UNIVERSIDADE ESTADUAL DE MARINGÁ

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA QUÍMICA

ENGENHARIA ELÉTRICA

João Pedro Ferregato da Silva - RA 122468

Lethicia Fernanda Paris - RA 115218
Mario Lucas Lima de Souza Ribeiro - RA 118654

RELATÓRIO IV - Amplificador de sinal com TBJ - análise CC

e CA

Relatório dos experimentos realizado com

Transistores Bipolares de Junção na disciplina
de Laboratório de Circuitos Eletrônicos I

Professor: Luiz Carlos Campana Sperandio

Maringá
2022
Sumário
1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA 1
1.1 Análise CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1.1 Polarização por Divisor de Tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Análise CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2.1 Modelo re do BJT - polarização por divisor de tensão . . . . . . . . 4
1.2.2 Emissor comum com divisor de tensão . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2 OBJETIVOS 6
2.1 Análise CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.2 Análise CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

3 METODOLOGIA 7
3.1 Análise CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2 Análise CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

4 RESULTADOS E DISCUSSÕES 9
4.1 Análise CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.2 Análise CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

5 CONCLUSÕES 12
5.1 Análise CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5.2 Análise CA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 13
1 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA

A amplificação de um sinal CA através de um TBJ é na verdade o aumento em tensão,

corrente ou potência é o resultado de uma transferência de energia das fontes CC aplicadas.
Para a a análise do projeto de qualquer amplificador utiliza-se duas componentes: a
resposta CA e CC. Para qualquer análise de circuitos amplificadores com TBJ, usa-se as
seguintes relações básicas de um transistor:

VBE = VB − VE
IE = (β + 1)IB ∼
= IC
IC = βIB

1.1 Análise CC

Para amplificadores com transistor, a corrente e a tensão CC resultantes estabelecem

um ponto de operação nas curvas caracterı́sticas que definem a região que será empregada
para a amplificação, visto que este ponto é fixo. Como visto na figura a seguir:

Figura 1: Fonte: BOYLESTAD,2013.

Os TBJ’s devem ser polarizados para operar fora dos limites máximos, caso contrário
sua vida útil se reduzirá.

1
 Para a polarização do TBJ em sua região de operação linear (ativa), as seguintes
condições devem ser atendidas:

• A junção base-emissor deve estar diretamente polarizada, com uma tensão resultante
de polarização de mais ou menos 0,6V a 0,7V.

• A junção base-coletor deve estar reversamente polarizada, com a tensão reversa de

polarização situando-se dentro dos limites máximos do dispositivo.

1.1.1 Polarização por Divisor de Tensão

Como o transistor TBJ é muito sensı́vel a temperatura, o valor exato de beta não é
exatamente definido. Dessa forma, desenvolveu-se um circuito de polarização que fosse
menos dependente do beta do componente, a polarização por divisor de tensão (PDT).

Essa configuração é a mais usada para polarização do transistor, sendo derivado do

circuito de polarização emissor. Como muitas vezes a tensão da fonte pode ser muito
alta para ser aplicada diretamente na base, aplica-se um divisor de tensão com resistores,
como mostrado a seguir:

Figura 2: Fonte: BOYLESTAD,2013.

A partir deste circuito, pode-se trabalhar com qualquer valor de R1 e R2, de modo a
garantir que a tensão na base seja baixa o suficiente para não danificar o TBJ.

O circuito acima pode ser analisado como um circuito equivalente de Thévenin da

seguinte maneira:

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 Figura 3: Fonte: BOYLESTAD,2013.

Substituindo a tensão por um curto circuito, tem-se:

R1 R2
RT H = R1 +R2

E calculando a tensão sobre R2 :

R2
ET H = V
R1 +R2 CC

Realizando a análise de Kirchoff para malhas no circuito e aplicando IE = (β + 1)IB ,

tem-se que a corrente de base é:

ET H −VBE
IB = RT H +[(β+1)IB ]RE

1.2 Análise CA

Para a análise de amplificação onde há uma entrada CA, é possı́vel identificação da
amplitude de pequenos sinais (sensores/transdutores) e para grandes sinais (amplifica-
dores de potência). Há 3 tipos de modelos usados para análise CA: Modelo re , Modelo
Hı́brido Equivalente e o Modelo π equivalente, porém o de maior foco é do primeiro citado,
que possui as seguintes caracterı́sticas:

• Parâmetros definidos pelas condições reais de operação;

• Maior sensibilidade a variações de polarização (nı́vel CC).

3
1.2.1 Modelo re do BJT - polarização por divisor de tensão

A configuração é semelhante do que foi visto para análise CC, por outro lado, em
corrente alternada é analisado o ganho de tensão, a impedância de entrada e de saı́da.
Assim, esse tipo de polarização é caracterizada por:

• Zi média;

• Z0 média;

• Av alta e com fase invertida;

• Ai alta.

Assim, um circuito com configuração do tipo divisor de tensão pode ser:

Figura 4: Fonte: BOYLESTAD,2013.

O que ainda fornece um circuito equivalente reanjado de outra maneira:

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 Figura 5: Fonte: BOYLESTAD,2013.

Dessa maneira para a impedância de entrada é dada pela seguinte expressão:

Zi = R′ ||βre

Para encontrar R’, basta associar R1e R2 em paralelo fornecendo a seguinte equação:

R′ = R1 R2
R1 +R2

Para encontrar a impedância de sáida, temos:

Z0 = Rc|| r0

Mas para a condição em que r0 for maior ou igual a 10Rc ,obtemos:

Z0 = Rc

Para o ganho de tensão, visto que Rc e r0 estão associados em paralelo, a tensão V0 é dada
por:

V0 = (Rc ||r0 )(βIb )

e a corrente de base Ib :

Vi
Ib = βre

Assim, o ganho de tensão da configuração de divisor de tensão é dado por:

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 Av = V0
Vi
= − Rcr||r
e
0

ou para r0 maior ou igual a 10Rc :

V0
Av = Vi
= − Rrec

1.2.2 Emissor comum com divisor de tensão

Esse tipo de configuração une a polarização do emissor comum com o divisor de tensão,
fazendo com que haja 2 resistores conectados a saı́da do emissor. Assim, para o cálculo
de Ri obtemos o seguinte:

Ri = RB 1 ||RB 2 ||(re + RE 1 )(β + 1)

E para o ganho de tensão, obtemos a seguinte expressão:

Av = V0
Vi
= − (re R c αIE
+RE 1 )IE
= − re αR c
+RE 1

2 OBJETIVOS

2.1 Análise CC

O objetivo para esse tipo de análise em corrente contı́nua é identificar a queda tensão
na junção base-coletor e coletor-emissor, as correntes e tensões de cada terminal e a ganho
.

2.2 Análise CA

O propósito dessa análise é observar o ganho de corrente e de tensão em regime CA

no TBJ. Em outras palavras, ver a amplificação do componente.

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3 METODOLOGIA

3.1 Análise CC

Os materiais utilizados para o experimento em análise CC foram:

• Protoboard;

• Fonte CC de 8V;

• RB1 = 68 kΩ e RB2 = 47 kΩ;

• RC = 4,7 kΩ;

• RE1 = 390 Ω e RE2 = 3,3 kΩ;

• Transistor NPN BC549.

Representando o circuito montado em sala no simulador:

Figura 6: Montagem do circuito em CC

Com um multı́metro, medimos tensão - pontas de prova em paralelo com o componente

- e corrente - pontas de prova em série com o componente.

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3.2 Análise CA

Lista de materiais utilizados para a simulação no Falstad:

• Fonte CC de 12V;

• Fonte CA de 200 mV e 1 kHz;

• RB1 = 68 kΩ e RB2 = 47 kΩ;

• RC = 4,7 kΩ;

• RE1 = 390 Ω e RE2 =3,3 kΩ;

• Transistor NPN BC549;

• CB = 4,7 uF;

• CE = 22 uF;

• CC = 4,7 uF.

A montagem do circuito no Falstad foi realizada da seguinte forma:

Figura 7: Montagem do circuito em CA

Inicialmente foi visualizada no osciloscópio do simulador a tensão de entrada alter-

nada, assim como sua corrente. Logo após, as mesmas medidas foram feitas sobre
o capacitor do coletor, indicando a tensão e corrente de saı́da.

8
4 RESULTADOS E DISCUSSÕES

4.1 Análise CC

Foram medidas as seguintes tensões e correntes para os 3 terminais do TBJ - Emissor,

Base e Coletor:

VE (V) 2,64 IE (mA) 0,71

VC (V) 4,64 IC (mA) 0,71
VB (V) 3,22 IB (uA) 1,52

Tabela 1: Tensões e correntes em CC

A queda de tensão na junção base-emissor VBE medida pelo multı́metro foi de 0,58
V, estando na faixa de 0,5 a 0,7 V. A queda entre o coletor e o emissor VCE foi de 2 V. O
valor hFE β achado foi de 470.

4.2 Análise CA

Para iniciar a discussão dos resultados do circuito amplificador emissor comum, é

válido observar a tensão e a corrente de entrada alternada, como representadas no seguinte
gráfico:

Figura 8: Tensão de entrada

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 Figura 9: Corrente de entrada

Obtem-se os valores de:

Iin = 4,581 A
Vin = 200 mV

Para o sinal de saı́da sobre o capacitor do coletor do transistor, obteve-se os seguintes

gráficos de tensão e corrente:

Figura 10: Tensão de saı́da sobre RC e CC

10
 Figura 11: Corrente de saı́da sobre RC

Obtém-se os valores de:

Iout = 1,182 mA
Vout = 6,786 V

Relacionando os valores de entrada e saı́da através da equação de ganho de corrente

e ganho de tensão, temos que:

Iout 1,182 mA
Ai = Iin
= 4,581 A

Ai = 258,02

Vout 6,786 V
AV = Vin
= 0,2 V

AV = 33,93

Dessa forma, o circuito obteve um ganho de tensão de aproximadamente 34 vezes,

com fase de saı́da oposta à de entrada. O mesmo ocorre para a corrente, que obteve um
ganho aproximado de 259.

Outro fator importante que foi levado em consideração na montagem do circuito, foi
a utilização de capacitores, cuja função é oferecer fácil passagem aos sinais alternados e
bloquear a corrente contı́nua.

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5 CONCLUSÕES

5.1 Análise CC

É possı́vel concluir que a corrente de base é muito menor do que a corrente de coletor
- que é praticamente igual ao fluxo de elétrons do emissor. Também notamos que a perda
de energia entre a o coletor e o emissor é bem maior do que a perda entre a base e o
emissor.

5.2 Análise CA

Levando em consideração a propriedade de ampliar um sinal que o circuito amplifi-

cador emissor comum tem, foi possı́vel concluir que ao polarizar um transistor NPN de
junção próximo ao centro da reta de carga CC, ocorre-se um ganho de tensão e corrente.
Também, empregando o transistor como amplificador, as variações da polarização de base
são provocadas pela aplicação de um pequeno sinal AC na entrada, que aparece na saı́da
com seu valor ampliado.

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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

BOYLESTAD, Robert. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos, 11ª edição. Pe-
arson Universidades, 2013.

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