Chapter 2_2024
Chapter 2_2024
Microwave Engineering
Chapter 2
Smith Chart and Impedance
Matching
Department of Telecommunications
Faculty of Electrical and Electronics Engineering
Ho Chi Minh city University of Technology
Dept. of Telecoms Engineering 2
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
Contents
1. Introduction
2. Smith Chart
3. Smith Chart Applications
4. Y Smith Chart
5. Impedance Matching
Problems
1. Introduction
❖ Many of calculations required to solve T.L. problems involve the use of
complicated equations.
❖ Smith Chart, developed by Phillip H. Smith in 1939, is a graphical aid that
can be very useful for solving T.L. problems.
❖ The Smith chart, however, is more than just a graphical technique as it provides
a useful way of visualizing transmission line phenomenon without the need
for detailed numerical calculations.
❖ A microwave engineer can develop a good intuition about transmission line
and impedance-matching problems by learning to think in terms of the Smith
chart.
❖ From a mathematical point of view, the Smith chart is simply a representation
of all possible complex impedances with respect to coordinates defined by
the reflection coefficient.
❖ The domain of definition of the reflection coefficient is a circle of radius 1 in
the complex plane. This is also the domain of the Smith chart.
1. Introduction
2. Smith Chart
❖ We start from the general definition of reflection coefficient:
𝑍ൗ − 1
𝑍 − 𝑍0 𝑍0 𝑧−1
𝛤= = =
𝑍 + 𝑍0 𝑍ൗ + 1 𝑧 + 1
𝑍0
𝒁(𝒙)
❖ Now z can be written as:
1 + 𝛤 1 + Re 𝛤 + 𝑗 Im 𝛤 1 − Re2 𝛤 − Im2 𝛤 + 2𝑗 Im 𝛤
𝑧= = =
1 − 𝛤 1 − Re 𝛤 − 𝑗 Im 𝛤 1 − Re 𝛤 2 + Im2 𝛤
1 − Re2 𝛤 − Im2 𝛤 2 Im 𝛤
where: 𝑧 = 𝑟 + 𝑗𝑥 . Then: 𝑟 = 𝑥=
1 − Re 𝛤 2 + Im2 𝛤
1 − Re 𝛤 2 + Im2 𝛤
❖ These equations can be re-arranged into:
2 2
𝑟 2
1
Re 𝛤 − + Im 𝛤 =
1+𝑟 1+𝑟
2 2
1 1
Re 𝛤 − 1 2 + Im 𝛤 − =
𝑥 𝑥
Dept. of Telecoms Engineering 6
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
2. Smith Chart
𝑟
2 Center: ,0
𝑟 2 1 1+𝑟
Re 𝛤 − + Im2 𝛤 = : Resistance circles
1+𝑟 1+𝑟 1
Radius:
1+𝑟
2. Smith Chart
1
2 2 Center: 1,
1 1 𝑥
Re 𝛤 − 1 2
+ Im 𝛤 − = : Reactance circles
𝑥 𝑥 1
Radius:
𝑥
𝑧 = 𝑟 + 𝑗𝑥
𝑧−1
𝛤=
𝑧+1
1
Radius:
1+𝑟
2. Smith Chart
2. Smith Chart
2. Smith Chart
2. Smith Chart
2. Smith Chart d = / 2
2 2
2 d = 2 d =2 = 2
2
Constant circle
2. Smith Chart
2. Smith Chart
2. Smith Chart
C. Find dmax and dmin (maximum and minimum locations for the VSW pattern).
𝒁 𝒅 𝑹 𝑿
𝒛 𝒅 = = +𝒋 = 𝒓 + 𝒋𝒙
𝒁𝟎 𝒁𝟎 𝒁𝟎
𝑍 𝑑 = 25 + 𝑗100Ω
𝑍0 = 50Ω
𝒁 − 𝒁𝟎
𝚪 =
𝒁 + 𝒁𝟎
Γ 𝑑 = Γ𝐿 𝑒 −𝑗2𝛽𝑑 = Γ𝐿
1. Identify the load reflection coefficient Γ𝐿 and the normalized load impedance 𝑍𝐿
on the Smith Chart.
2. Draw the circle of constant coefficient amplitude Γ 𝑑 = Γ𝐿
3. Starting from the point representing the load, travel on the circle in the
clockwise direction by an angle 𝜃 = 2𝛽𝑑.
4. The new location on the chart corresponds to location d on the T.L. Here the
value of Γ 𝑑 and 𝑍 𝑑 can be read from the chart.
𝑍𝐿 = 25 + 𝑗100Ω
𝑍0 = 50Ω
𝑑 = 0.18𝜆
𝒁𝑳 − 𝒁𝟎
𝚪𝑳 =
𝒁𝑳 + 𝒁𝟎
𝚪 𝒛 = 𝒍 − 𝒅 = 𝚪𝑳 𝒆−𝟐𝜸𝒅
𝟏+𝚪
𝒁 = 𝒁𝟎
𝟏 − 𝚪𝑳
1. Identify the load reflection coefficient Γ𝐿 and the normalized load impedance 𝑍𝐿
on the Smith Chart.
2. Draw the circle of constant coefficient amplitude Γ 𝑑 = Γ𝐿
3. The circle intersects the real axis of the reflection coefficient at two points
which identify dmax (when Γ 𝑑 = real positive) and dmin (when Γ 𝑑 = real
negative).
4. The Smith chart provides an outer graduation where the distances normalized to
the wavelength can be read directly.
Example 4: Find dmax and dmin for 𝑍𝐿 = 100 + 𝑗50Ω, 𝑍0 = 50Ω and 𝑑 = 0.18𝜆
𝑉𝑚𝑎𝑥 1 + Γ𝐿
The VSWR is defined as: 𝑉𝑆𝑊𝑅 = =
𝑉𝑚𝑖𝑛 1 − Γ𝐿
The normalized impedance at the maximum location of the SW pattern is given by:
1 + Γ 𝑑𝑚𝑎𝑥 1 + Γ𝐿
𝑧 𝑑𝑚𝑎𝑥 = = = 𝑉𝑆𝑊𝑅
1 − Γ 𝑑𝑚𝑎𝑥 1 − Γ𝐿
This quantity is always real and greater than 1. The VSWR is simply obtained on the
Smith Chart by reading the value of real normalized impedance at the location dmax
where Γ is real and positive.
𝜆 𝝀
❖ Since: Γ 𝑑 + 4 = −Γ 𝑑 → 𝒛 𝒅 + = 𝒚 𝒅
𝟒
❖ The actual values are given by:
𝜆
𝜆 𝜆 𝑦 𝑑+4
𝜆 𝜆
𝑍 𝑑+ = 𝑍0 𝑧 𝑑 + 𝑌 𝑑+ = 𝑌0 𝑦 𝑑 + =
4 4 4 4 𝑍0
Example 6: Find YL given 𝑍𝐿 = 25 ± 𝑗100Ω, 𝑍0 = 50Ω.
22.5nH
Example 7: Find impedance of a C1
10p
complex circuit using Smith Chart where C2
12p R
𝑅0 = 50Ω and 𝜛 = 109 𝑟𝑎𝑑/𝑠. 50
R + 1/ j C1
zRC1 = = 1− j2
R0
22.5nH
Example 7: Find impedance of a C1
10p
complex circuit using Smith Chart where C2
12p R
𝑅0 = 50Ω and 𝜛 = 109 𝑟𝑎𝑑/𝑠. 50
R + 1/ j C1
zRC1 = = 1− j2
R0
C. Find dmax and dmin (maximum and minimum locations for the VSW pattern).
More Examples
Example 11: A 50Ω lossless line
0.6 long is terminated in a load 𝟎. 𝟏𝟗𝟒𝝀
with 𝑍𝐿 = (50 + 𝑗25)Ω . At 0.3
from load, a resistor with resistance
𝑅 = 30Ω is connected as shown in
following figure. Use the Smith 𝒛𝑳 = 𝟏 + 𝒋𝟎. 𝟓
Chart to find 𝑍𝑖𝑛 .
𝒚𝑨 = 𝟏. 𝟑𝟕 + 𝒋𝟎. 𝟒𝟓
𝒚𝑩 = 𝟑. 𝟎𝟒 + 𝒋𝟎. 𝟒𝟓
𝒛𝒊𝒏 = 𝟏. 𝟗 − 𝒋𝟏. 𝟒
𝟎. 𝟑𝟗𝟒𝝀
𝒁𝒊𝒏 = (𝟗𝟓 − 𝒋𝟕𝟎)𝜴
Dept. of Telecoms Engineering 41
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
More Examples
Example 12: Use the Smith Chart to find 𝑍𝑖𝑛 of the 50Ω feedline shown in following
figure. 𝟎. 𝟎𝟖𝟖𝝀
𝒛𝟏 = 𝟏 + 𝒋
𝒚𝒊𝒏𝟏 = 𝟏. 𝟗𝟕 + 𝒋𝟏. 𝟎𝟐
𝒚𝒋𝒖𝒏𝒄 = 𝟑. 𝟗𝟒
𝒚𝒊𝒏𝟐 = 𝟏. 𝟗𝟕 − 𝒋𝟏. 𝟎𝟐
𝒛𝒊𝒏 = 𝟏. 𝟔𝟓 − 𝒋𝟏. 𝟕𝟗
𝒛𝟐 = 𝟏 − 𝒋
Q&A
4. Impedance Matching
Maximum power transfer
Impedance Matching What are Applications ?
ZS ❖ T.L.
Impedance ❖ Amplifier Design PA, LNA
Matching ❖ Component Design
ZL ❖ Equipment Interfaces
Network
Matched impedance
= 0, r = 1, x = 0
Shorted circuit
= −1, z = 0 Open circuit
r = 0, x = 0 = 1, z =
Re()
4. Impedance Matching
❖ The purpose of the matching network is
to eliminate reflections at terminal MM’
for wave incident from the source. Even
though multiple reflections may occur
between AA’ and MM’, only a forward
travelling wave exists on the feedline.
4. Impedance Matching
A. Quarter wavelength Transformer Matching:
𝑍0 = 50 𝑍𝐿 = 40 Ω
4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.
𝑔𝑑 = 1
𝑏𝑠 = −𝑏𝑑
Dept. of Telecoms Engineering 49
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.
4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.
Example 10: Repeat Example 9
but use a shorted stub to match the
load impedance.
4. Impedance Matching
B. Lumped-Element Matching: choose d and YS to achieve a match at MM’.
X1 X1
R0 X2 ZL R0 X2 ZL
Example:
R0 = 50 (), Z L = 10 − j 40 () , = 109 (rad / s)
jx1
1 ZL
jb2 = zL = = 0.2 − j 0.8
jx2 R0
y = yt + jb2 = 1 zt = z L + jx1 zL
z = 1/ y = 1 1
yt =
Z = R0 .z = R0 zt
yt = 1 + j 2
C
zt = 0.2 − j 0.4
X1
B
A
z L = 0.2 − j 0.8 R0 X2 ZL
x = 0.4 = x1 0
L1 = 20(nH )
Dept. of Telecoms Engineering 56
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
A
yt = 1 − j 2 X1
z L = 0.2 − j 0.8
x = 1.2 = x1 0 R0 X2 ZL
L1 = 60(nH )
57
Dept. of Telecoms Engineering
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
Example:
R0 = 50 (), Z L = 10 − j 40 () , = 109 (rad / s)
jx1
jb2 ZL
zL = = 0.2 − j 0.8
R0
z = zt + jx1 = 1 yt = yL + jb2 zL
Z = R0 .z = R0 1 1
zt = yL = = 0.3 + j1.18
yt zL
zt = 1 − j1.55
x = 1.55 = x1 0 A
z L = 0.2 − j 0.8
L1 = 77.5(nH )
Dept. of Telecoms Engineering 59
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
b = −1.64 = b2 , jx2 = 1/ jb2 x2 = 0.61
L2 = 30.5(nH ) B
yL = 0.3 + j1.18
zt = 1 + j1.55
x = −1.55 = x1 0
C1 = 13( pF )
C
yt = 0.3 − j 0.46
A zL = 0.2 − j 0.8
R0 ZL
l Shorted circuit
RS
1 R0
R0 ZL yL = = = 2 + j 3.73
zL Z L
d
Yt = Yd + YS YS Yd
Dept. of Telecoms Engineering 62
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
0.215
A
yL = 2 + j 3.73
C
d = (0.302 − 0.215).
yd = 1 − j 2.6 B
0.302
Constant circle S 1
Need : BS = 2.6 = 0.052 [ S ]
R0
Dept. of Telecoms Engineering 63
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
l = 0.469
BS = 0.052
bS = BS .RS = 0.052 100 = 5.2
B yS = j 5.2
y=
A
l
RS
Shorted
Constant circle S circuit
yS = j 5.2 ( refer to : RS )
YS = j 0.052 [ S ]
Dept. of Telecoms Engineering 64
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
More Examples
Example 13: A 50Ω lossless line is to be matched to an antenna with 𝑍𝐿 = (75 −
𝑗20)Ω using a shorted stub. Use the Smith Chart to determine the stub length and
distance between the antenna and stub.
𝟎. 𝟎𝟕𝟕𝝀
𝒚 = 𝒋𝟎. 𝟓𝟐
𝟎. 𝟎𝟒𝟏𝝀
𝒛𝟏 = 𝟏. 𝟓 − 𝒋𝟎. 𝟒
𝒛𝟏 = 𝟏. 𝟓 − 𝒋𝟎. 𝟒
𝒚 = −𝒋𝟎. 𝟓𝟐
𝟎. 𝟑𝟐𝟕𝝀
𝒅𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟒𝝀, 𝒍𝟏 = 𝟎. 𝟏𝟕𝟑𝝀 𝒅𝟐 = 𝟎. 𝟑𝟏𝟒𝝀, 𝒍𝟐 = 𝟎. 𝟑𝟐𝟕𝝀
Dept. of Telecoms Engineering 69
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
Q&A
Câu 1
Một máy phát tín hiệu với trở kháng nội 𝑍𝐺 = 50Ω được kết nối với một tải anten có trở kháng
𝑍𝐴 = 75Ω qua một đường dây truyền sóng không tổn hao có chiều dài 𝐿 = 1,2𝜆 với trở kháng đặc
tính 𝑍0 = 50Ω như mạch trong Hình 1. Cấp nguồn EG tín hiệu sin tần số 3GHz, có biên độ 1V và
pha là 0o.
a. Tính hệ số phản tại tải, trở kháng nhìn vào đầu đường dây truyền sóng. (1.0 điểm)
b. Tính tỷ số sóng đứng điện áp VSWR, điện áp hiệu dụng tại bụng sóng, nút sóng và vị trí
bụng hoặc nút sóng gần nhất so với tải. (1.5 điểm)
c. Tính và viết biểu thức điện áp tổng tại anten. Tính công suất mà anten nhận được. (1.5
điểm)
d. Sử dụng thêm một PHTK ngõ ra sử dụng dây chêm hở mạch gắn song song tại một điểm
trên đường dây truyền sóng. Dùng đồ thị Smith xác định chiều dài dây chêm và vị trí gắn dây
chêm. (1.0 điểm)
e. Làm lại câu d, sử dụng thêm một mạch PHTK dùng L/C được gắn ngay trước tải. Dùng đồ
thị Smith tìm các giá trị L/C tương ứng, vẽ sơ đồ PHTK hoàn chỉnh. (1.0 điểm)
Dept. of Telecoms Engineering 72
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
Câu 2
Cho đường dây truyền sóng không tổn hao 50Ω. Đường dây gắn với tải 50+j50Ω.
(a) Tính các thông số sau không sử dụng đồ thị Smith (viết đầy đủ công thức sử dụng):
• Hệ số phản xạ tại tải, Hệ số sóng đứng.
• Vị trí bụng và nút sóng đầu tiên tính từ tải.
• Trở kháng ngõ vào đường dây.
• Điện áp và dòng điện tại đầu đường dây, điện áp và dòng điện tại tải.
• Công suất truyền tới, phản xạ, và truyền vào tải.
(b)Thiết kế mạch PHTK sử dụng đồ thị Smith sử dụng dây chêm ngắn mạch.
(c) Kiểm chứng lại các kết quả trên dùng hỗ trợ phần mềm Smith V4.1.
Câu 3
Dùng phần mềm đồ thị Smith 4.1, hãy thiết kế các mạch phối hợp trở kháng sau. (SV
nộp kèm các hình chụp phần mềm Smith).
50 10+j20
M ch M ch
ZL=30+j75 ZL=50
PHTK PHTK
Câu 4
Một sợi cáp đồng trục không tổn hao hoạt động ở tần số 250MHz với trở kháng đặc tính 𝒁𝟎 =
𝟓𝟎𝛀 và sử dụng lớp cách điện bằng polyethylene có 𝜺𝒓 = 𝟒. Sợi cáp được sử dụng để xây dựng
mạch cao tần mô tả ở hình sau.
a. Tính điện áp và dòng điện tại ngõ vào của đường dây.
c. Thiết kế mạch phối hợp trở kháng sử dụng đoạn dây chêm (tính chiều dài vật lý của đoạn dây
chêm và vị trí vật lý để chèn đoạn dây chêm). Tính công suất tiêu thụ trên tải trong trường hợp
có sử dụng mạch phối hợp trở kháng vừa thiết kế.
Câu 5
Q&A
MORE EXERCISES
Exercises
Exercise 8: Consider the circuit below. A generator with 𝑅0 = 75Ω is connected to a
complex of 𝑍𝐿 = 100 + 𝑗100Ω through a T.L. of arbitrary length with 𝑍0 = 75Ω and
𝑣𝑃 = 0.8𝑐. Using the Smith Chart, evaluate the line for stub matching. The generator
is operating at 100MHz. Find
a. The electrical length of 𝜆 of the T.L.
b. The normalized load impedance.
c. The closest stub location as measured from the load.
d. The length of the stub at the closest location.
e. The lumped load element value that could take the place of the stub at the nearest
location.
Exercises
Exercise 9: A Vector Network Analyzer (VNA) is attached to the end of a lossless, 15m
long T.L. (50Ω, 𝜖𝑟 = 2.3) operating at 220MHz. The VNA shows an input impedance
of 𝑍𝑖𝑛 = 75 − 𝑗35Ω. Using the Smith Chart:
a. Find the VSWR on the line.
b. Find the normalized, denormalized and equivalent circuit of the load impedance 𝑍𝐿
at the far end of the line. The equivalent circuit must show the correct schematic
symbols (L and/or R and/or C) and the values of each symbol.
c. Find the normalized load admittance YL at the far end of the line. The length of the
stub at the closest location.
d. Find the distance in meters from the load to the first matching point.
e. What is the normalized admittance at the first match point?
f. Find the shortest stub to match the susceptance found at the first match point. Give
the length of the stub in meters.
g. If fabrication of a coaxial stub was not feasible but a lumped matching element was
necessary, draw the component schematic symbol and give its value.
h. After the matching network is connected, where do standing waves exist and where
do they not exist in this system? What is the SWR at the input to the line?
Dept. of Telecoms Engineering 81
Dung Trinh, PhD HCMUT / 2019
Bài 1
a. Sử dụng đồ thị Smith tính hệ số phản xạ tại tải và hệ số sóng đứng SWR của tải.
Câu 2 (2.5 điểm): Một mạch phối hợp trở kháng sử dụng dây chêm được mô tả n
nhiên,
b. Tính dẫn kháng chuẩn hóabản thiếtđịnh
và xác kế vị
chưa chính
trí của dẫn xác.
khángCác câuhóa
chuẩn hỏitrên
sauđồ
sẽthị
được sử dụng để tìm ra đi
Smith.
thiếtxác
c. Sử dụng đồ thị Smith, kế.định vị trí (theo bước sóng) của các điểm trên đường dây mà tại đó biên
độ sóng đạt giá trị cực đại và cực tiểu.
Bài 1
Câu 2 (2.5 điểm): Một mạch phối hợp trở kháng sử dụng dây chêm được mô tả như hình sau. Tuy
nhiên, bản thiết kế chưa chính xác. Các câu hỏi sau sẽ được sử dụng để tìm ra điểm sai trong bản
thiết kế.
Bài 1 (tt)
a. Sử dụng đồ thị Smith tính hệ số phản xạ tại tải và hệ số sóng đứng SWR của tải.
b. Tính dẫn kháng chuẩn hóa và xác định vị trí của dẫn kháng chuẩn hóa trên đồ thị Smith.
c. Sử dụng đồ thị Smith, xác định vị trí (theo bước sóng) của các điểm trên đường dây mà tại đó biên
độ sóng đạt giá trị cực đại và cực tiểu.
d. Sử dụng đồ thị Smith, xác định dẫn kháng tại vị trí chèn đoạn dây chêm dstub (như mô tả ở hình
trên).
e. Sử dụng đồ thị Smith, xác định dẫn kháng của đoạn dây chêm ngắn mạch có chiều dài Lstub (như
mô tả ở hình trên).
f. Sử dụng đồ thị Smith xác định dẫn kháng chuẩn hóa của toàn mạch tại vị trí chèn đoạn dây chêm.
Tính hệ số song đứng của đường dây các vị trí có d>dstub.
g. Điểm sai trong thiết kế là gì? Điều chỉnh lại bản thiết kế trên để có được mạch phối hợp trở kháng
đúng.
Bài 2
Câu 2:(2.5 điểm) Xét mạch siêu cao tần hoạt động ở tần số 1GHz sau xem các đoạn đường truyền sóng không tổn
hao và có trở kháng đặc tính R0 = 50 .
a) Xác định công suất tiêu thụ trên tải ZL.
Xác định điện áp tại điểm A B.
Bài 3
Câu 3b: Dùng mạch dây chêm đôi có khoảng cách 8 để phối hợp trở kháng cho tải Z L = 100 + j 50 về
trở kháng 50 . Mạch phối hợp trở kháng như hình vẽ. Đường dây chêm l1 hở mạch ; l2 ngắn mạch. Dùng
đồ thị Smith xác định các chiều dài đoạn dây chêm để phối hợp trở kháng cho tải Z L . Lưu ý chọn 1 nghiệm
ứng với chiều dài đoạn dây chêm l1 là ngắn nhất. Các đoạn dây đều có trở kháng 50 .
8
l2 Hở l1
mạch
Bài 4
Câu 1: (Học viên cần nộp đồ thị Smith cho câu này)
Cho mạch có đường dây truyền sóng không tổn hao
như hình vẽ bên. Tải đầu cuối Z L = 30 − j 20 .
a/. Hãy thiết kế mạch phối hợp trở kháng dùng dây
chêm hở mạch giữa tải và đường dây truyền sóng sao
cho công suất trên tải là lớn nhất.
b/. Hãy tính công suất lớn nhất này biết Vs=2V (rms).
Bài 5
Câu 2: (3 điểm)
Một máy phát siêu cao tần
(Vs, Rs) phát tín hiệu ở tần số 2.4
GHz ra tải 75 thông qua một
đường dây truyền sóng không tổn
hao có trở kháng đặt tính 75 như
hình vẽ 2.
a. Xác định công suất trên tải ZL
theo dBm.
Để cực đại hóa công suất trên tải,
một mạch phối hợp trở kháng dùng các phần tử tập trung được chèn vào giữa ngõ ra máy phát và
ngõ vào của đường dây truyền sóng. Hãy thiết kế mạch phối hợp trở kháng này và tính lại công suất
trên tải. Sinh viên cần nộp đồ thị Smith cho câu này.
Bài 6
Câu 1. (5.0đ) Cho đường dây truyền sóng không tổn hao 50Ω, chiều dài L=0,8 như trên hình 1.
Đường dây gắn với tải 50+j50Ω và được cấp nguồn Vs=5V có trở kháng nội 50Ω, tần số 2MHz.
Câu 2. (5.0đ) Nộp kèm đồ thị Smith (riêng cho từng câu a và b).
Cho đường dây truyền sóng không tổn hao 50Ω. Đường dây gắn với tải 40+j40Ω.
(a) Thiết kế mạch PHTK sử dụng đồ thị Smith sử dụng dây chêm ngắn mạch.
(b) Thiết kế mạch PHTK sử dụng đồ thị Smith sử dụng phần tử tập trung L,C kết nối kiểu .