PMOS có
gm = 4mA/V, rds = , ở tần
số cao có các tụ ký sinh Cgs
= 15pF, Cgd = 3pF.
1) Tính độ lợi dãy giữa.
2) Tính tần số cắt thấp fL.
3) Tính tần số cắt cao fH.
4) Từ 3 kết quả trên, vẽ phát
thảo đồ thị Bode biên độ
của G(s) = Vo(s)/Vi(s).

Mạch điện tử Th.S. Nguyễn Thanh Tuấn 83