산화 인듐(III)

산화 인듐
이름
	별칭 indium trioxide, indium sesquioxide
식별자
CAS 번호	1312-43-2 ;
3D 모델 (JSmol)	Interactive image;
ChemSpider	133007 ;
ECHA InfoCard	100.013.813
PubChem CID	150905;
UNII	4OO9KME22D ;
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID40893857 ;
	InChI InChI=1S/2In.3O/q2+3;3-2 Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N ; InChI=1/2In.3O/q2+3;3-2 Key: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL;
	SMILES [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3];
성질
화학식	In2O3
몰 질량	277.64 g/mol
겉보기	yellowish green odorless crystals
밀도	7.179 g/cm3
녹는점	1,910 °C (3,470 °F; 2,180 K)
물에서의 용해도	insoluble
띠간격	~3 eV (300 K)
자화율 (χ)	−56.0·10−6 cm3/mol
구조
결정 구조	Cubic, space group Ia3 No. 206, cI80, a = 1.0117(1) nm, Z = 16
위험
EU classification (DSD) (outdated)	not listed
NFPA 704 (파이어 다이아몬드)	0 1 0
	달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨. 확인 (관련 정보 ?) 정보상자 각주

산화 인듐(Indium(III) oxide, In₂O₃)은 화합물로 인듐의 양향성 산화물로, 큐빅 결정을 형성한다.

인듐 산화물은 전지, 박막, 핫미러(가시 광성은 투과하는 적외선 반사경), 광학 코팅 등에 사용된다.

이산화주석과 함께 산화인듐은 인듐-주석 산화물(ITO)을 형성하는데, 투명 전도 코팅에 주로 사용된다.

산화 인듐은 n형 반도체로 집적회로의 저항으로 사용된다.

박막은 반응성 스퍼터방법으로 제조된다.

같이 보기

↑ Marezio, M. (1966). “Refinement of the crystal structure of In₂O₃ at two wavelengths”. 《Acta Crystallographica》 20 (6): 723–728. doi:10.1107/S0365110X66001749.

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