0% found this document useful (0 votes)
25 views85 pages

Chapter 2_2024

The document discusses the Smith Chart and its applications in microwave engineering, particularly for solving transmission line problems and impedance matching. It provides an introduction to the Smith Chart, its mathematical foundation, and various applications such as determining reflection coefficients and voltage standing wave ratio (VSWR). The content is structured into chapters covering the Smith Chart's definition, applications, and examples for practical understanding.

Uploaded by

tuan.doan11k21
Copyright
© © All Rights Reserved
We take content rights seriously. If you suspect this is your content, claim it here.
Available Formats
Download as PDF, TXT or read online on Scribd
0% found this document useful (0 votes)
25 views85 pages

Chapter 2_2024

The document discusses the Smith Chart and its applications in microwave engineering, particularly for solving transmission line problems and impedance matching. It provides an introduction to the Smith Chart, its mathematical foundation, and various applications such as determining reflection coefficients and voltage standing wave ratio (VSWR). The content is structured into chapters covering the Smith Chart's definition, applications, and examples for practical understanding.

Uploaded by

tuan.doan11k21
Copyright
© © All Rights Reserved
We take content rights seriously. If you suspect this is your content, claim it here.
Available Formats
Download as PDF, TXT or read online on Scribd
You are on page 1/ 85

Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Microwave Engineering

M.Eng. Dang Ngoc Hanh


hanhdn@hcmut.edu.vn

Dept. of Telecoms Engineering 1


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Chapter 2
Smith Chart and Impedance
Matching

Trinh Xuan Dung, PhD


dung.trinh@hcmut.edu.vn

Department of Telecommunications
Faculty of Electrical and Electronics Engineering
Ho Chi Minh city University of Technology
Dept. of Telecoms Engineering 2
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Contents

1. Introduction
2. Smith Chart
3. Smith Chart Applications
4. Y Smith Chart
5. Impedance Matching
Problems

Dept. of Telecoms Engineering 3


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

1. Introduction
❖ Many of calculations required to solve T.L. problems involve the use of
complicated equations.
❖ Smith Chart, developed by Phillip H. Smith in 1939, is a graphical aid that
can be very useful for solving T.L. problems.
❖ The Smith chart, however, is more than just a graphical technique as it provides
a useful way of visualizing transmission line phenomenon without the need
for detailed numerical calculations.
❖ A microwave engineer can develop a good intuition about transmission line
and impedance-matching problems by learning to think in terms of the Smith
chart.
❖ From a mathematical point of view, the Smith chart is simply a representation
of all possible complex impedances with respect to coordinates defined by
the reflection coefficient.
❖ The domain of definition of the reflection coefficient is a circle of radius 1 in
the complex plane. This is also the domain of the Smith chart.

Dept. of Telecoms Engineering 4


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

1. Introduction

Dept. of Telecoms Engineering 5


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart
❖ We start from the general definition of reflection coefficient:
𝑍ൗ − 1
𝑍 − 𝑍0 𝑍0 𝑧−1
𝛤= = =
𝑍 + 𝑍0 𝑍ൗ + 1 𝑧 + 1
𝑍0
𝒁(𝒙)
❖ Now z can be written as:
1 + 𝛤 1 + Re 𝛤 + 𝑗 Im 𝛤 1 − Re2 𝛤 − Im2 𝛤 + 2𝑗 Im 𝛤
𝑧= = =
1 − 𝛤 1 − Re 𝛤 − 𝑗 Im 𝛤 1 − Re 𝛤 2 + Im2 𝛤
1 − Re2 𝛤 − Im2 𝛤 2 Im 𝛤
where: 𝑧 = 𝑟 + 𝑗𝑥 . Then: 𝑟 = 𝑥=
1 − Re 𝛤 2 + Im2 𝛤
1 − Re 𝛤 2 + Im2 𝛤
❖ These equations can be re-arranged into:
2 2
𝑟 2
1
Re 𝛤 − + Im 𝛤 =
1+𝑟 1+𝑟
2 2
1 1
Re 𝛤 − 1 2 + Im 𝛤 − =
𝑥 𝑥
Dept. of Telecoms Engineering 6
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart
𝑟
2 Center: ,0
𝑟 2 1 1+𝑟
Re 𝛤 − + Im2 𝛤 = : Resistance circles
1+𝑟 1+𝑟 1
Radius:
1+𝑟

Dept. of Telecoms Engineering 7


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart
1
2 2 Center: 1,
1 1 𝑥
Re 𝛤 − 1 2
+ Im 𝛤 − = : Reactance circles
𝑥 𝑥 1
Radius:
𝑥

Dept. of Telecoms Engineering 8


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

𝑧 = 𝑟 + 𝑗𝑥

𝑧−1
𝛤=
𝑧+1
1
Radius:
1+𝑟

Dept. of Telecoms Engineering 9


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Summary 1 - Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 10


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

For the constant r circles:


2. Smith Chart
1. The centers of all the constant r circles
are on the horizontal axis – real part of
the reflection coefficient.
2. The radius of circles decreases when r
increases.
3. All constant r circles pass through the
point r =1, i = 0.
4. The normalized resistance r =  is at
the point r =1, i = 0.

For the constant x (partial) circles:


1. The centers of all the constant x circles
are on the r =1 line. The circles with x > 0
(inductive reactance) are above the r
axis; the circles with x < 0 (capacitive) are
below the r axis.
2. The radius of circles decreases when absolute value of x increases.
3. The normalized reactance x =  are at the point r =1, i = 0
Dept. of Telecoms Engineering 11
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 12


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 13


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 14


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 15


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart d =  / 2
2 2 
2 d = 2 d =2 = 2
  2
Constant circle

Dept. of Telecoms Engineering 16


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 17


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 18


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

2. Smith Chart

Dept. of Telecoms Engineering 19


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


A. Given 𝑍 𝑑 , find Γ 𝑑 or Given Γ 𝑑 , find 𝑍 𝑑 .

B. Given Γ𝐿 𝑎𝑛𝑑 𝑍𝐿 , find Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 .


Given Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 , find Γ𝑅 𝑎𝑛𝑑 𝑍𝑅 .

C. Find dmax and dmin (maximum and minimum locations for the VSW pattern).

D. Find the VSWR.

E. Given 𝑍 𝑑 , find 𝑌 𝑑 or Given 𝑌 𝑑 , find 𝑍 𝑑 .

Dept. of Telecoms Engineering 20


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


A. Given 𝒁 𝒅 , find 𝜞 𝒅

1. Normalize the impedance:

𝒁 𝒅 𝑹 𝑿
𝒛 𝒅 = = +𝒋 = 𝒓 + 𝒋𝒙
𝒁𝟎 𝒁𝟎 𝒁𝟎

2. Find the circle of constant normalized resistance r.


3. Find the circle of constant normalized reactance x.
4. Find the interaction of the two curves indicates the reflection coefficient in the
complex plane. The chart provides directly magnitude and the phase angle of
Γ 𝑑 .

Example 1: Find Γ 𝑑 given 𝑍 𝑑 = 25 + 𝑗100Ω and 𝑍0 = 50Ω

Dept. of Telecoms Engineering 21


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

𝑍 𝑑 = 25 + 𝑗100Ω
𝑍0 = 50Ω
𝒁 − 𝒁𝟎
𝚪 =
𝒁 + 𝒁𝟎

Dept. of Telecoms Engineering 22


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications

Dept. of Telecoms Engineering 23


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


A. Given 𝜞 𝒅 , find 𝒁 𝒅

1. Determine the complex point representing the given reflection coefficient Γ 𝑑


on the chart.
2. Read the value of normalized resistance r and the normalized reactance x that
correspond to the reflection coefficient point.
3. The normalized impedance is: 𝒛 𝒅 = 𝒓 + 𝒋𝒙
4. The actual impedance is: 𝒁 𝒅 = 𝒛 𝒅 𝒁𝟎

Dept. of Telecoms Engineering 24


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


B. Given 𝜞𝑳 𝒂𝒏𝒅 𝒁𝑳 , find 𝜞 𝒅 and 𝒁 𝒅
The magnitude of the reflection coefficient is constant along a lossless T.L.
terminated by a specific load, since:

Γ 𝑑 = Γ𝐿 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑 = Γ𝐿

1. Identify the load reflection coefficient Γ𝐿 and the normalized load impedance 𝑍𝐿
on the Smith Chart.
2. Draw the circle of constant coefficient amplitude Γ 𝑑 = Γ𝐿
3. Starting from the point representing the load, travel on the circle in the
clockwise direction by an angle 𝜃 = 2𝛽𝑑.
4. The new location on the chart corresponds to location d on the T.L. Here the
value of Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 can be read from the chart.

Example: Find Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 given 𝑍𝐿 = 25 + 𝑗100Ω, 𝑍0 = 50Ω and 𝑑 = 0.18𝜆


Dept. of Telecoms Engineering 25
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

𝑍𝐿 = 25 + 𝑗100Ω
𝑍0 = 50Ω
𝑑 = 0.18𝜆
𝒁𝑳 − 𝒁𝟎
𝚪𝑳 =
𝒁𝑳 + 𝒁𝟎
𝚪 𝒛 = 𝒍 − 𝒅 = 𝚪𝑳 𝒆−𝟐𝜸𝒅
𝟏+𝚪
𝒁 = 𝒁𝟎
𝟏 − 𝚪𝑳

Dept. of Telecoms Engineering 26


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications

Dept. of Telecoms Engineering 27


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


Example 3: Find Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑
given 𝑍𝑅 = 100 − 𝑗50Ω,
𝑍0 = 50Ω and 𝑑 = 0.1𝜆

Dept. of Telecoms Engineering 28


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


C. Given 𝜞𝑳 𝒂𝒏𝒅 𝒁𝑳 , find 𝒅𝒎𝒂𝒙 and 𝒅𝒎𝒊𝒏

1. Identify the load reflection coefficient Γ𝐿 and the normalized load impedance 𝑍𝐿
on the Smith Chart.
2. Draw the circle of constant coefficient amplitude Γ 𝑑 = Γ𝐿
3. The circle intersects the real axis of the reflection coefficient at two points
which identify dmax (when Γ 𝑑 = real positive) and dmin (when Γ 𝑑 = real
negative).
4. The Smith chart provides an outer graduation where the distances normalized to
the wavelength can be read directly.

Example 4: Find dmax and dmin for 𝑍𝐿 = 100 + 𝑗50Ω, 𝑍0 = 50Ω and 𝑑 = 0.18𝜆

Dept. of Telecoms Engineering 29


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications

Dept. of Telecoms Engineering 30


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


D. Given 𝜞𝑳 𝒂𝒏𝒅 𝒁𝑳 , find 𝑽𝑺𝑾𝑹

𝑉𝑚𝑎𝑥 1 + Γ𝐿
The VSWR is defined as: 𝑉𝑆𝑊𝑅 = =
𝑉𝑚𝑖𝑛 1 − Γ𝐿

The normalized impedance at the maximum location of the SW pattern is given by:

1 + Γ 𝑑𝑚𝑎𝑥 1 + Γ𝐿
𝑧 𝑑𝑚𝑎𝑥 = = = 𝑉𝑆𝑊𝑅
1 − Γ 𝑑𝑚𝑎𝑥 1 − Γ𝐿

This quantity is always real and greater than 1. The VSWR is simply obtained on the
Smith Chart by reading the value of real normalized impedance at the location dmax
where Γ is real and positive.

Example 5: Find VSWR for 𝑍𝐿 = 25 ± 𝑗100Ω, 𝑍0 = 50Ω.

Dept. of Telecoms Engineering 31


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


E. Given 𝒁 𝒅 , find 𝒀 𝒅

❖ The normalized impedance and admittance are defined as:


1+Γ 𝑑 1−Γ 𝑑
𝑧 𝑑 = 𝑦 𝑑 =
1−Γ 𝑑 1+Γ 𝑑

𝜆 𝝀
❖ Since: Γ 𝑑 + 4 = −Γ 𝑑 → 𝒛 𝒅 + = 𝒚 𝒅
𝟒
❖ The actual values are given by:

𝜆
𝜆 𝜆 𝑦 𝑑+4
𝜆 𝜆
𝑍 𝑑+ = 𝑍0 𝑧 𝑑 + 𝑌 𝑑+ = 𝑌0 𝑦 𝑑 + =
4 4 4 4 𝑍0
Example 6: Find YL given 𝑍𝐿 = 25 ± 𝑗100Ω, 𝑍0 = 50Ω.

Dept. of Telecoms Engineering 32


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications

Dept. of Telecoms Engineering 33


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart: Y Smith


1
Chart
𝑧−1 𝑦−1 𝑦−1
❖ The reflection coefficient is written as: 𝛤= = =−
𝑧+1 1+1 𝑦+1
𝑦
𝑧−1
𝛤= : Z Smith Chart
𝑧+1
𝑦−1
−𝛤 = : Y Smith Chart
𝑦+1

Dept. of Telecoms Engineering 34


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart: Y Smith Chart


𝑧−1
𝛤= : Z Smith Chart
𝑧+1
𝑦−1
−𝛤 = : Y Smith Chart
𝑦+1

❖ Since related impedance and


admittance are on opposite
sides of the same Smith
Chart, the imaginary parts
always have different sign.
Numerically we have:
1
𝑧 = 𝑟 + 𝑗𝑥 𝑦 = 𝑔 + 𝑗𝑏 =
𝑧
𝑟
𝑔= 2
𝑟 + 𝑥2
𝑥
𝑏=− 2
𝑟 + 𝑥2
Dept. of Telecoms Engineering 35
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications L

22.5nH
Example 7: Find impedance of a C1
10p
complex circuit using Smith Chart where C2
12p R
𝑅0 = 50Ω and 𝜛 = 109 𝑟𝑎𝑑/𝑠. 50

R + 1/ j C1
zRC1 = = 1− j2
R0

Dept. of Telecoms Engineering 36


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications L

22.5nH
Example 7: Find impedance of a C1
10p
complex circuit using Smith Chart where C2
12p R
𝑅0 = 50Ω and 𝜛 = 109 𝑟𝑎𝑑/𝑠. 50

R + 1/ j C1
zRC1 = = 1− j2
R0

Dept. of Telecoms Engineering 37


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Summary 2 - Smith Chart Applications

A. Given 𝑍 𝑑 , find Γ 𝑑 or Given Γ 𝑑 , find 𝑍 𝑑 .

B. Given Γ𝐿 𝑎𝑛𝑑 𝑍𝐿 , find Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 .


Given Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 , find Γ𝑅 𝑎𝑛𝑑 𝑍𝑅 .

C. Find dmax and dmin (maximum and minimum locations for the VSW pattern).

D. Find the VSWR.

E. Given 𝑍 𝑑 , find 𝑌 𝑑 or Given 𝑌 𝑑 , find 𝑍 𝑑 .

Dept. of Telecoms Engineering 39


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

3. Smith Chart Applications


Example 8: A 50Ω
lossless T.L. of length
3.3𝜆 is terminated by a
load impedance
𝑍𝐿 = (25 + 𝑗50)Ω.
a. Find Γ.
b. Find VSWR.
c. Find dmax and dmin.
d. Find Zin of T.L.
e. Find Yin.

Dept. of Telecoms Engineering 40


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

More Examples
Example 11: A 50Ω lossless line
0.6 long is terminated in a load 𝟎. 𝟏𝟗𝟒𝝀
with 𝑍𝐿 = (50 + 𝑗25)Ω . At 0.3
from load, a resistor with resistance
𝑅 = 30Ω is connected as shown in
following figure. Use the Smith 𝒛𝑳 = 𝟏 + 𝒋𝟎. 𝟓
Chart to find 𝑍𝑖𝑛 .
𝒚𝑨 = 𝟏. 𝟑𝟕 + 𝒋𝟎. 𝟒𝟓
𝒚𝑩 = 𝟑. 𝟎𝟒 + 𝒋𝟎. 𝟒𝟓

𝒛𝒊𝒏 = 𝟏. 𝟗 − 𝒋𝟏. 𝟒

𝟎. 𝟑𝟗𝟒𝝀
𝒁𝒊𝒏 = (𝟗𝟓 − 𝒋𝟕𝟎)𝜴
Dept. of Telecoms Engineering 41
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

More Examples
Example 12: Use the Smith Chart to find 𝑍𝑖𝑛 of the 50Ω feedline shown in following
figure. 𝟎. 𝟎𝟖𝟖𝝀

𝒛𝟏 = 𝟏 + 𝒋

𝒚𝒊𝒏𝟏 = 𝟏. 𝟗𝟕 + 𝒋𝟏. 𝟎𝟐
𝒚𝒋𝒖𝒏𝒄 = 𝟑. 𝟗𝟒
𝒚𝒊𝒏𝟐 = 𝟏. 𝟗𝟕 − 𝒋𝟏. 𝟎𝟐
𝒛𝒊𝒏 = 𝟏. 𝟔𝟓 − 𝒋𝟏. 𝟕𝟗
𝒛𝟐 = 𝟏 − 𝒋

𝒁𝒊𝒏 = (𝟖𝟐. 𝟓 − 𝒋𝟖𝟗. 𝟓)𝜴 𝟎. 𝟒𝟏𝟐𝝀


Dept. of Telecoms Engineering 42
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Q&A

Dept. of Telecoms Engineering 43


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
Maximum power transfer
Impedance Matching What are Applications ?

ZS ❖ T.L.
Impedance ❖ Amplifier Design PA, LNA
Matching ❖ Component Design
ZL ❖ Equipment Interfaces
Network

❖ Using lump elements ❖ Matching with Lumped Elements


❖ Using transmission lines ❖ Single-Stub Matching Networks
❖ ADS Smith Chart tool ❖ Quarter-wave Transformer

Dept. of Telecoms Engineering 44


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
Goal of impedance matching using Smith chart: move the input impedance to
the point =0 or x=1 or y=1
Im()

Matched impedance

 = 0, r = 1, x = 0
Shorted circuit
 = −1, z = 0 Open circuit
r = 0, x = 0  = 1, z = 

Re()

Dept. of Telecoms Engineering 45


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
❖ The purpose of the matching network is
to eliminate reflections at terminal MM’
for wave incident from the source. Even
though multiple reflections may occur
between AA’ and MM’, only a forward
travelling wave exists on the feedline.

Dept. of Telecoms Engineering 46


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
A. Quarter wavelength Transformer Matching:

𝑍0 = 50 𝑍𝐿 = 40 Ω

❖ In case of complex impedance:

Dept. of Telecoms Engineering 47


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.

❖ The input admittance at MM’ can be written as:

𝑌𝑖𝑛 = 𝑌𝑑 + 𝑌𝑠 = 𝐺𝑑 + 𝑗𝐵𝑑 + 𝑗𝐵𝑠

❖ To achieve a matched condition at MM’, it is necessary that 𝑦𝑖𝑛 = 1, which translates


into two specific conditions, namely:

𝑔𝑑 = 1
𝑏𝑠 = −𝑏𝑑
Dept. of Telecoms Engineering 49
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.

Example 9: A load impedance


𝑍𝐿 = 25 − 𝑗50Ω is connected to
a 50Ω T.L. Insert a shunt
element to eliminate reflections
towards the sending end of the
line. Specify the insert location d
(in wavelengths), the type of
element and its value, given that
𝑓 = 100𝑀𝐻𝑧.

Dept. of Telecoms Engineering 50


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Dept. of Telecoms Engineering 51


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.
Example 10: Repeat Example 9
but use a shorted stub to match the
load impedance.

Dept. of Telecoms Engineering 52


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.

Dept. of Telecoms Engineering 53


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Lumped elements matching networks


Lumped
element
R0 ZL
matching
networks

X1 X1

R0 X2 ZL R0 X2 ZL

 Matching network Matching network

Dept. of Telecoms Engineering 54


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Goal of  matching impedance network:


1
y = 1  y = yt + jb2  Im( yt ) + jb2 = 0  yt =  zt = z L + jz1
zt

Example:
R0 = 50 (), Z L = 10 − j 40 () ,  = 109 (rad / s)
jx1

1 ZL
jb2 = zL = = 0.2 − j 0.8
jx2 R0

y = yt + jb2 = 1 zt = z L + jx1 zL
 z = 1/ y = 1 1
yt =
 Z = R0 .z = R0 zt

Dept. of Telecoms Engineering 55


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
b = −2 = b2 ,  jx2 = 1/ jb2  x2 = 0.5
 L2 = 25(nH )

yt = 1 + j 2
C

zt = 0.2 − j 0.4
X1
B
A

z L = 0.2 − j 0.8 R0 X2 ZL
x = 0.4 = x1  0
 L1 = 20(nH )
Dept. of Telecoms Engineering 56
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

b = 2 = b2 ,  jx2 = 1/ jb2  x2 = −0.5


zt = 0.2 + j 0.4  C2 = 40( pF )
E

A
yt = 1 − j 2 X1

z L = 0.2 − j 0.8
x = 1.2 = x1  0 R0 X2 ZL
 L1 = 60(nH )
57
Dept. of Telecoms Engineering
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Goal of  matching impedance network:


1
z = 1  z = zt + jx1  Im( zt ) + jx1 = 0  zt =  yt = yL + jb2
yt

Example:
R0 = 50 (), Z L = 10 − j 40 () ,  = 109 (rad / s)
jx1

jb2 ZL
zL = = 0.2 − j 0.8
R0

z = zt + jx1 = 1 yt = yL + jb2 zL
 Z = R0 .z = R0 1 1
zt = yL = = 0.3 + j1.18
yt zL

Dept. of Telecoms Engineering 58


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

b = −0.72 = b2 ,  jx2 = 1/ jb2  x2 = 1.39


B
 L2 = 70(nH )
yL = 0.3 + j1.18
C
yt = 0.3 + j 0.46

zt = 1 − j1.55

x = 1.55 = x1  0 A
z L = 0.2 − j 0.8
 L1 = 77.5(nH )
Dept. of Telecoms Engineering 59
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
b = −1.64 = b2 ,  jx2 = 1/ jb2  x2 = 0.61
 L2 = 30.5(nH ) B
yL = 0.3 + j1.18

zt = 1 + j1.55

x = −1.55 = x1  0
 C1 = 13( pF )
C
yt = 0.3 − j 0.46

A zL = 0.2 − j 0.8

Dept. of Telecoms Engineering 60


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Single stub matching networks


l Shorted circuit
RS

R0 ZL

Dept. of Telecoms Engineering 61


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Goal of single stub impedance network:


 l
Im( yd ) + Im( ys ) = 0  → ys
yt = 1  yt = yd + ys    d
Re( yd ) = 1  yL → yd
50
Example: R0 = 50 (), Z L = ( )
2 + j (2 + 3)
Stub : RS = 100 ()

l Shorted circuit
RS

1 R0
R0 ZL yL = = = 2 + j 3.73
zL Z L

d
Yt = Yd + YS YS Yd
Dept. of Telecoms Engineering 62
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Constant circle g=1

0.215

A
yL = 2 + j 3.73

C
d = (0.302 − 0.215).

yd = 1 − j 2.6 B

0.302
Constant circle S 1
Need : BS = 2.6 = 0.052 [ S ]
R0
Dept. of Telecoms Engineering 63
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

l = 0.469  

BS = 0.052
 bS = BS .RS = 0.052 100 = 5.2
B yS = j 5.2

y=
A
l
RS

Shorted
Constant circle S circuit

yS = j 5.2 ( refer to : RS )
YS = j 0.052 [ S ]
Dept. of Telecoms Engineering 64
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

More Examples
Example 13: A 50Ω lossless line is to be matched to an antenna with 𝑍𝐿 = (75 −
𝑗20)Ω using a shorted stub. Use the Smith Chart to determine the stub length and
distance between the antenna and stub.
𝟎. 𝟎𝟕𝟕𝝀
𝒚 = 𝒋𝟎. 𝟓𝟐
𝟎. 𝟎𝟒𝟏𝝀

𝒛𝟏 = 𝟏. 𝟓 − 𝒋𝟎. 𝟒
𝒛𝟏 = 𝟏. 𝟓 − 𝒋𝟎. 𝟒

𝒚 = −𝒋𝟎. 𝟓𝟐
𝟎. 𝟑𝟐𝟕𝝀
𝒅𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟒𝝀, 𝒍𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟕𝟑𝝀 𝒅𝟐 = 𝟎. 𝟑𝟏𝟒𝝀, 𝒍𝟐 = 𝟎. 𝟑𝟐𝟕𝝀
Dept. of Telecoms Engineering 69
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Summary 3 - Impedance Matching

Dept. of Telecoms Engineering 70


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Q&A

Dept. of Telecoms Engineering 71


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Câu 1

Một máy phát tín hiệu với trở kháng nội 𝑍𝐺 = 50Ω được kết nối với một tải anten có trở kháng
𝑍𝐴 = 75Ω qua một đường dây truyền sóng không tổn hao có chiều dài 𝐿 = 1,2𝜆 với trở kháng đặc
tính 𝑍0 = 50Ω như mạch trong Hình 1. Cấp nguồn EG tín hiệu sin tần số 3GHz, có biên độ 1V và
pha là 0o.
a. Tính hệ số phản tại tải, trở kháng nhìn vào đầu đường dây truyền sóng. (1.0 điểm)
b. Tính tỷ số sóng đứng điện áp VSWR, điện áp hiệu dụng tại bụng sóng, nút sóng và vị trí
bụng hoặc nút sóng gần nhất so với tải. (1.5 điểm)
c. Tính và viết biểu thức điện áp tổng tại anten. Tính công suất mà anten nhận được. (1.5
điểm)
d. Sử dụng thêm một PHTK ngõ ra sử dụng dây chêm hở mạch gắn song song tại một điểm
trên đường dây truyền sóng. Dùng đồ thị Smith xác định chiều dài dây chêm và vị trí gắn dây
chêm. (1.0 điểm)
e. Làm lại câu d, sử dụng thêm một mạch PHTK dùng L/C được gắn ngay trước tải. Dùng đồ
thị Smith tìm các giá trị L/C tương ứng, vẽ sơ đồ PHTK hoàn chỉnh. (1.0 điểm)
Dept. of Telecoms Engineering 72
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Câu 2

Cho đường dây truyền sóng không tổn hao 50Ω. Đường dây gắn với tải 50+j50Ω.
(a) Tính các thông số sau không sử dụng đồ thị Smith (viết đầy đủ công thức sử dụng):
• Hệ số phản xạ tại tải, Hệ số sóng đứng.
• Vị trí bụng và nút sóng đầu tiên tính từ tải.
• Trở kháng ngõ vào đường dây.
• Điện áp và dòng điện tại đầu đường dây, điện áp và dòng điện tại tải.
• Công suất truyền tới, phản xạ, và truyền vào tải.
(b)Thiết kế mạch PHTK sử dụng đồ thị Smith sử dụng dây chêm ngắn mạch.
(c) Kiểm chứng lại các kết quả trên dùng hỗ trợ phần mềm Smith V4.1.

Dept. of Telecoms Engineering 73


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Câu 3
Dùng phần mềm đồ thị Smith 4.1, hãy thiết kế các mạch phối hợp trở kháng sau. (SV
nộp kèm các hình chụp phần mềm Smith).

50 10+j20 
M ch M ch
ZL=30+j75 ZL=50
PHTK PHTK

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Câu 4

Một sợi cáp đồng trục không tổn hao hoạt động ở tần số 250MHz với trở kháng đặc tính 𝒁𝟎 =
𝟓𝟎𝛀 và sử dụng lớp cách điện bằng polyethylene có 𝜺𝒓 = 𝟒. Sợi cáp được sử dụng để xây dựng
mạch cao tần mô tả ở hình sau.

a. Tính điện áp và dòng điện tại ngõ vào của đường dây.

b. Tính công suất tiêu thụ trung bình trên tải.

c. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng sử dụng đoạn dây chêm (tính chiều dài vật lý của đoạn dây
chêm và vị trí vật lý để chèn đoạn dây chêm). Tính công suất tiêu thụ trên tải trong trường hợp
có sử dụng mạch phối hợp trở kháng vừa thiết kế.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Câu 5

Dept. of Telecoms Engineering 77


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Q&A

Dept. of Telecoms Engineering 78


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

MORE EXERCISES

Dept. of Telecoms Engineering 79


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Exercises
Exercise 8: Consider the circuit below. A generator with 𝑅0 = 75Ω is connected to a
complex of 𝑍𝐿 = 100 + 𝑗100Ω through a T.L. of arbitrary length with 𝑍0 = 75Ω and
𝑣𝑃 = 0.8𝑐. Using the Smith Chart, evaluate the line for stub matching. The generator
is operating at 100MHz. Find
a. The electrical length of 𝜆 of the T.L.
b. The normalized load impedance.
c. The closest stub location as measured from the load.
d. The length of the stub at the closest location.
e. The lumped load element value that could take the place of the stub at the nearest
location.

Dept. of Telecoms Engineering 80


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Exercises
Exercise 9: A Vector Network Analyzer (VNA) is attached to the end of a lossless, 15m
long T.L. (50Ω, 𝜖𝑟 = 2.3) operating at 220MHz. The VNA shows an input impedance
of 𝑍𝑖𝑛 = 75 − 𝑗35Ω. Using the Smith Chart:
a. Find the VSWR on the line.
b. Find the normalized, denormalized and equivalent circuit of the load impedance 𝑍𝐿
at the far end of the line. The equivalent circuit must show the correct schematic
symbols (L and/or R and/or C) and the values of each symbol.
c. Find the normalized load admittance YL at the far end of the line. The length of the
stub at the closest location.
d. Find the distance in meters from the load to the first matching point.
e. What is the normalized admittance at the first match point?
f. Find the shortest stub to match the susceptance found at the first match point. Give
the length of the stub in meters.
g. If fabrication of a coaxial stub was not feasible but a lumped matching element was
necessary, draw the component schematic symbol and give its value.
h. After the matching network is connected, where do standing waves exist and where
do they not exist in this system? What is the SWR at the input to the line?
Dept. of Telecoms Engineering 81
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Dept. of Telecoms Engineering 82


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Dept. of Telecoms Engineering 83


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 1

a. Sử dụng đồ thị Smith tính hệ số phản xạ tại tải và hệ số sóng đứng SWR của tải.
Câu 2 (2.5 điểm): Một mạch phối hợp trở kháng sử dụng dây chêm được mô tả n
nhiên,
b. Tính dẫn kháng chuẩn hóabản thiếtđịnh
và xác kế vị
chưa chính
trí của dẫn xác.
khángCác câuhóa
chuẩn hỏitrên
sauđồ
sẽthị
được sử dụng để tìm ra đi
Smith.
thiếtxác
c. Sử dụng đồ thị Smith, kế.định vị trí (theo bước sóng) của các điểm trên đường dây mà tại đó biên
độ sóng đạt giá trị cực đại và cực tiểu.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 1
Câu 2 (2.5 điểm): Một mạch phối hợp trở kháng sử dụng dây chêm được mô tả như hình sau. Tuy
nhiên, bản thiết kế chưa chính xác. Các câu hỏi sau sẽ được sử dụng để tìm ra điểm sai trong bản
thiết kế.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 1 (tt)

a. Sử dụng đồ thị Smith tính hệ số phản xạ tại tải và hệ số sóng đứng SWR của tải.
b. Tính dẫn kháng chuẩn hóa và xác định vị trí của dẫn kháng chuẩn hóa trên đồ thị Smith.
c. Sử dụng đồ thị Smith, xác định vị trí (theo bước sóng) của các điểm trên đường dây mà tại đó biên
độ sóng đạt giá trị cực đại và cực tiểu.
d. Sử dụng đồ thị Smith, xác định dẫn kháng tại vị trí chèn đoạn dây chêm dstub (như mô tả ở hình
trên).
e. Sử dụng đồ thị Smith, xác định dẫn kháng của đoạn dây chêm ngắn mạch có chiều dài Lstub (như
mô tả ở hình trên).
f. Sử dụng đồ thị Smith xác định dẫn kháng chuẩn hóa của toàn mạch tại vị trí chèn đoạn dây chêm.
Tính hệ số song đứng của đường dây các vị trí có d>dstub.
g. Điểm sai trong thiết kế là gì? Điều chỉnh lại bản thiết kế trên để có được mạch phối hợp trở kháng
đúng.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 2

Câu 2:(2.5 điểm) Xét mạch siêu cao tần hoạt động ở tần số 1GHz sau xem các đoạn đường truyền sóng không tổn
hao và có trở kháng đặc tính R0 = 50 .
a) Xác định công suất tiêu thụ trên tải ZL.
Xác định điện áp tại điểm A B.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 3

Câu 3b: Dùng mạch dây chêm đôi có khoảng cách  8 để phối hợp trở kháng cho tải Z L = 100 + j 50  về
trở kháng 50 . Mạch phối hợp trở kháng như hình vẽ. Đường dây chêm l1 hở mạch ; l2 ngắn mạch. Dùng
đồ thị Smith xác định các chiều dài đoạn dây chêm để phối hợp trở kháng cho tải Z L . Lưu ý chọn 1 nghiệm
ứng với chiều dài đoạn dây chêm l1 là ngắn nhất. Các đoạn dây đều có trở kháng 50 .
 8

R0 = 50 Z L = 100 − j 50

l2 Hở l1
mạch

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 4

Câu 1: (Học viên cần nộp đồ thị Smith cho câu này)
Cho mạch có đường dây truyền sóng không tổn hao
như hình vẽ bên. Tải đầu cuối Z L = 30 − j 20 .
a/. Hãy thiết kế mạch phối hợp trở kháng dùng dây
chêm hở mạch giữa tải và đường dây truyền sóng sao
cho công suất trên tải là lớn nhất.
b/. Hãy tính công suất lớn nhất này biết Vs=2V (rms).

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 5

Câu 2: (3 điểm)
Một máy phát siêu cao tần
(Vs, Rs) phát tín hiệu ở tần số 2.4
GHz ra tải 75  thông qua một
đường dây truyền sóng không tổn
hao có trở kháng đặt tính 75  như
hình vẽ 2.
a. Xác định công suất trên tải ZL
theo dBm.
Để cực đại hóa công suất trên tải,
một mạch phối hợp trở kháng dùng các phần tử tập trung được chèn vào giữa ngõ ra máy phát và
ngõ vào của đường dây truyền sóng. Hãy thiết kế mạch phối hợp trở kháng này và tính lại công suất
trên tải. Sinh viên cần nộp đồ thị Smith cho câu này.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Bài 6
Câu 1. (5.0đ) Cho đường dây truyền sóng không tổn hao 50Ω, chiều dài L=0,8 như trên hình 1.
Đường dây gắn với tải 50+j50Ω và được cấp nguồn Vs=5V có trở kháng nội 50Ω, tần số 2MHz.

Tính các thông số sau sử dụng đồ thị Smith


(a) (0.5đ) Hệ số phản xạ tại tải.
(b) (0.5đ) Hệ số sóng đứng.
(c) (1.0đ) Vị trí bụng và nút sóng đầu tiên tính từ tải.
(d) (0.5đ) Trở kháng ngõ vào đường dây.
(e) (1.0đ) Điện áp và dòng điện tại đầu đường dây.
(f) (0.5đ) Điện áp và dòng điện tại tải.
(g) (1.0đ) Công suất truyền tới, phản xạ, và truyền vào tải.

Dept. of Telecoms Engineering


Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019

Câu 2. (5.0đ) Nộp kèm đồ thị Smith (riêng cho từng câu a và b).
Cho đường dây truyền sóng không tổn hao 50Ω. Đường dây gắn với tải 40+j40Ω.

(a) Thiết kế mạch PHTK sử dụng đồ thị Smith sử dụng dây chêm ngắn mạch.
(b) Thiết kế mạch PHTK sử dụng đồ thị Smith sử dụng phần tử tập trung L,C kết nối kiểu .

Dept. of Telecoms Engineering

You might also like

pFad - Phonifier reborn

Pfad - The Proxy pFad of © 2024 Garber Painting. All rights reserved.

Note: This service is not intended for secure transactions such as banking, social media, email, or purchasing. Use at your own risk. We assume no liability whatsoever for broken pages.


Alternative Proxies:

Alternative Proxy

pFad Proxy

pFad v3 Proxy

pFad v4 Proxy