Micron hat den 3D-NAND v6 vorgestellt und den Flash-Speicher mit 232 Schichten in einem Blog-Post näher erläutert. Er weist die derzeit höchste Dichte auf und ist dank neuem Design auch schneller als der 3D-NAND der Konkurrenz.

Der US-amerikanische Hersteller hatte den 3D-NAND v6 schon Ende 2021 angekündigt, jedoch keine Details abseits der Anzahl der Layer bekannt gegeben. Konkret besteht der Flash-Speicher aus zwei gestapelten Türmen, es handelt sich ergo um ein 116+116-Design. Wie gehabt wird die Kontrolllogik unter den eigentlichen NAND-Schichten verbaut, Micron spricht daher von CuA (CMOS under Array).

Derzeit höchste Kapazität pro Fläche

Initial werden 1-TBit-Dies mit drei Bit pro Zelle (TLC, Triple Level Cell) produziert, wobei Micron laut eigener Angabe den kleinsten Chip hat und die höchste Kapazität pro Fläche erreicht. Mit 14,6 GBit pro Quadratmillimeter fällt der Abstand zu Samsungs aktuellem V-NAND v7 (8,5 GBit/mm²) immens aus, zu Kioxia und Western Digitals BiCS6 (10,4 GBit/mm²) jedoch auch noch. Tatsächlich liegt die Dichte sogar fast auf dem Niveau von QLC-Speicher, etwa dem von BiCS6 in dieser Variante (15,1 GBit/mm) - das zeigt die Übersicht bei Computerbase.

Auch bei der Geschwindigkeit legt Micron vor: Der 3D-NAND v6 arbeitet mit 2.400 MT/s, was gleichauf mit Samsungs V-NAND v8 und ein Fünftel mehr als die 2.000 MT/s des BiCS6 ist. Beim 3D-NAND v5 waren es 1.600 MT/s, sprich: Micron hat den I/O-Durchsatz um gleich 50 Prozent gesteigert. Der neue Flash-Speicher befindet sich bereits in der Serienfertigung, er wird in der Fab in Singapur produziert.

Erste Chips wurden schon an Partner geliefert, Micron selbst will die eigenen Crucial-SSDs mit dem 3D-NAND v6 bestücken. Informationen zu diesen Produkten und wann sie verfügbar sein sollen, folgen allerdings erst noch.