بۆ ناوەڕۆک بازبدە

سیلیکۆن

لە ئینسایکڵۆپیدیای ئازادی ویکیپیدیاوە
فسفۆرسیلیکۆنئەلەمنیۆم
C

Si

Ge
پیشاندان
شێوەی کریستالین


هێڵە شەبەنگییەکانی سیلیکۆن
تایبەتمەندییە گشتییەکان
ناو، ژمارە، ھێما سیلیکۆن، 14، Si
پۆلێنکردنی توخم کانزای لێکچوو
کۆمەڵە، خول، خشتۆک 14، 3، p
گەردیلە بارستە 28.0855گ•مۆڵ−1
شێوگی ئەلیکترۆنی [Ne] 3s2 3p2
ڕیزبوونی ئەلیکترۆنەکان بۆ ھەر بەرگێک 2, 8, 4 (وێنە)
سیفاتە فیزیاییەکان
دۆخ ڕەق
چڕی (لە پلەی گەرمی ژوور) 2.3290 گ•سم−3
چڕی شل لە قۆناغی توانەوە 2.57 گ•سم−3
قۆناغی توانەوە 1687 ک، 1414 °س، 2577 °ف
قۆناغی کوڵان 3538 ک، 3265 °س، 5909 °ف
پلەی گەرمای توانەوە 50.21 کیلۆجول•مۆڵ−1
حرارة التبخر 359 کیلۆجول•مۆڵ−1
السعة الحرارية (25 °س) 19.789 جول•مۆڵ−1•کێلڤن−1
پەستانی ھەڵم
P (پاسکاڵ) 1 10 100 1 کیلۆ 10 کیلۆ 100 کیلۆ
لە T (کێلڤن) 1908 2102 2339 2636 3021 3537
سیفاتە ئەتۆمییەکان
أرقام الأكسدة 4, 3 , 2 , 1[١] -1, -2, -3, -4
(amphoteric oxide)
کارۆ سالیبێتی 1.90 (پێوەری بۆلینگ)
وزەکانی ئایۆناندن یەکەم: 786.5 کیلۆجول•مۆڵ−1
دووەم: 1577.1 کیلۆجول•مۆڵ−1
سێیەم: 3231.6 کیلۆجول•مۆڵ−1
نیوە تیرەی گەردیلەیی 111 بیکۆمەتر
نیوە تیرەی گەردیلە ھاوبەشی 111 بیکۆمەتر
نیوە تیرەی ڤان دێر والز 210 بیکۆمەتر
تایبەتمەندییەکانی تر
پێکھاتەی کریستاڵی ئەڵماسی شەشپاڵویی
باری موگناتیسی دایا موگناتیس[٢]
بەرگری کارەبایی 103[٣]أوم•متر (20 °س)
گەیاندنی گەرمی 149 واط•متر−1•كلفن−1 (300 کێلڤن)
بڵاوبوونەوەی گەرمی 2.6 میکرۆمەتر•مەتر−1•کێلڤن−1 (25 °س)
خێرایی دەنگ (سلك رفيع) 8433 مەتر/چرکە (20 °س)
ھاوبەشی یۆنگ 130-188[٤] گێگاپاسکاڵ
ھاوبەشی شێئر 51-80[٤] گێگاپاسکاڵ
ھاوبەشی قەبارە 97.6[٤] گێگاپاسکاڵ
ڕێژەی پۆیسۆن 0.064 - 0.28[٤]
ڕەقی مۆس 7
ژمارەی تۆمارکردن 7440-21-3
طاقة فجوة النطاق عند 300 کێلڤن 1.12 eV
نەگۆڕترین ھاوتاکان
وتاری سەرەکی: ھاوتای سیلیکۆن
ھاوتاکان بوونی لە سروشت نیوە تەمەن جۆری تیشک ھێزی تیشک (مێگا ئەلیکترۆن ڤۆڵت) بەرھەمی تیشک
28Si 92.23% 28Si هاوتای نەگۆڕە لەگەڵ 14 نیوترۆن
29Si 4.67% 29Si هاوتای نەگۆڕە لەگەڵ 15 نیوترۆن
30Si 3.1% 30Si هاوتای نەگۆڕە لەگەڵ 16 نیوترۆن
32Si trace 170 y β 13.020 32P

سیلیکۆن (بە ئینگلیزی: Silicon) یەکێکە لە توخمە کیماییەکان و هێمای گەردیلەیی (Si)یە و گەردیلە ژمارەی (١٤)یە.

پەراوێزەکان

[دەستکاری]
  1. ^ Ram, R. S.؛ et al. (1998). «Fourier Transform Emission Spectroscopy of the A2D–X2P Transition of SiH and SiD» (PDF). J. Mol. Spectr. 190: 341–352. PMID 9668026. {{cite journal}}: Explicit use of et al. in: |author= (یارمەتی)
  2. ^ Magnetic susceptibility of the elements and inorganic compounds, in Lide, D. R.، ed. (2005). CRC Handbook of Chemistry and Physics (86th ed.). Boca Raton (FL): CRC Press. ISBN 0-8493-0486-5.
  3. ^ Physical Properties of Silicon. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties. Ioffe Institute
  4. ^ ئ ا ب پ [١] Hopcroft, et al., "What is the Young's Modulus of Silicon?" IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, 2010
pFad - Phonifier reborn

Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.

Note: This service is not intended for secure transactions such as banking, social media, email, or purchasing. Use at your own risk. We assume no liability whatsoever for broken pages.


Alternative Proxies:

Alternative Proxy

pFad Proxy

pFad v3 Proxy

pFad v4 Proxy